[发明专利]III族氮化物晶体、III族氮化物基板及III族氮化物晶体的制造方法在审
| 申请号： | 202110645249.8 | 申请日： | 2021-06-09 |
| 公开（公告）号： | CN113802185A | 公开（公告）日： | 2021-12-17 |
| 发明（设计）人： | 森勇介;吉村政志;今西正幸;北本启;隅智亮;泷野淳一;冈山芳央 | 申请（专利权）人： | 松下电器产业株式会社 |
| 主分类号： | C30B29/40 | 分类号： | C30B29/40;C30B25/14;C30B25/02;H01L33/32;H01S5/30 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 任岩 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： |
本发明提供III族氮化物晶体、III族氮化物基板及III族氮化物晶体的制造方法。提供具有优异的导电性和低吸光系数的III族氮化物晶体。III族氮化物晶体掺杂有N型掺杂剂和锗元素，N型掺杂剂的浓度为1×10 |
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| 搜索关键词： | iii 氮化物 晶体 制造 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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