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[发明专利]III族氮化物基板和III族氮化物结晶的制造方法-CN201910617944.6有效
发明人：森勇介;吉村政志;今西正幸;北本启;泷野淳一;隅智亮;冈山芳央 -专利权人：国立大学法人大阪大学;松下控股株式会社
申请日： 2019-07-09 - 公布日： 2023-05-26 - 主分类号： C23C16/34 文献下载
摘要：本发明提供一种低电阻且可控制晶格常数的III族氮化物基板。III族氮化物基板具有III族氮化物的基材部，所述III族氮化物的基材部具有表面、背面、和在表面与背面之间的内层，基材部的表面的碳浓度比内层的碳浓度高。III族氮化物结晶的制造方法中，从III族氮化物结晶的生长初期至生长中期，使III族元素氧化物气体与生长后期相比高浓度地生成，并高浓度地供给至育成室，并且将含碳元素气体高浓度地供给至育成室，在III族氮化物结晶的生长后期，使III族元素氧化物气体与生长初期至生长中期相比低浓度地生成，并低浓度地供给至育成室，并且将含碳元素气体低浓度地供给至育成室。
iii 氮化物结晶制造方法

[发明专利]III族氮化物结晶的制造方法及III族氮化物结晶-CN202210308864.4在审
发明人：森勇介;吉村政志;今西正幸;宇佐美茂佳;北本启;泷野淳一 -专利权人：松下控股株式会社
申请日： 2022-03-25 - 公布日： 2022-10-18 - 主分类号： C30B29/40 文献下载
摘要：本发明提供能够降低制造III族氮化物基板时的材料损耗、并且制造高品质的III族氮化物结晶的III族氮化物结晶的制造方法。III族氮化物结晶的制造方法包括：准备种基板的工序；形成种基板的表面粗糙的工序；和供给III族元素氧化物气体和含氮元素气体，使III族氮化物结晶在种基板之上生长的工序。
iii 氮化物结晶制造方法

[发明专利]III族氮化物晶体的制造方法-CN202110740713.1在审
发明人：森勇介;吉村政志;今西正幸;北本启;泷野淳一;隅智亮;冈山芳央 -专利权人：国立大学法人大阪大学;松下电器产业株式会社
申请日： 2021-06-30 - 公布日： 2022-01-04 - 主分类号： C30B29/40 文献下载
摘要：本发明提供一种多晶化被抑制并且生长速度快的III族氮化物晶体的制造方法。III族氮化物晶体的制造方法包括：准备种基板的工序、生成III族元素氧化物气体的工序、供给III族元素氧化物气体的工序、供给含氮元素气体的工序、供给含氮元素氧化性气体的工序、以及使III族氮化物晶体在种基板上生长的工序，含氮元素氧化性气体包含选自NO气体、NO2气体、N2O气体和N2O4气体中的至少一种。
iii 氮化物晶体制造方法

[发明专利]III族氮化物晶体、III族氮化物基板及III族氮化物晶体的制造方法-CN202110645249.8在审
发明人：森勇介;吉村政志;今西正幸;北本启;隅智亮;泷野淳一;冈山芳央 -专利权人：松下电器产业株式会社
申请日： 2021-06-09 - 公布日： 2021-12-17 - 主分类号： C30B29/40 文献下载
摘要：本发明提供III族氮化物晶体、III族氮化物基板及III族氮化物晶体的制造方法。提供具有优异的导电性和低吸光系数的III族氮化物晶体。III族氮化物晶体掺杂有N型掺杂剂和锗元素，N型掺杂剂的浓度为1×1019cm‑3以上，锗元素的浓度为N型掺杂剂的浓度的9倍以上。
iii 氮化物晶体制造方法

[发明专利]III族氮化物晶体、III族氮化物基板及III族氮化物晶体的制造方法-CN202110645250.0在审
发明人：森勇介;吉村政志;今西正幸;北本启;隅智亮;泷野淳一;冈山芳央 -专利权人：松下电器产业株式会社
申请日： 2021-06-09 - 公布日： 2021-12-17 - 主分类号： H01L21/223 文献下载
摘要：本发明提供III族氮化物晶体、III族氮化物基板及III族氮化物晶体的制造方法。提供具有优异的导电性和低吸光系数的III族氮化物晶体。III族氮化物晶体掺杂有N型掺杂剂和氢元素，N型掺杂剂的浓度为1×1020cm‑3以上，氢元素的浓度为1×1019cm‑3以上。
iii 氮化物晶体制造方法

[发明专利]III族氮化物基板-CN202011005460.5在审
发明人：森勇介;吉村政志;今西正幸;北本启;泷野淳一;隅智亮;冈山芳央 -专利权人：松下电器产业株式会社
申请日： 2020-09-22 - 公布日： 2021-04-09 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明提供一种在实现高载流子浓度的同时、位错低且电阻低的III族氮化物基板。III族氮化物基板在经过研磨的面内，具有显示第1杂质浓度的第1区域和显示低于第1杂质浓度的第2杂质浓度的第2区域，第1区域的第1位错密度低于第2区域的第2位错密度。
iii 氮化物

[发明专利]III族氮化物系半导体激光元件-CN202010607118.6在审
发明人：石桥明彦;大野启;泷野淳一;隅智亮 -专利权人：松下知识产权经营株式会社
申请日： 2020-06-29 - 公布日： 2021-01-05 - 主分类号： H01S5/02 文献下载
摘要：本发明的III族氮化物系半导体激光元件具备GaN基板、和设置于GaN基板之上的活性层，GaN基板的氧浓度为5×1019cm‑3以上，GaN基板对活性层的振荡波长的吸收系数大于活性层对振荡波长的吸收系数。
iii 氮化物半导体激光元件

[发明专利]III族氮化物半导体晶体的制造装置-CN202010497317.6在审
发明人：布袋田畅行;松野俊一;泷野淳一 -专利权人：松下电器产业株式会社
申请日： 2020-06-03 - 公布日： 2020-12-08 - 主分类号： H01L21/205 文献下载
摘要：一种III族氮化物半导体晶体的制造装置具备：原料反应室；原料反应部，设置于原料反应室内，并生成含III族元素气体；基板保持构件，保持基板；原料喷嘴，朝向基板喷射含III族元素气体；氮源喷嘴，朝向基板喷射含氮元素气体，从与铅垂方向垂直的方向的侧面观察时，喷射方向在与基板相比的近前方与原料喷嘴的喷射方向交叉，以相交叉的位置为中心在所述中心的周边构成含III族元素气体与含氮元素气体进行混合的混合部；加热单元，用于将原料反应室、原料喷嘴、氮源喷嘴和基板保持构件进行加热；以及旋转机构，用于将基板保持构件进行旋转。
iii 氮化物半导体晶体制造装置

[发明专利]III族氮化物结晶的制造方法-CN202010078270.X在审
发明人：森勇介;吉村政志;今西正幸;北本启;泷野淳一;隅智亮 -专利权人：国立大学法人大阪大学;松下电器产业株式会社
申请日： 2020-02-03 - 公布日： 2020-08-11 - 主分类号： C30B28/14 文献下载
摘要：本发明提供一种抑制多晶化且提高III族氮化物结晶的品质的III族氮化物结晶的制造方法。III族氮化物结晶的制造方法包括：准备种基板的工序；以及以过饱和比(P0/Pe)成为大于1且为5以下的方式，供给III族元素氧化物气体和含氮元素的气体，从而使III族氮化物结晶在种基板上生长的工序，P0为III族氧化物气体的供给分压，Pe为III族氧化物气体的平衡分压。
iii 氮化物结晶制造方法