专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]一种含Gd稀土镁合金及其制备方法-CN202010494092.9在审
  • 袁玉春;马爱斌;江静华;郭庆放;宋丹;孙甲鹏;刘欢 - 河海大学;宿迁市河海大学研究院
  • 2020-06-03 - 2020-12-04 - C22C21/00
  • 本发明公开了一种含Gd稀土镁合金及其制备方法,按照质量分数计,该含Gd稀土镁合金包括以下组分制成:Gd:15.2~16.5%,Zn:1.78~2.3%,余量为Mg;其中,Gd/Zn的原子比为2.99~3.55该含Gd稀土镁合金的制备方法可以通过控制保温温度和时间双级阶梯析出长程有序结构(LPSO)相和β相,具有优异的共格和沉淀析出强化效果,再通过组合等通道转角挤压等大塑性加工方法对试样进行加工,获得高强耐热超细晶稀土镁合金Gd、Zn与Mg,形成低熔点共晶相Mg5(Gd,Zn),有利于提高合金的流动性,提高铸造稳定性,细化晶粒。元素Gd在合金中充分发挥固溶强化作用,极大地提高了镁合金在室温和高温下的综合力学性能,扩大了镁合金的应用领域和用途。
  • 一种gd稀土镁合金及其制备方法
  • [发明专利]低电压控制高频开关以及复合高频部件-CN200780012470.8有效
  • 中川大;中山尚树 - 株式会社村田制作所
  • 2007-03-27 - 2009-04-22 - H04B1/44
  • 在发射/接收选择开关(203)中,第一二极管(GD1)被配置为与发射信号线串联并且第二二极管(GD2)被配置为与接收信号线并联。其中直流电流通过第一二极管(GD1)的第一电流路径与其中直流电流通过第二二极管(GD2)的第二电流路径并联连接。当将预定的正电压施加到控制端子(VcG)时,二极管(GD1,GD2)变为导通状态,并且直流电流依次流经控制端子(VcG)、电阻器(GR)、电感器(GSL1)、二极管(GD1)、带状线(GSL2)和电感器(GL),并且直流电流依次流经控制端子(VcG)、电阻器(GR)、第二二极管(GD2)和电感器(GL)。
  • 电压控制高频开关以及复合部件
  • [发明专利]Gd-Ge-Sb-Te和Gd-Sb-Te相变存储材料-CN201510959334.6在审
  • 韩晓东;陈永金;张斌 - 北京工业大学
  • 2015-12-20 - 2016-03-23 - H01L45/00
  • Gd-Ge-Sb-Te和Gd-Sb-Te相变存储材料属于微电子领域。本发明通过对Ge-Sb-Te或Sb-Te相变材料掺杂Gd元素,提出一种提高Ge-Sb-Te和Sb-Te相变性能的技术和薄膜制备方法,其化学结构式为Gd100-x-y-z(GeGd-Ge-Sb-Te和Gd-Sb-Te相变存储薄膜材料的优点在于通过掺杂非常少的Gd元素即可获得优异的性能,具有更高的热稳定性和晶态电阻,非晶态与晶态之间电阻差异明显,有望获得更好的数据保持能力。
  • gdgesbte相变存储材料

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