Ga In比例渐变的W型锑基半导体激光器属于半导体激光器技术领域。现有InAs/GaInSb W型锑基半导体激光器很难实现室温发光,低温(73K)发光的输出功率也很小。型量子阱具有多周期结构,所述多周期结构中的每个单周期量子阱的结构为由双InAs电子量子阱夹GaInSb空穴量子阱的三明治结构,外层是一对AlSb合金限制层;其特征在于,所述GaInSb空穴量子阱由3~9层Ga1‑xInxSb层构成,x=0.05~0.35,中间的Ga1‑xInxSb层的x的值最大,两边的Ga1‑xInxSb层自中间向两边呈1~4级分布,同级的两个Ga1‑xInxSb层的x的值相同,自中间向两边各级Ga1‑xInxSb层的x的值逐渐减小。