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[发明专利]一种新型三元热用复合材料及其制备方法-CN201310605985.6无效
发明人：张联盟;刘尧;沈强;罗国强;王传彬;张清杰;刘凰 -专利权人：武汉理工大学
申请日： 2013-11-26 - 公布日： 2014-03-12 - 主分类号： C22C26/00 文献下载
摘要：发明是一种新型三元热用复合材料及其制备方法，该材料成分体积比为：15vol%≤Cu≤30vol%，70vol%≤（W+Diamond）≤85vol%，70vol%（W+Diamond）≤W<100vol%（W+Diamond），0vol%（W+Diamond）<Diamond≤30vol%（W+Diamond）；其制备步骤为选取W、Cu、Diamond原料，按配比称重，采用行星球磨混合，然后采用真空热压进行烧结，得到致密的W-Cu-Diamond三元热用复合材料。
一种新型三元复合材料及其制备方法

[发明专利]真空浸渍结合反应熔体浸渗RMI制备C/SiC-Diamond复合材料的方法-CN201910020313.6在审
发明人：刘永胜;李精鑫;赵志峰;张青;王晶;成来飞;张立同 -专利权人：西北工业大学
申请日： 2019-01-09 - 公布日： 2019-05-03 - 主分类号： C04B35/80 文献下载
摘要：本发明涉及一种真空浸渍结合反应熔体浸渗RMI制备C/SiC‑Diamond复合材料的方法，以金刚石作为高热导相，通过真空浸渍的方法将配置好的金刚石浆料引入到已经用CVI法沉积至半致密的C/SiC多孔预制体中，最后用RMI法完成对C/SiC‑Diamond复合材料的致密化工作。该方法可解决C/SiC‑Diamond复合材料制备过程周期长、工艺复杂的问题，而且可以有效提高Diamond与SiC的界面结合强度，从而有效提高复合材料的热导率以及力学性能。
复合材料真空浸渍结合反应熔体浸渗制备复合材料制备致密多孔预制体金刚石浆料金刚石过程周期界面结合力学性能热导率致密化高热沉积引入配置

[发明专利]孔径梯度多孔支架及用于其的极小曲面结构单元-CN202010970393.4有效
发明人：路新;侯辰锦;徐伟;于爱华;何新波;潘宇;张策 -专利权人：北京科技大学广州新材料研究院
申请日： 2020-09-15 - 公布日： 2022-04-22 - 主分类号： A61F2/82 文献下载
摘要：本发明提供了一种孔径梯度多孔支架及用于其的极小曲面结构，该极小曲面结构单元为Gyroid曲面结构单元、Primitive曲面结构单元、Diamond曲面结构单元或I‑WP曲面结构单元，所述Gyroid、Primitive、Diamond和I‑WP曲面结构单元分别由隐函数表达式控制；Gyroid、Primitive、Diamond和I‑WP曲面结构单元的孔径均为200～1000μm、孔隙率均为10～90％，Gyroid、Primitive、Diamond和I‑WP曲面结构单元在x、y、z方向的长度a、b、c均为0.5～2mm。
孔径梯度多孔支架用于极小曲面结构单元

[发明专利]一种双镀层金刚石粉末的制备方法-CN201611195460.X有效
发明人：何新波;潘彦鹏;任淑彬;吴茂;张忍;曲选辉 -专利权人：北京科技大学
申请日： 2016-12-22 - 公布日： 2019-03-01 - 主分类号： C23C18/40 文献下载
摘要：％的双镀层Cu‑WC‑Diamond粉末。该粉末可直接压制成形(Diamond/Cu)复合材料零部件，实现了复杂形状金属基复合材料零部件的近净成形。本发明的优点在于可通过控制镀铜层厚度制备Cu‑WC‑Diamond粉末，而制备的Cu‑WC‑Diamond粉末的镀铜量即为压制该粉末成形后的Diamond/Cu复合材料的含铜量，因此制备的复合材料金刚石分布均匀
制备双镀层复合材料零部件金刚石粉末金刚石复合材料镀铜层粉末冶金技术复杂形状金属金刚石表面表面镀铜镀覆技术粉末成形化学镀覆近净成形体积分数直接压制含铜量润湿性成形镀覆镀铜镀液盐浴压制

[发明专利]一种RMI制备C/SiC-Diamond复合材料的方法-CN202310817808.8在审
发明人：许建锋;吴亚明;郭宏强;江鸿寰;王东英;王晶 -专利权人：西安鑫垚陶瓷复合材料股份有限公司
申请日： 2023-07-05 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： C04B35/80 文献下载
摘要：本发明具体涉及一种RMI制备C/SiC‑Diamond复合材料的方法，解决现有方法制备C/SiC‑Diamond复合材料的周期长、工艺复杂，且制备的C/SiC‑Diamond复合材料热导率以及力学性能较差的问题反应熔体渗透液硅：将压力浸渍完成后的C/SiC‑金刚石+石墨试样用Si粉包裹，再用石墨纸包扎，之后将包裹有Si粉的C/SiC多孔预制体放入渗Si炉中，在真空环境下进行反应熔体渗透液硅，完成C/SiC‑Diamond本发明方法能够有效提高Diamond与SiC的界面结合强度和热导率。
一种 rmi 制备 sic diamond 复合材料方法

[发明专利]高性能Diamond/SiC电子封装材料的制备工艺-CN201110065272.6有效
发明人：何新波;杨振亮;吴茂;刘荣军;任淑彬;曲选辉 -专利权人：北京科技大学
申请日： 2011-03-17 - 公布日： 2011-09-07 - 主分类号： H01L23/29 文献下载
摘要：本发明提供了一种高性能Diamond/SiC电子封装材料的制备工艺，其特征是首先按重量百分比，将10～15%的粘接剂，5～20%的石墨，20～40%的硅粉，30～60%的金刚石颗粒湿混，混合时间16～24h在氩气保护气氛中1100℃烧结24h，随炉冷却后得到具有一定强度和孔隙度的Diamond/Si/C多孔基体。然后将气相渗透的渗料置于石墨坩埚中，将所制备的Diamond/Si/C多孔基体置于该石墨坩埚上，然后整体置于高真空烧结炉中进行真空气相渗透1-2h，渗透温度1500～1650℃，真空度-0.08～-0.01MPa随炉冷却后即可获得致密的Diamond/SiC电子封装材料。本发明是一种周期短、工艺简单、设备要求较低、成本低，并可制备复杂形状致密Diamond/SiC电子封装材料的方法。
性能 diamond sic 电子封装材料制备工艺

[发明专利]一种制备具有高体积分数金刚石/铜复合材料零件的方法-CN201611195464.8有效
发明人：何新波;潘彦鹏;任淑彬;吴茂;郑伟;曲选辉 -专利权人：北京科技大学
申请日： 2016-12-22 - 公布日： 2018-11-27 - 主分类号： B22F5/00 文献下载
摘要：％的双镀层Cu‑Mo₂C‑Diamond粉末。通过超高压冷压方法对Cu‑Mo₂C‑Diamond粉末进行成形，并采用真空无压烧结方法制备Diamond/Cu复合材料零部件。％Diamond/Cu)复合材料零部件，同时，复合材料组织均匀、致密度高，可实现批量生产Diamond/Cu复合材料零件，生产成本低。
一种制备具有体积分数金刚石复合材料零件方法

[发明专利]一种制备具有高体积分数金刚石/铝复合材料的方法-CN201710450684.9在审
发明人：何新波;潘彦鹏 -专利权人：北京科技大学广州新材料研究院
申请日： 2017-06-15 - 公布日： 2017-11-03 - 主分类号： C22C26/00 文献下载
摘要：采用粉末冶金模压技术制备出金刚石预成形坯，将成形剂脱除并进行预烧结制备出具有一定孔隙度的金刚石骨架，然后通过在Al‑Si合金中添加Al‑10Sr变质剂，最后将变质后的Al‑Si合金熔液渗入到金刚石骨架的孔隙中，从而制备出高体积分数的Diamond本发明的优点在于能够制备出组织均匀、致密度高的高体积分数Diamond/Al复合材料，制备的Diamond/Al复合材料不易潮解，产品寿命提高，使得高体积分数Diamond/Al复合材料的使用更加稳定高效
一种制备具有体积分数金刚石复合材料方法

[发明专利]一种基于diamond曲面的铜/氧化铝复合材料的制备方法-CN201811320178.9在审
发明人：叶喜葱;林咸参;熊金艳;王童;徐张洋 -专利权人：三峡大学
申请日： 2018-11-07 - 公布日： 2019-03-26 - 主分类号： C04B35/117 文献下载
摘要：本发明公开一种基于Diamond曲面的Cu/Al₂O₃复合材料及其制备方法，是一种金属相Cu和陶瓷相Al₂O₃以Diamond所述制备方法主要包括设计并3D打印Diamond曲面的结构；多孔Al₂O₃陶瓷预制体的制备；金属Cu的浸渗。同时Diamond曲面作为一种三周期极小曲面，能有效避免应力集中，增加复合材料的力学能力。同时直接通过设计调整Diamond曲面结构的打印参数，得到复合材料的Cu和Al₂O₃的含量和结构的控制，进而性能优化。
复合材料制备金属相陶瓷相三维空间导热性氧化铝复合材料化学稳定性耐磨性打印参数曲面结构网络结构性能优化应力集中高硬度小曲面预制体导电浸渗力学缠绕打印陶瓷金属

[发明专利]一种制备Diamond/SiC复合材料的方法-CN202110791110.4有效
发明人：黄国钦;邢波;徐西鹏 -专利权人：华侨大学
申请日： 2021-07-13 - 公布日： 2022-09-30 - 主分类号： C04B35/52 文献下载
摘要：本发明公开了一种制备Diamond/SiC复合材料的方法，包括如下步骤：1)制备金刚石预制体：将金刚石、石墨、硅粉、粘结剂按质量比混合均匀并压制生坯，将生坯在1000‑1200℃保护气氛下碳化得金刚石预制体；2)制备Diamond/SiC复合材料：将金刚石预制体置于氮化硅粉末上，于1500‑1700℃真空炉中充分反应1‑2h即得Diamond/SiC复合材料。
一种制备 diamond sic 复合材料方法

[外观设计]餐具（Diamond）-CN202130385228.8有效
发明人：刘威 -专利权人：福州悦腾家庭用品有限公司
申请日： 2021-06-22 - 公布日： 2021-10-15 - 主分类号： 07-01 文献下载
摘要：1.本外观设计产品的名称：餐具（Diamond）。2.本外观设计产品的用途：用于餐具。3.本外观设计产品的设计要点：在于形状与图案的结合。4.最能表明设计要点的图片或照片：套件1立体图。
餐具 diamond

[发明专利]可提高Q值的空腔薄膜体声波谐振器及其制备方法-CN201811271504.1有效
发明人：谢英;刘胜;蔡耀;邹杨;周杰;刘婕妤;孙成亮 -专利权人：武汉大学
申请日： 2018-10-29 - 公布日： 2020-12-01 - 主分类号： H03H3/02 文献下载
摘要：本发明提供的可提高Q值的空腔薄膜体声波谐振器，其特征在于，包括：衬底，中部具有向上开口的凹槽；SiC/Diamond薄膜层，形成在衬底上，中部设有与凹槽对应的贯穿口；以及压电震荡堆部，形成在SiC/Diamond本发明利用SiC/Diamond薄膜层声波传播速率快、硬度高的特点，可以很好的抑制压电薄膜中产生的横向振动模式的声波，并且可以减小软质衬底引入的机械阻尼，减少声波能量损耗，降低薄膜体声波谐振器的插入损耗
提高空腔薄膜声波谐振器及其制备方法

[发明专利]含有晶格结构的轻量化汽车吸能盒-CN202111512834.7在审
发明人：成莹;邓方行;聂祥樊;杨大祥;王强;李玉福;张鑫;杨文元;蔺诗韵 -专利权人：重庆交通大学绿色航空技术研究院;中国人民解放军空军工程大学
申请日： 2021-12-10 - 公布日： 2022-03-25 - 主分类号： B60R19/34 文献下载
摘要：本发明公开了一种含有晶格结构的轻量化汽车吸能盒，包括壳体和填充于壳体内的由重复的晶胞单元构成的Diamond隐式曲面晶格结构，所述晶胞单元为Diamond隐式曲面单元并呈空间笛卡尔直角坐标系阵列排布；利用晶格结构轻量化
含有晶格结构量化汽车吸能盒

[发明专利]使用GATA1基因疗法用于治疗DBA的组合物和方法-CN202080056795.1在审
发明人：维杰·G·桑卡兰;理查德·A·沃伊特;莱夫·S·路德维希 -专利权人：儿童医疗中心有限公司
申请日： 2020-06-08 - 公布日： 2022-03-18 - 主分类号： C12N15/52 文献下载
摘要：本文描述的是与用于治疗Diamond‑Blackfan贫血的GATA‑1基因疗法相关的方法和组合物。
使用 gata1 基因疗法用于治疗 dba 组合方法

[发明专利]一种大粒径Diamond/SiC复合材料的制备方法-CN201510863881.4在审
发明人：刘永胜;赵志峰;张青;成来飞 -专利权人：西北工业大学
申请日： 2015-11-30 - 公布日： 2016-02-24 - 主分类号： C04B35/565 文献下载
摘要：本发明涉及一种大粒径Diamond/SiC复合材料的制备方法，采用一次成型大粒径金刚石预制体与CVI工艺结合的方法，制得Diamond/SiC复合材料。
一种粒径 diamond sic 复合材料制备方法

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