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[发明专利]用于高纯氟化锂制备的氢氟酸纯化及配制方法-CN201810414118.7在审
发明人：张庆 -专利权人：繁昌县凯艺电子商务有限公司
申请日： 2018-05-03 - 公布日： 2018-07-24 - 主分类号： C01B7/19 文献下载
摘要：本发明涉及用于高纯氟化锂制备的氢氟酸纯化及配制方法，通过工业无水氢氟酸直接通过0.5μm过滤后进入低、高沸精馏塔得到的HF气体冷却得到高纯的无水氢氟酸，然后在吸收塔中用超纯水吸收稀释为50%电子级的氢氟酸，随后经0.1μm过滤进入氟化锂反应槽，与高纯碳酸锂反应，制得用于锂电的氟化锂，该技术流程简单，操作方便，降低投资及运行成本。
氟化锂氢氟酸高纯无水氢氟酸制备配制过滤吸收塔高纯碳酸锂技术流程气体冷却运行成本超纯水电子级反应槽精馏塔稀释锂电吸收投资

[发明专利]一种高纯铝低倍组织检测的侵蚀液及其方法-CN202010698400.X在审
发明人：徐常礼;何国重;尹华成;张志奎;冯伟;赵强国;苏凯文;贺伟;佐坤;程正雷 -专利权人：新疆众和股份有限公司
申请日： 2020-07-20 - 公布日： 2020-12-01 - 主分类号： G01N1/32 文献下载
摘要：本发明为一种高纯铝低倍组织检测的侵蚀液及其方法。一种高纯铝低倍组织检测的侵蚀液，所述的侵蚀液包括氢氟酸溶液和水；其中，所述的氢氟酸溶液和水的体积比为2‑25：3‑25；所述的氢氟酸溶液的质量分数为40％。本发明还公开了一种高纯铝低倍组织检测的方法。本发明的技术方案使用单一氢氟酸浸蚀液，配比容易，操作简单，且可以在15‑20min内清晰显现高纯铝低倍组织，腐蚀效果好，腐蚀效率高。
一种高纯铝低倍组织检测侵蚀及其方法

[发明专利]一种高纯氟化氢的制备方法及高纯氢氟酸的制备方法-CN201510342500.8有效
发明人：刘海霞;李霞;侯红军;杨华春;薛旭金;程立静;于贺华;黄小杰;吴海峰;侯利芳 -专利权人：多氟多化工股份有限公司
申请日： 2015-06-18 - 公布日： 2017-03-29 - 主分类号： C01B7/19 文献下载
摘要：本发明公开了一种高纯氟化氢的制备方法及高纯氢氟酸的制备方法，所述高纯氟化氢的制备方法包括以下步骤1)在隔绝空气、1～17℃、0.1～0.2MPa的条件下，将钡化合物和/或钙化合物加入到液态氟化氢原料中进行反应，得到混合物；2)将氟氮混合气通入步骤1)所得混合物中进行氧化反应，得到粗氟化氢；3)粗氟化氢进行负压粗馏，得到混合气体；4)混合气体进行负压精馏，即得高纯氟化氢。高纯氟化氢经过调配，得到高纯氢氟酸。本发明利用氟化氢与工业氢氟酸原料中杂质的沸点不同，以及氟化氢与工业氢氟酸原料中杂质转化后在酸中的溶解度不同去除各种杂质，尤其是阴离子杂质和氟硅酸组分，得到高纯氟化氢，进而得到高纯氢氟酸。
一种高纯氟化氢制备方法氢氟酸

[发明专利]一种高纯多晶硅硅块腐蚀清洗的方法-CN201010300736.2无效
发明人：吴学林;卢小丹 -专利权人：宜昌南玻硅材料有限公司
申请日： 2010-01-26 - 公布日： 2010-07-14 - 主分类号： C30B33/10 文献下载
摘要：本发明公开了一种高纯多晶硅硅块腐蚀清洗的方法，涉及多晶硅生产领域中的高纯多晶硅硅块清洗的方法，在混酸腐蚀和纯水(EW-I)漂洗工序后设置氢氟酸溶液腐蚀工序；氢氟酸溶液为电子级氢氟酸和纯水(EW-I)按1∶2～5(重量份)的配比稀释而成，腐蚀浸泡时间根据硅块表面的氧化层厚薄及氢氟酸的溶液浓度的决定；超声清洗之后再用热氮气切水、真空烘干从而得到满足直拉单晶要求的高纯免洗多晶硅硅块。通过增加氢氟酸溶液腐蚀工序，去除硅块经过混酸腐蚀的多晶硅硅块再次接触空气后产生的表面氧化层，从而得到表面金属光泽度好、表面质量更优的免洗高纯多晶硅料。
一种高纯多晶硅硅块腐蚀清洗方法

[发明专利]电子级高纯氢氟酸的制备方法-CN200910039518.5无效
发明人：肖定军;陈旭波;谭泽;余军文 -专利权人：广东光华化学厂有限公司;广州市金华大化学试剂有限公司
申请日： 2009-05-15 - 公布日： 2009-12-09 - 主分类号： C01B7/19 文献下载
摘要：本发明公开了一种电子级高纯氢氟酸的制备方法。该制备方法，包括以下步骤：(1)液体无水氯化氢的预处理；(2)液体无水氯化氢的精馏；(3)氢氟酸半成品的制备；(4)氢氟酸半成品的预处理；(5)氢氟酸半成品中金属离子的去除；(6)电子级高纯氢氟酸的获得本发明生产工艺技术避免了无水氟化氢吸收氢氟酸再精馏的繁琐工序，直接用无水氟化氢液体进行精馏纯化；能有效的去除三氟化砷、SO₂、SO₃、H₂SiF₆等无机物种杂质；能深度去除各种金属杂质和固体颗粒物，将工业级的氢氟酸纯化精制得到超净高纯氢氟酸试剂使产品达到超净电子级氢氟酸质量符合SIME-C8标准，适用于超精密集成电路生产
电子高纯氢氟酸制备方法

[发明专利]一种以工业级碳酸锂为原料生产高纯氟化锂的新方法-CN202010938222.3在审
发明人：唐刚昌;钟元兴 -专利权人：江西云锂材料股份有限公司
申请日： 2020-09-09 - 公布日： 2020-11-27 - 主分类号： C01D15/04 文献下载
摘要：本发明涉及一种以工业级碳酸锂为原料生产高纯氟化锂的新方法，本发明以工业级碳酸锂为原料，经碳酸氢化，离子交换除杂，得到高纯碳酸氢锂溶液。往溶液中加入氢氟酸，直接沉淀氟化锂，经过滤、洗涤、烘干，得到高纯氟化锂。与传统的裂解得到高纯碳酸锂再与氢氟酸反应得到高纯氟化锂相比，极大地提高了产品的直收率和降低了生产成本，值得推广。
一种工业碳酸锂原料生产高纯氟化新方法

[发明专利]一种电子级氢氟酸的制备方法-CN201911038160.4在审
发明人：董俊卿;川泽吉雄;长田利哲;叶芸 -专利权人：浙江森田新材料有限公司
申请日： 2019-10-29 - 公布日： 2019-12-20 - 主分类号： C01B7/19 文献下载
摘要：本发明公开了一种电子级氢氟酸的制备方法，包括以下制备步骤：(1)高纯氟化氢气体的制备；(2)高纯水的制备；(3)将步骤(1)制得的高纯氟化氢气体和步骤(2)制得的高纯水一起进入吸收塔中，在吸收塔中氟化氢气体与高纯水充分接触吸收，制成高纯氢氟酸粗品，粗品经超净过滤得电子级氢氟酸。本发明的制备方法，工艺简单，通过强氧化剂的作用，可以有效除去氟化氢原料中的杂质砷，从而提高氢氟酸的浓度和产量，强氧化剂可以单独使用蒸馏提纯，也可以选择多种强氧化剂依次进行蒸馏提纯，提高氟化氢的纯净度；高纯水的使用，可提高氢氟酸的质量。
制备高纯水氟化氢气体强氧化剂吸收塔电子级氢氟酸蒸馏提纯氟化氢氢氟酸粗品高纯纯净度高纯氢氟酸充分接触单独使用过滤吸收

[发明专利]一种生产电子级氢氟酸的方法-CN200810049661.8有效
发明人：皇甫根利;侯红军;刘海霞;张良;刘晓霞 -专利权人：多氟多化工股份有限公司
申请日： 2008-04-28 - 公布日： 2009-11-04 - 主分类号： C01B7/19 文献下载
摘要：本发明涉及一种生产电子级氢氟酸的方法，具体包括以下步骤：(1)经计量的无水氢氟酸原料经预热后，进行粗馏，去除低沸点物质；(2)将经粗馏后，从冷凝器出口排出的氢氟酸用超纯水进行吸收，吸收为48～49％的有水氢氟酸溶液；(3)将吸收好的氢氟酸半成品经氟塑脂亚沸蒸馏器蒸馏，氟化氢液体气化生成超纯的电子级氢氟酸气体，冷凝后为48～49％的有水氢氟酸溶液，高沸点物质与重金属留在亚沸蒸馏器底部；(4)从氟塑脂亚沸蒸馏器出来的氢氟酸半成品经二级过滤最后经自动灌装制成48％的超高纯氢氟酸成品。本发明的方法充分利用了无水氢氟酸与无水氢氟酸中各杂质的沸点不同，在不同温度下，除去不同的杂质，尤其是硅，使得到的超高纯氢氟酸杂质含量降到最低。
一种生产电子氢氟酸方法

[发明专利]一种硅铝合金中微量元素含量的测定方法-CN202010294312.3在审
发明人：刘洋;王莉;王斌斌;朱启茂;王伟;王玉明;项晓梅 -专利权人：首钢京唐钢铁联合有限责任公司
申请日： 2020-04-15 - 公布日： 2020-07-10 - 主分类号： G01N21/73 文献下载
摘要：本发明公开了一种硅铝合金中微量元素含量的测定方法，包括：将高纯铝与氢氟酸、硝酸进行消解反应，得到高纯铝溶液；所述高纯铝、氢氟酸和硝酸的质量体积比为0.25g：3～6mL：3～6mL；将所得高纯铝溶液分别添加至不同浓度的微量元素标准溶液中，定容后得到微量元素标准工作溶液；检测所得微量元素标准工作溶液的谱线强度，绘制微量元素标准工作曲线；将待测铝硅合金与氢氟酸、硝酸进行消解反应，得到待测铝硅合金溶液；所述待测铝硅合金、氢氟酸和硝酸的质量体积比为
一种铝合金微量元素含量测定方法

[发明专利]一种高纯钛蒸发料的表面清洁方法-CN202310951402.9在审
发明人：姚力军;潘杰;边逸军;王学泽;慕二龙 -专利权人：宁波江丰电子材料股份有限公司
申请日： 2023-07-31 - 公布日： 2023-09-29 - 主分类号： B08B3/12 文献下载
摘要：本发明提供一种高纯钛蒸发料的表面清洁方法，所述清洁方法包括对所述钛蒸发料依次进行第一超声清洗、第二超声清洗、酸洗、水洗以及研磨水洗，所述酸洗中使用的酸洗液为硝酸和氢氟酸的混合溶液，所述硝酸和氢氟酸的质量比为所述清洁方法可以有效去除高纯钛蒸发料表面的油污以及表面氧化物，有效提高高纯钛蒸发料表面的清洁度，有效提高了高纯钛蒸发料的性能。
一种高纯蒸发表面清洁方法

[发明专利]一种提高类单晶晶体质量的方法-CN201210141806.3无效
发明人：张驰;熊震;付少永 -专利权人：常州天合光能有限公司
申请日： 2012-05-08 - 公布日： 2012-10-03 - 主分类号： C30B28/06 文献下载
摘要：本发明涉及一种提高类单晶晶体质量的方法，具有以下步骤：（1）硅片清洗，（2）硅片漂洗，（3）硅片表面处理：在硅片表面形成氮化硅钝化膜，氮化硅钝化膜厚度>70nm，形成钝化硅片；（4）高纯石英板表面处理：高纯石英板的纯度>4N，将高纯石英板置于氢氟酸、氟化铵、去离子水配置的溶液中浸泡，溶液配比：V氢氟酸：V氟化铵：V去离子水=1：7：5，浸泡时间>3min（5）高纯石英板清洗，（6）高纯石英板喷涂，（7本发明使得类单晶晶锭少子寿命得到明显提高，晶锭绝对收益提高4%，同时经过表面处理的高纯石英板可以多次利用，降低生产成本。
一种提高类单晶晶体质量方法

[发明专利]废旧太阳能电池片中高纯硅的回收方法-CN201510925076.X有效
发明人：万鑫;王辉 -专利权人：天合光能股份有限公司
申请日： 2015-12-14 - 公布日： 2018-12-18 - 主分类号： B09B3/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种废旧太阳能电池片中高纯硅的回收方法，包括步骤：将废旧太阳能电池片依次经过盐酸去除铝、硝酸去除银、氢氧化钠去除铝硅合金层、氢氟酸去除氮化硅减反射层、氢氧化钠去除磷扩散层以及盐酸、氢氟酸或者由氢氟酸与硝酸组成的混酸中的一种去除表面金属杂质，得到高纯硅。该方法能够去除废旧太阳能电池片中除高纯硅层外的其他部分，最终可获得纯度达99.9999%的硅，可直接作为电池片制造工艺中的硅料来源。
去除太阳能电池高纯硅氢氟酸氢氧化钠太阳能电池片铝硅合金层表面金属高纯硅层减反射层磷扩散层硝酸去除盐酸去除制造工艺回收硝酸氮化硅电池片硅料混酸盐酸

[发明专利]一种电子级氢氟酸的生产装置及生产方法-CN202010896720.6有效
发明人：李群生 -专利权人：北京化工大学
申请日： 2020-08-31 - 公布日： 2022-08-02 - 主分类号： C01B7/19 文献下载
摘要：本发明公开了一种电子级氢氟酸的生产装置及生产方法，将原料工业无水氟化氢先通过蒸发器气化后再输送到纯化塔，经过精馏得到高纯氟化氢气体；再输送到吸收塔，用一定浓度的氢氟酸液相吸收，得到电子级氢氟酸粗品；最后经超纯过滤得到电子级氢氟酸成品
一种电子氢氟酸生产装置方法

[发明专利]一种高纯石英的制备方法-CN202110269481.6在审
发明人：李育彪;柯春云;裴振宇;马强;雷绍民 -专利权人：武汉理工大学
申请日： 2021-03-12 - 公布日： 2021-06-08 - 主分类号： C01B33/12 文献下载
摘要：本发明涉及一种高纯石英的制备方法，包括将天然石英颗粒放入碱液中浸出；将碱浸后的石英放入酸液中浸出，浸出后经过水洗、过滤、干燥，即制得高纯石英。本发明提供的一种高纯石英的制备方法，利用氢氧化钠作为浸出剂，通过其能溶解二氧化硅来处理石英中的杂质，处理效果接近氢氟酸浸出法，不仅避免了氢氟酸带来的环境与安全问题，还降低了提纯药剂与运行维护成本。
一种高纯石英制备方法

[发明专利]一种从钨冶炼渣中提取钽、铌并联产氟硅酸钾的方法-CN201110240762.5无效
发明人：王晓辉;向仕彪;郑诗礼;张懿;惠贺龙 -专利权人：中国科学院过程工程研究所
申请日： 2011-08-22 - 公布日： 2013-03-06 - 主分类号： C22B7/04 文献下载
摘要：采用浓酸除杂-氢氟酸浸出-蒸发浓缩工艺，铌钽回收率均可达到85％以上。氢氟酸浸出液经蒸发冷凝得到高纯氟硅酸溶液，加入饱和KCl溶液制得高纯氟硅酸钾副产品。本方法与现有的工艺相比，能耗低、工业可操作性强，同时高纯副产进一步提高了工艺的经济性。
一种冶炼提取联产硅酸方法

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