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[发明专利]一种钼气相沉积成型一体化装置和方法-CN202210241275.9有效
发明人：孙院军;曾毅;郑泽华;丁向东;孙军 -专利权人：西安交通大学
申请日： 2022-03-11 - 公布日： 2023-01-03 - 主分类号： C23C16/44 文献下载
摘要：本发明公开了一种钼气相沉积成型一体化装置和方法，成型装置包括钼源气化升华区、反应还原区、强化沉积区和在线固结成型区；以气态三氧化钼为原料，以均匀气相还原为基础，以电场强化定向沉积为核心，实现产品定型和高效沉积和在线固结成型本发明以物理升华法制备高纯MoO3含钼气源，突破传统钼气相沉积法以氟化钼和羰基钼在原料制备过程中的毒性与沉积过程的污染；以均匀气相还原实现钼粒子尺度的精确控制；提供电场的定向作用实现钼粒子高效定向沉积，显著提升沉积效率；本发明克服传统钼气相沉积原料毒性、过程气体污染、效率低、成本高的缺点，实现钼金属材料短流程、高效、连续和绿色化制造，对钼金属材料成型技术的发展具有颠覆性影响
一种钼气相沉积成型一体化装置方法

[发明专利]一种稳定的高纯1T相二硫化钼电极的制备方法-CN202210199071.3在审
发明人：王家德;王忠远;周青青;袁华栋 -专利权人：浙江工业大学
申请日： 2022-03-02 - 公布日： 2022-06-14 - 主分类号： C25B11/061 文献下载
摘要：本发明公开了一种稳定的高纯1T相二硫化钼电极的制备方法。该制备方法包括如下步骤：一、将硫源和表面附着有氧化钼或氧化钼前驱体的电极基体分别置于等离子体气相沉积设备内的不同位置。二、通过等离子体气相沉积设备将氧化钼还原为MoO3‑X。硫源被气化为硫蒸气，与MoO3‑X反应生成硫化钼；同时，向等离子体气相沉积设备中通入气相的碳源，使得碳元素掺杂到硫化钼中，得到二硫化钼电极。本发明通过PCVD的方式在电极基体上原位生成硫化钼层并掺杂碳元素，快捷地获得了表面以1T相二硫化钼为主的电极，制备过程中不需要分别控制碳源、硫源、三氧化钼源材料的温度，简化了制备工艺。
一种稳定高纯二硫化钼电极制备方法

[发明专利]钼精矿氧压氨浸重大危险源的确定、消除方法及消除装置-CN202210731296.9有效
发明人：白宏斌;董国峰;符丹;李德胜 -专利权人：安徽华西稀有金属材料有限公司
申请日： 2022-06-24 - 公布日： 2023-04-18 - 主分类号： C22B34/34 文献下载
摘要：本发明提供钼精矿氧压氨浸重大危险源的确定、消除方法及消除装置，涉及钼精矿钼铼提取冶炼技术领域。所述钼精矿氧压氨浸重大危险源为粘附在反应釜釜壁上和搅拌轴上以及气相空中的钼精矿，其消除方法为消泡和喷淋，所述消除装置为设置消泡机构和阻断喷淋装置。本发明克服了现有技术的不足，有效消除反应釜气相中粘附在反应釜釜壁上和搅拌轴上，气相空中，与氧气、水蒸气、氨气混合，漂浮在气相空中的钼精矿，提升钼精矿氧压氨浸的安全性。
精矿氧压氨浸重大危险源确定消除方法装置

[发明专利]大尺寸钼溅射靶材及采用化学气相沉积法的制备工艺-CN202111621882.X在审
发明人：徐从康;马赛;贺涛;陈箫箫 -专利权人：亚芯半导体材料（江苏）有限公司;亚芯电子科技（常州）有限公司
申请日： 2021-12-28 - 公布日： 2022-04-12 - 主分类号： C23C14/34 文献下载
摘要：本发明属于钼溅射靶材技术领域，具体涉及一种大尺寸钼溅射靶材及采用化学气相沉积法的制备工艺。所述大尺寸钼溅射靶材的制备方法，包括以下步骤：将钼与三氟化氮在高温条件下反应，制备出粗品六氟化钼；对所述粗品六氟化钼经真空蒸馏法和吸附法提纯后，得到高纯度六氟化钼；采用化学气相沉积法，用还原气体将高纯度六氟化钼还原成金属钼；将金属钼沉积到基体材料上，一步法生产出大尺寸钼溅射靶材。本发明制作的超高纯钼溅射靶材以高纯三氟化氮、高纯钼粉和还原气体(氢气)为原料，在化学气相沉积设备中一步完成，反应过程为连续气相反应，产品各向一致性和批次间一致性远优于传统钼靶材。
尺寸溅射采用化学沉积制备工艺

[发明专利]一种单层二硫化钼的制备方法-CN201611027687.3在审
发明人：何大伟;董艳芳;何家琪;赵思淇;王永生 -专利权人：北京交通大学
申请日： 2016-11-17 - 公布日： 2017-06-13 - 主分类号： C23C16/453 文献下载
摘要：目前制备单层二硫化钼的方法包括微机械剥离法、液相超声剥离法、锂离子插层法、激光法和退火逐层变薄法、化学气相沉积法。化学气相沉积法制备的二硫化钼尺寸大、表面均匀且层数可控。采用化学气相沉积法制备二硫化钼时，二硫化钼容易在衬底上的杂质或划痕等缺陷处成核生长。如果衬底清洗不干净，二硫化钼就极易长成多层或体材料，彻底清洗衬底,会用到丙酮、食人鱼溶液等有毒危险药品，这些药品对人体有毒害作用，因而操作过程中具有潜在的危险。基于上述问题，本发明的目的在于提供一种制备单层二硫化钼的简化的化学气相沉积法，能够制备出高质量的单层二硫化钼，同时不需要使用丙酮、食人鱼溶液等有毒危险药品清洗衬底，避免了潜在的危险。
一种单层二硫化钼制备方法

[发明专利]一种二硫化钼薄膜的制备方法-CN201710600863.6有效
发明人：赵士超;翁嘉鑫;吕燕飞;金圣忠 -专利权人：杭州电子科技大学
申请日： 2017-07-21 - 公布日： 2019-11-12 - 主分类号： C23C16/30 文献下载
摘要：本发明涉及一种二硫化钼薄膜材料的制备方法。目前二硫化钼薄膜可通过化学气相沉积法生长，这种方法制备的二硫化钼薄膜往往存在重复性差、结晶质量低的问题，从而影响了二硫化钼薄膜性能研究和应用。本方法采用在化学气相沉积法中引入矿化剂，促进了硫化钼薄膜的生长。以固态硫化钼粉末为源，水蒸气作为矿化剂，低压高温下在基底上获得二硫化钼薄膜。该方法制备二硫化钼薄膜具有薄膜厚度可控、晶形完整和制备重复性高的优点，对于化学气相沉积法制备二硫化钼以及二维过渡金属硫族化合物等二维材料的制备是有益的。
二硫化钼薄膜制备化学气相沉积矿化剂硫化钼薄膜过渡金属硫族化合物水蒸气低压高温二硫化钼二维材料厚度可控性能研究生长二维基底晶形引入应用

[发明专利]钼精矿氧压氨浸连续加氨pH值检测方法及其检测装置-CN202310379838.5在审
发明人：白宏斌;董国峰;符丹;李德胜 -专利权人：安徽华西稀有金属材料有限公司
申请日： 2023-04-11 - 公布日： 2023-07-04 - 主分类号： G01N33/00 文献下载
摘要：本发明提供钼精矿氧压氨浸连续加氨pH值检测方法及其检测装置，涉及钼精矿氧压氨浸技术领域。所述pH值检测包括连续在线检测气相和液相的pH值，通过在反应釜上添加气相pH检测系统和液相pH检测系统来完成，实现连续加氨的钼精矿氧压氨浸设备的pH精确详细监测。本发明克服了现有技术的不足，即对液相及气相pH进行实时监控，通过换算控制气相中氨气浓度的变化，为连续加氨钼精矿提取生产的过程中提供精准的数据变动，可根据该数据进行工艺调整，提升连续生产的安全性和稳定性。
精矿氧压氨浸连续 ph 检测方法及其装置

[发明专利]一种二硫化钼纳米薄片的制备方法-CN201810417992.6在审
发明人：江峰;闫鹏飞 -专利权人：张家港钛光新材料科技有限公司
申请日： 2018-05-04 - 公布日： 2019-09-17 - 主分类号： C01G39/06 文献下载
摘要：本申请公开了一种二硫化钼纳米薄片的制备方法，其特征在于，采用化学气相沉积法；其中，化学气相沉积法中采用高低双温区加热方法；所述化学气相沉积法的原料包括钼源和硫源；所述钼源的位置位于所述硫源的下风向，衬底的位置位于所述钼源的下风向该方法既可以在平面衬底上生长水平二硫化钼薄片，又可以在带有纳米柱的衬底上生长垂直二硫化钼薄片，材料直接在衬底上生长，不需加压，耗时短，成本低，工艺简便，可以大规模密集生长，可重复性强。
衬底二硫化钼化学气相沉积钼源生长纳米薄片纳米柱下风向硫源制备可重复性双温区加热加压耗时垂直申请

[发明专利]钼基合金表面抗氧化涂层及其制备方法-CN201610452493.1在审
发明人：范佳晨 -专利权人：张家港市思杰五金工具有限公司
申请日： 2016-06-21 - 公布日： 2017-12-29 - 主分类号： C23C12/00 文献下载
摘要：本申请公开了一种钼基合金表面抗氧化涂层及其制备方法，该方法包括采用原位化学气相沉积法在钼基合金表面形成硼化钼层，然后进一步采用原位化学气相沉积法在硼化钼层上形成二硅化钼层。
合金表面氧化涂层及其制备方法

[发明专利]一种纳米碳化二钼材料及其制备方法和应用-CN202210418158.5有效
发明人：张旭明;强曼婷;霍开富;皮源成;宋豪;皮超然;高标 -专利权人：武汉科技大学
申请日： 2022-04-20 - 公布日： 2023-08-22 - 主分类号： C01B32/949 文献下载
摘要：本发明公开了一种纳米碳化二钼材料的制备方法，首先将MoO3粉与无机盐混合均匀，得Mo源前驱体；然后将其置于反应装置的低温区，固相碳源置于反应装置的高温区；通入载气，对反应装置进行加热，保温反应；冷却，取出高温区处所得产物，即得所述纳米碳化二钼材料。本发明利用MoO3和无机盐生成的气相钼源中间体与固相碳模板反应，可有效加快生成碳化二钼材料的速率，显著缩短反应时间，同时可有效避免使用气相碳源引起的碳化二钼材料表面“积碳”等问题，实现对碳化二钼基材料形貌的可控调节，可为高性能碳化二钼基材料的制备提供一条新思路；且涉及的制备方法简单、反应条件较温和，所用原料简单易得，副产物少，适合推广应用。
一种纳米碳化材料及其制备方法应用

[发明专利]使用MoOC14-CN201780054079.8有效
发明人： T·H·鲍姆;P·S·H·陈;R·赖特;B·亨德里克斯;孟双;R·阿西翁 -专利权人：恩特格里斯公司
申请日： 2017-07-13 - 公布日： 2021-11-30 - 主分类号： C23C16/04 文献下载
摘要：本发明描述一种在衬底上形成含钼材料的方法，其中在气相沉积条件下将所述衬底与四氯氧化钼(MoOCl4)蒸气接触以在所述衬底上沉积所述含钼材料。在各种实施方案中，可采用所述衬底的二硼烷接触以建立用于(例如)通过例如脉冲化学气相沉积CVD的CVD技术的钼的后续块状沉积的有利成核条件。
使用 mooc1 base sub

[发明专利]大面积制备金属相与半导体相接触的二维碲化钼面内异质结的方法及应用-CN201811558523.2有效
发明人：徐晓龙;叶堉;戴伦 -专利权人：北京大学
申请日： 2018-12-19 - 公布日： 2020-07-28 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种大面积制备金属相与半导体相接触的二维碲化钼面内异质结的方法及应用。该方法是先在衬底上生长二维钼薄膜，通过化学气相沉积法使之转变为半导体相碲化钼薄膜，再通过光刻和刻蚀图形化半导体相碲化钼薄膜，然后生长钼薄膜，剥离得到金属钼和半导体相碲化钼相间的薄膜，进一步通过化学气相沉积法使金属钼薄膜转变为金属相碲化钼薄膜，从而得到金属相与半导体相接触的二维碲化钼面内异质结。通过该方法制备的金属相与半导体相接触的二维碲化钼面内异质结场效应晶体管阵列具有低的接触电阻，提高了载流子的注入效率，提高了器件的电学性能。
大面积制备金属相与半导体相接二维碲化钼面内异质结方法应用

[发明专利]一种二碲化钼纳米线材料的制备及二碲化钼纳米线材料-CN201811292957.2有效
发明人：许曼章;张志勇;刘政;赵武;闫军锋;贠江妮;翟春雪;郭昱希;李强;王学文;郑璐 -专利权人：西北大学
申请日： 2018-11-01 - 公布日： 2021-06-29 - 主分类号： C01B19/04 文献下载
摘要：本发明公开了一种二碲化钼纳米线材料的制备及二碲化钼纳米线材料，二氧化硅/硅片为衬底，钼粉和碲粉为原料，在所述衬底的二氧化硅面采用化学气相沉积法进行二碲化钼纳米线的生长；所述二碲化钼纳米线的生长容器为石英管，石英管内通入氩气和氢气的混合气体；在所述的石英管内还设置石英试管，石英试管的封口端与混合气体流动方向相对，石英试管用于放置进行化学气相沉积的衬底；氩气的流量为100sccm；氢气的流量为5～30sccm；化学气相沉积的反应温度为600～800℃。工艺简单，成本低廉，二碲化钼纳米线质量高。
一种二碲化钼纳米线材制备

[发明专利]一种在氟金云母衬底上化学气相沉积生长钼钨硒合金的方法-CN201810885285.X有效
发明人：吴幸;梁芳;骆晨 -专利权人：华东师范大学
申请日： 2018-08-06 - 公布日： 2020-08-25 - 主分类号： C23C16/30 文献下载
摘要：本发明公开了一种在氟金云母衬底上化学气相沉积生长钼钨硒合金的方法，其特点是采用氟金云母衬底，以三氧化钼粉末与三氧化钨粉末混合物及硒粉为前驱体，利用化学气相沉积生长得到钼钨硒合金，其沉积生长包括：衬底清洗、前驱体的设置和气相沉积生长钼钨硒合金步骤。本发明与现有技术相比具有制备方法简单，结晶率高，可控性强等特点，得到的钼钨硒合金可应用于带隙调节工程、析氢反应，有望于提高器件开关比，提高太阳能电池的性能。
一种云母衬底化学沉积生长钼钨硒合金方法

[发明专利]不饱和醛和不饱和羧酸的制备方法-CN94107759.4无效
发明人：长冈义彦;野村好三郎;永井功一 -专利权人：住友化学工业株式会社
申请日： 1994-06-24 - 公布日： 2001-02-28 - 主分类号： C07C47/21 文献下载
摘要：公开了不饱和醛和不饱和羧酸的制备方法，它包括将丙烯、异丁烯或叔丁醇在（ｉ)包含式MoaBibFecAdBeCfDgOx的复合氧化物的催化剂和（ｉｉ）本身对气相催化氧化基本惰性的氧化钼存在下用分子氧进行气相催化氧化；将由于该气相催化氧化劣化的催化剂与所述氧化钼混合后将该催化剂再利用的方法；和通过将所述劣化催化剂与所述氧化钼混合而将所述劣化催化剂再生的方法。
不饱和羧酸制备方法

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