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[实用新型]高压半导体器件-CN201520386500.3有效
发明人：姚国亮;张邵华;吴建兴 -专利权人：杭州士兰微电子股份有限公司
申请日： 2015-06-05 - 公布日： 2015-09-16 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本实用新型提供了一种高压半导体器件，该器件包括：第一掺杂类型的半导体衬底；第二掺杂类型的外延层，位于半导体衬底上；第二掺杂类型的高压阱，位于外延层内；第一掺杂类型的降场层，位于外延层的表面和/或外延层的内部，降场层的至少一部分位于高压阱内；第一掺杂类型的第一阱，与高压阱并列地位于外延层内；第二掺杂类型的源极欧姆接触区，位于第一阱内；漏极欧姆接触区，位于高压阱内；靠近源极欧姆接触区的栅极，至少覆盖源极欧姆接触区与高压阱之间的外延层本实用新型能够有效降低工艺制造难度，提高器件参数特性，而且有利于提高器件的可靠性。
高压半导体器件

[实用新型]高压半导体器件-CN201420484361.3有效
发明人：陈胜利 -专利权人：陈胜利
申请日： 2014-08-26 - 公布日： 2015-01-28 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种高压半导体器件，包含：一衬底、一设置于衬底上的第一型井、一第二型源极、一设置于第一型井的第一型体极、一部分覆盖于第一型井的栅极以及一第二型漏极，第二型漏极设置于该衬底上并藉由一漂移区而将该第二型漏极与该第一型井相间隔，其中漂移区内设置有一第一型区块与一第二型区块且为交错设置，能降低元器件的整体导通电阻、提高高压半导体器件的二次崩溃电流，使高压半导体器件具有良好的抗静电放电能力。
高压半导体器件

[发明专利]高压半导体器件-CN201610768991.7在审
发明人：卡西克·穆如克桑;邱奕正;林宏洲;詹智元;陈益民;张震谦;钟久华;杨富智;蔡俊琳 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2016-08-30 - 公布日： 2017-05-10 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明提供了半导体器件。在一些实施例中，半导体器件包括晶体管、隔离组件和导电层。晶体管包括源极区域和漏极区域。隔离组件围绕源极区域。导电层被配置为用于漏极区域的互连。
高压半导体器件

[实用新型]高压半导体器件-CN201520386680.5有效
发明人：姚国亮;张邵华;吴建兴 -专利权人：杭州士兰微电子股份有限公司
申请日： 2015-06-05 - 公布日： 2015-11-11 - 主分类号： H01L29/735 文献下载
摘要：本实用新型提供了一种高压半导体器件，该器件包括：第一掺杂类型的半导体衬底；第二掺杂类型的外延层，位于半导体衬底上；第二掺杂类型的高压阱，位于外延层内；第二掺杂类型的深阱，位于高压阱内；第一掺杂类型的降场层，位于外延层的表面和/或外延层的内部，降场层的至少一部分位于深阱内；第一掺杂类型的第一阱，与高压阱并列地位于外延层内；第二掺杂类型的源极欧姆接触区，位于第一阱内；漏极欧姆接触区，位于深阱内；靠近源极欧姆接触区的栅极，至少覆盖源极欧姆接触区与高压阱之间的外延层。本实用新型能够有效降低工艺制造难度，提高器件参数特性，而且有利于提高器件的可靠性。
高压半导体器件

[发明专利]具有高压器件的半导体器件结构-CN201811416706.0有效
发明人：林宏洲;邱奕正;卡思克·穆鲁克什;陈益民;林炫政;江文智;张震谦;詹智元;吴国铭;蔡俊琳 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2018-11-26 - 公布日： 2022-05-03 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：提供了一种高压半导体器件结构。高压半导体器件结构包括半导体衬底，半导体衬底中的源极环和半导体衬底中的漏极区域。高压半导体器件结构还包括围绕源极环的侧面和底部的掺杂环以及围绕漏极区域和掺杂环的侧面和底部的阱区。阱区的导电类型与掺杂环的导电类型相反。高压半导体器件结构还包括导体，该导体电连接到漏极区域并且在阱区的外围上方并且横穿阱区的外围延伸。另外，高压半导体器件结构包括在导体和半导体衬底之间的屏蔽元件环。本发明实施例涉及具有高压器件的半导体器件结构。
具有高压器件半导体器件结构

[发明专利]用于半导体器件高压测试装置的辅助机构和测试方法-CN202210426585.8在审
发明人：迟延庆 -专利权人：上海积塔半导体有限公司
申请日： 2022-04-22 - 公布日： 2022-08-05 - 主分类号： G01R31/26 文献下载
摘要：本申请涉及一种用于半导体器件高压测试装置的辅助机构和测试方法。一种用于半导体器件高压测试装置的辅助机构，半导体器件高压测试装置包括用于放置半导体器件的测试台和用于对半导体器件进行高压测试的探针组件；辅助机构包括包围框以及连接部件。连接部件的一端设置于包围框的开口端，另一端与测试台和放置在测试台上的半导体器件中的其中之一密封连接，以界定出一密封空间。其中，探针组件的探针位于密封空间内，且密封空间内填充具有预设压力值的气体。在密封空间内利用探针组件对半导体器件进行高压测试的过程中，半导体器件的放电电压会小于半导体器件在高压测试所需的电压，半导体器件就不易出现放电打火现象。
用于半导体器件高压测试装置辅助机构方法

[实用新型]高压半导体终端器件-CN201020695584.6有效
发明人：范春晖;孙德明;周伟 -专利权人：上海集成电路研发中心有限公司
申请日： 2010-12-31 - 公布日： 2011-08-31 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种高压半导体终端器件。所述高压半导体终端器件包括：半导体衬底、设置于所述半导体衬底表面的隔离介质层、设置于所述隔离介质层表面的多个互不相连的金属浮空场板，所述高压半导体终端器件还包括填充所述互不相连的金属浮空场板之间的空隙的绝缘介质层本实用新型的高压半导体终端器件用来加强金属浮空场板之间的耦合作用，使半导体表面电场更均匀，从而提高击穿电压。本实用新型的高压半导体终端器件工艺实现简单。
高压半导体终端器件

[发明专利]一种钝化层制造方法及高压半导体功率器件-CN201610704091.6在审
发明人：何延强;吴迪;刘钺杨;和峰;徐哲;金锐;温家良;潘艳 -专利权人：全球能源互联网研究院;国家电网公司;国网河北省电力公司
申请日： 2016-08-23 - 公布日： 2016-11-09 - 主分类号： H01L21/56 文献下载
摘要：本发明提供了一种钝化层制造方法及高压半导体功率器件，所述方法包括通过丝网印刷在高压半导体功率器件上涂覆聚酰亚胺胶；对聚酰亚胺胶进行前烘和固化形成聚酰亚胺保护层；高压半导体功率器件采用上述方法制造。与现有技术相比，本发明提供的一种钝化层制造方法及高压半导体功率器件，不仅提高了半导体功率器件钝化层制造的工作效率并降低了工作成本，还提高了高压半导体功率器件的工作稳定性。
一种钝化制造方法高压半导体功率器件

[发明专利]一种功率半导体器件-CN202110727717.6在审
发明人：陈燕平;窦泽春;谢舜蒙;彭勇殿;朱武;张荣;荣春晖;袁勇;陈明翊;谭一帆 -专利权人：中车株洲电力机车研究所有限公司
申请日： 2021-06-29 - 公布日： 2022-12-30 - 主分类号： H01L25/18 文献下载
摘要：本发明提供了一种功率半导体器件。该功率半导体器件包括：至少一个晶体管元件，其中，所述晶体管元件包括高压功率端、低压功率端及控制端，所述高压功率端延伸出所述功率半导体器件的封装以构成所述功率半导体器件的高压引脚，所述低压功率端延伸出所述功率半导体器件的封装以构成所述功率半导体器件的低压引脚，所述控制端延伸出所述功率半导体器件的封装以构成所述功率半导体器件的控制引脚；以及至少一个检测二极管单元，其中，所述检测二极管单元的阴极连接所述至少一个晶体管元件的所述高压功率端，所述检测二极管单元的阳极延伸出所述功率半导体器件的封装以构成所述功率半导体器件的检测引脚
一种功率半导体器件

[发明专利]一种半导体器件高压测试装置-CN202210886179.X在审
发明人：白志坚;薛克瑞;庄裕刚;张小东 -专利权人：深圳市良机自动化设备有限公司
申请日： 2022-07-26 - 公布日： 2022-10-21 - 主分类号： G01R1/04 文献下载
摘要：本申请涉及一种半导体器件高压测试装置，其包括机架以及设置于机架的高压夹持测试组件，高压夹持测试机构包括用于承托待检测半导体器件的承托台以及两组用于对半导体器件进行耐高压测试的高压夹测组件，每组高压夹测组件均包括若干用于对半导体器件进行耐高压测试的测试件，承托台位于两组高压夹测组件的测试件之间；两组高压夹测组件滑移设置于机架，且两组高压夹测组件能够向相互靠近或远离方向滑移以使两组高压夹测组件的测试件夹紧或远离待检测半导体器件两侧的引脚。本申请具有提高半导体器件在进行耐高压测试的过程中的测试精确度的效果。
一种半导体器件高压测试装置

[发明专利]高压集成器件及其制备方法-CN202011114623.3有效
发明人：刘森;史林森;向可强;刘海彬;刘筱伟 -专利权人：微龛（广州）半导体有限公司
申请日： 2020-10-19 - 公布日： 2021-01-15 - 主分类号： H01L27/092 文献下载
摘要：本发明提供一种高压集成器件及其制备方法，高压集成器件包括：半导体基底、低压半导体器件、第一隔离结构、第二隔离结构以及高压器件引出结构，半导体基底包括自下而上设置的半导体衬底、第一绝缘层、中间器件功能层、第二绝缘层以及顶层器件功能层。本发明将低压器件集成在顶层器件功能层中，将高压器件集成在中间器件功能层中，采用双浅沟槽隔离技术及基于半导体基底中的绝缘层，使得高压器件可以不干扰其他区域的器件，中间器件功能层可以集成更高电压的电子器件。另外，基于本发明高压器件与低压器件的设计，不消耗芯片面积，大大增加集成度。
高压集成器件及其制备方法

[发明专利]深槽高压终端结构的制作方法以及高压半导体器件-CN201110138657.0无效
发明人：陈雪萌 -专利权人：上海先进半导体制造股份有限公司
申请日： 2011-05-26 - 公布日： 2011-10-12 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：本发明提供一种深槽高压终端结构的制作方法，包括步骤：提供半导体衬底，其上依次形成有高压半导体器件、覆盖高压半导体器件的氧化层以及图形化的互连线；依次刻蚀氧化层和半导体衬底，在高压半导体器件两侧分别形成深槽，深槽刻蚀掉一部分阱区并延伸至半导体衬底中；在氧化层表面涂覆阻挡材料，深槽也会被同步填满；在高压半导体器件的引线孔的位置刻蚀阻挡材料，露出底部的互连线。本发明还提供一种高压半导体器件。本发明当器件受到高压偏置时，其阱区的耗尽层在横向方向被填满阻挡材料的深槽阻挡，故只能纵向延伸。由此，器件下方的电势等位线基本上没有弯曲，电力线比较均匀，击穿电压接近于平面结，避免了电力线密集处电压易击穿的问题。
高压终端结构制作方法以及半导体器件

[实用新型]一种横向高压功率半导体器件-CN201520778971.9有效
发明人：王坤祥 -专利权人：王坤祥
申请日： 2015-09-27 - 公布日： 2016-03-16 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本实用新型属于半导体技术领域，具体的说涉及一种横向高压功率半导体器件。本实用新型提供的高压器件在N型半导体漂移区中形成P型半导体降场层，并在P型半导体降场层上表面形成N型半导体重掺杂层，在P型半导体降场层下表面形成N型半导体轻掺杂层。开态时，高浓度的重掺杂层为高压期间提供了大量的多数载流子，在器件表面形成一个低阻的导电通道，可以极大地减小器件导通电阻，从而大大的降低工艺成本。关态时，漏极金属加高压，P型半导体降场层和P型半导体衬底辅助耗尽N型半导体漂移区和N型半导体轻掺杂层，使得器件获得较大的击穿电压。
一种横向高压功率半导体器件

[发明专利]一种高压半导体器件短期失效模型的建模方法-CN201610663634.4有效
发明人：蒋烨;蔡博;赵争鸣;乔光尧;陆振纲;雷晰;李凯;于弘洋;蔡林海;曾洪涛;周飞;潘冰;袁立强 -专利权人：全球能源互联网研究院有限公司;国网辽宁省电力有限公司电力科学研究院;国家电网有限公司;清华大学
申请日： 2016-08-12 - 公布日： 2019-09-27 - 主分类号： G06F17/50 文献下载
摘要：本发明实施例公开了一种高压半导体器件的短期失效模型的建模方法，包括：根据高压半导体器件的内部元胞结构得到正常工作模型；建立根据所述高压半导体器件失效后的器件模型；检测所述高压半导体器件的工作参数；当所述工作参数满足失效边界条件时，从所述正常工作模型切换到所述失效后的器件模型。由此，可以有效地同时描述失效发展过程中的器件行为和器件失效的最终状态。
一种高压半导体器件短期失效模型建模方法

[发明专利]BCD工艺中双栅极氧化层的形成方法-CN201110184979.9无效
发明人：刘建华;吴晓丽 -专利权人：上海先进半导体制造股份有限公司
申请日： 2011-07-04 - 公布日： 2011-11-23 - 主分类号： H01L21/283 文献下载
摘要：本发明提供了一种BCD工艺中双栅极氧化层的形成方法，包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底包括并列的高压器件区域和低压器件区域；在所述低压器件区域的半导体衬底上形成阻挡层；形成高压器件的栅氧化层，所述高压器件的栅氧化层覆盖所述高压器件区域的半导体衬底的表面；去除所述阻挡层，暴露出所述低压器件区域的表面；形成低压器件的栅氧化层，覆盖所述高压器件的栅氧化层和低压器件区域的半导体衬底的表面，所述低压器件的栅氧化层的厚度小于高压器件的栅氧化层的厚度。本发明能够避免在双栅氧化层形成工艺中对场隔离结构的刻蚀而导致的场隔离漏电问题，有利于改善整个器件的性能。
bcd 工艺栅极氧化形成方法

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