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[发明专利]一种提升靶材利用率的方法-CN202110963009.2在审
发明人：陈加柱;龚文广;罗勇;杨红军;陈明辉;张世洪 -专利权人：厦门建霖健康家居股份有限公司
申请日： 2021-08-20 - 公布日： 2021-12-10 - 主分类号： C23C14/34 文献下载
摘要：本发明提供了一种提升靶材利用率的方法，包括如下步骤：(1)将废旧靶材加工至所需要尺寸；(2)将加工后的废旧靶材套设于特殊材料辅助垫高件的一端；(3)将所述特殊材料辅助垫高件的另一端连接至靶材座，形成新的真空镀膜靶材；(4)对新的真空镀膜靶材进行导热性以及导电性测试。本发明提供了一种提升靶材利用率的方法，利用废旧靶材、特殊材料靶材辅助垫高件以及靶材座，实现废旧靶材的重复利用，从而提高靶材的利用率，能够有效地提高靶材利用率，降低采购靶材频次，减少因更换靶材而导致的镀膜成本
一种提升利用率方法

[发明专利]一种平衡靶材消耗并提升其利用率的方法-CN202310792484.7在审
发明人：罗友菊;刘建;年志刚 -专利权人：宣城开盛新能源科技有限公司
申请日： 2023-06-30 - 公布日： 2023-10-13 - 主分类号： C23C14/35 文献下载
摘要：本发明公开了一种平衡靶材消耗并提升其利用率的方法，将靶材两端部位处的磁场强度设置成大于靶材中部部位处的磁场强度，且靶材两端部位处的外径尺寸设置成大于靶材其余部位处的外径尺寸。本发明的平衡靶材消耗并提升其利用率的方法，通过增大靶材两端磁场强度和外径尺寸，平衡靶材各部位的消耗速度，提升靶材的利用率。
一种平衡消耗提升利用率方法

[发明专利]一种提高旋转靶材利用率的溅射方法及溅射设备-CN202210506190.9在审
发明人：张永胜;解传佳;武瑞军;莫超超;杨肸曦;彭孝龙;周振国 -专利权人：苏州迈为科技股份有限公司
申请日： 2022-05-10 - 公布日： 2022-07-22 - 主分类号： C23C14/54 文献下载
摘要：本发明属于溅射镀膜技术领域，公开了一种提高旋转靶材利用率的溅射方法及溅射设备。该提高旋转靶材利用率的溅射方法中，在线获取位于真空室内的所述靶材的形貌信息；根据所述靶材的形貌信息自动生成所述靶材的外径形貌拟合图；根据所述外径形貌拟合图，自动控制所述靶材轴向各处的磁场强度，以使所述靶材均匀消耗在线获取靶材刻蚀情况并自动调整磁场强度，不需要对真空室破除真空后取出靶材调整更方便，且有利于提高调整频率，从而能够及时调整靶材轴向各处的磁场强度，有利于增大靶材利用率的调整幅度。本发明提供的溅射设备能够在线获取靶材表面刻蚀情况并调整对应位置磁场强度，不需人工操作，效率高，调整及时，能明显改善靶材的利用率。
一种提高旋转利用率溅射方法设备

[发明专利]提高靶材利用率的磁性靶材-CN201810391263.8有效
发明人：李原吉;刘品均;杨峻杰;陈松醮;蔡明展;林子平 -专利权人：友威科技股份有限公司
申请日： 2018-04-27 - 公布日： 2021-11-05 - 主分类号： C23C14/35 文献下载
摘要：本发明涉及一种磁性靶材，所述磁性靶材包含背板、靶材单元及磁性单元。靶材单元设置在背板的一面，靶材单元包含内侧靶材、内环靶材以及外环靶材，内环靶材为上窄下宽的梯形，而内环靶材的两侧分别具有第一导磁面及第二导磁面，内侧靶材与第一导磁面相邻设置并与内环靶材之间形成倾斜的内侧导磁通道，外环靶材与第二导磁面相邻设置并与内环靶材之间形成倾斜的外侧导磁通道，磁性单元远离靶材单元设置在背板的另一面。因此，通过倾斜的内侧导磁通道与外侧导磁通道避免磁力线被弱化以及磁场干扰问题，达到有效引导电浆集中溅镀内环靶材的效果。
提高利用率磁性

[实用新型]一种可提高靶材利用率的靶座-CN201520217063.2有效
发明人：刘林;檀玉珩 -专利权人：山东禹城汉能薄膜太阳能有限公司
申请日： 2015-04-13 - 公布日： 2015-08-12 - 主分类号： C23C14/34 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种可提高靶材利用率的靶座。一种可提高靶材利用率的靶座，包括：靶材；导电膜层，位于靶材下方；靶材背板，其上表面设置导电膜层；靶材冷却层，设于靶材背板下方；靶材磁场层，设于靶材冷却层下方；靶材基座，设于靶材磁场层下方；陶瓷组件，包括陶瓷组件正极、陶瓷组件负极和陶瓷密封焊接件，所述陶瓷组件正极和陶瓷组件负极贯穿靶材背板、靶材冷却层、靶材磁场层、靶材基座设置，所述导电膜层和靶材背板通过陶瓷密封焊接件连接。本一种可提高靶材利用率的靶座，可提高该靶材的使用寿命，当该靶材使用寿命耗尽的时候，靶材上所剩的材料也不是太多，从而避免了靶材材料的浪费，节约了成本，实现靶材利用的最大值。
一种提高利用率

[发明专利]一种可提高靶材利用率的平面磁控溅射阴极-CN200810143347.6无效
发明人：陈理;李国强 -专利权人：湖南玉丰真空科学技术有限公司
申请日： 2008-10-17 - 公布日： 2009-04-29 - 主分类号： C23C14/35 文献下载
摘要：一种可提高靶材利用率的平面磁控溅射阴极，它属于一种平面磁控溅射阴极。它主要是解决现有平面阴极的靶材利用率相对较低等技术问题。其技术方案要点是：它由包括阴极体外壳(5)、磁靴(6)、磁铁(3)、冷却通道(2)和靶材(1)构成，并在靶材(1)和冷却通道(2)之间设置有调整磁场的金属薄片(7)，所述金属薄片(7)为导磁金属材质。所述金属薄片(7)与靶材(1)的底部固联。在靶材(1)的底部设置一凹槽，金属薄片(7)嵌装在靶材(1)的底部设置的凹槽内。它可使靶材表面的水平方向的磁场在更大范围内达到均匀，从而提高靶材利用率，它可使靶材利用率由通常的20％-28％，提高到35％-38％。它可广泛应用于磁控溅射镀膜技术领域。
一种提高利用率平面磁控溅射阴极

[实用新型]一种可提高靶材利用率的平面磁控溅射阴极-CN200820158804.4有效
发明人：陈理;李国强 -专利权人：湖南玉丰真空科学技术有限公司
申请日： 2008-10-17 - 公布日： 2009-09-02 - 主分类号： C23C14/35 文献下载
摘要：一种可提高靶材利用率的平面磁控溅射阴极，它属于一种平面磁控溅射阴极。它主要是解决现有平面阴极的靶材利用率相对较低等技术问题。其技术方案要点是：它由包括阴极体外壳(5)、磁靴(6)、磁铁(3)、冷却通道(2)和靶材(1)构成，并在靶材(1)和冷却通道(2)之间设置有调整磁场的金属薄片(7)，所述金属薄片(7)为导磁金属材质。所述金属薄片(7)与靶材(1)的底部固联。在靶材(1)的底部设置一凹槽，金属薄片(7)嵌装在靶材(1)的底部设置的凹槽内。它可使靶材表面的水平方向的磁场在更大范围内达到均匀，从而提高靶材利用率，它可使靶材利用率由通常的20％-28％，提高到35％-38％。它可广泛应用于磁控溅射镀膜技术领域。
一种提高利用率平面磁控溅射阴极

[发明专利]一种靶材及提高靶材利用率的方法与应用-CN201910640529.2有效
发明人：姚力军;潘杰;蒋云霞;王学泽;呼雷 -专利权人：宁波江丰电子材料股份有限公司
申请日： 2019-07-16 - 公布日： 2021-08-17 - 主分类号： C23C14/35 文献下载
摘要：本发明提供了一种靶材及提高靶材利用率的方法与应用，所述方法包括如下步骤：使靶材的塑性变形量≥70％，然后对变形后的靶材进行第一热处理，自然冷却后得到经预处理的靶材；对经预处理的靶材的溅射最快区域进行第二热处理本发明通过对靶材的溅射最快区域进行热处理，使溅射最快区域内的靶材晶粒的粒径增大，从而降低溅射最快区域的溅射速度，使靶材的利用率从35％提升至43％，且成膜效果良好，所述方法无需对磁场强度进行调节，也不需要对靶材的厚度进行调节，从而在保证磁控溅射强度的前提下提高了靶材的利用率，且所述方法的通用性高，可应用于不同强度的磁场环境；所述方法得到的靶材应用于磁控溅射时具有较高的利用率。
一种提高利用率方法应用

[发明专利]磁控溅射镀膜系统中提高平面靶材利用率的方法-CN200910105321.7无效
发明人：田小智;姜翠宁;黄启耀 -专利权人：田小智
申请日： 2009-02-05 - 公布日： 2009-11-25 - 主分类号： C23C14/35 文献下载
摘要：本发明涉及一种磁控溅射镀膜系统中提高平面靶材利用率的方法，该磁控溅射镀膜系统中提高平面靶材利用率的方法包括如下的步骤：a.测试磁控溅射镀膜系统中所用的平面靶材溅射区域的宽度；b.根据磁控溅射用平面靶材的溅射区域的宽度设置新靶材的宽度尺寸，该新靶材的宽度尺寸比磁控溅射用的平面靶材溅射区域的宽度尺寸略大；c.在磁控溅射用平面靶材的非溅射区设置旧靶材。此方法在不影响生产工艺、产品质量，以及在不需要任何设备改进的前提下，能够立竿见影的节省新靶材的使用量，从而提高平面靶材的利用率。
磁控溅射镀膜系统提高平面利用率方法

[实用新型]一种可提高靶材利用率的平面靶-CN201821119039.5有效
发明人：郭喜明;张浩;王英智;王开亮 -专利权人：沈阳乐贝真空技术有限公司
申请日： 2018-07-16 - 公布日： 2019-02-15 - 主分类号： C23C14/35 文献下载
摘要：一种可提高靶材利用率的平面靶，解决现有掺金镀膜技术存在的靶材利用率低，加工成本高，原材料浪费严重的问题。包括磁控靶体，其特征在于：磁控靶体上设置的偏心卡槽内设置有永磁体；磁控靶体偏心卡槽的开口侧、永磁体的前方，设置有分体组装式的溅射靶材；溅射靶材由中部靶材构成，中部靶材的上端设置有上端靶材，中部靶材的下端设置有下端靶材，上端靶材和下端靶材通过靶材固定框与中部靶材连为一体；分体组装式溅射靶材的前侧设置有固定压框。其设计合理，结构紧凑，利用偏心式布置的永磁体和分体组装式结构的溅射靶材，有效提高了溅射靶材的利用率，显著降低掺金镀膜的成本。
靶材溅射靶材靶材利用率磁控靶永磁体上端下端分体组装式偏心卡槽平面靶掺金分体组装式结构镀膜技术固定压框固定框开口侧偏心式镀膜加工

[实用新型]一种提高靶材利用率的靶材结构-CN201320216714.7有效
发明人：丁杰;陈云飞 -专利权人：福耀集团（上海）汽车玻璃有限公司
申请日： 2013-04-25 - 公布日： 2014-04-16 - 主分类号： C23C14/35 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种提高靶材利用率的靶材结构，所述的靶材结构包括靶材端头板和中间板，所述的靶材端头板比中间板厚。与现有技术相比，本实用新型结构简单且可以有效节约生产成本，在不影响生产工艺、产品质量下立竿见影的提高靶材利用率。
一种提高利用率结构

[实用新型]具有较高靶材利用率的靶材组件-CN202120009271.9有效
发明人：胡业新;高毓康 -专利权人：江苏日久光电股份有限公司
申请日： 2021-01-05 - 公布日： 2021-11-16 - 主分类号： C23C14/35 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种具有较高靶材利用率的靶材组件，包括多个靶材和底座，多个所述靶材包括两个位于所述底座相对两侧边部的边部靶材、固定于两个所述边部靶材之间的多个中间靶材，每个所述边部靶材的厚度分别厚于每个所述中间靶材，所述边部靶材与所述中间靶材磁控溅射面相齐平，充分利用中间的残余厚度，不浪费残靶，提高制程的保养周期，提高靶材的利用率，降低生产成本。
具有较高靶材利用率组件

[发明专利]一种高利用率高速率的靶材-CN201910655138.8在审
发明人：施玉良;徐文斌 -专利权人：法柯特科技（江苏）有限公司
申请日： 2019-07-19 - 公布日： 2020-02-28 - 主分类号： C23C14/35 文献下载
摘要：本发明涉及一种高利用率高速率的靶材，所述的靶材结构包括靶材端头板和中间板，所述的靶材端头板比中间板厚。与现有技术相比，本发明结构简单且可以有效节约生产成本，在不影响生产工艺、产品质量下立竿见影的提高靶材利用率。
一种利用率速率

[发明专利]用于提升靶材利用率的导磁板-CN202010381305.7有效
发明人：林嘉佑 -专利权人：台玻太仓工程玻璃有限公司
申请日： 2020-05-08 - 公布日： 2023-09-05 - 主分类号： C23C14/35 文献下载
摘要：本发明公开了用于提升靶材利用率的导磁板，包括靶材溅射结构和动力弹性机构；所述靶材溅射结构包括靶材溅射结构顶部设置的导磁板以及底部设置的磁钢体；驱动装置驱动伸缩杆带动导磁板在水平面内往复滑动；所述动力弹性机构推拉磁钢体在水平面方向上往复滑移本发明提供用于提升靶材利用率的导磁板，能有效的增大靶材的利用率，降低生产和保养的成本。
用于提升利用率导磁板

[发明专利]一种可提高溅射工艺靶材利用率的方法-CN201010213604.6无效
发明人：王磊;邱勇;黄秀颀;高孝裕;魏朝刚 -专利权人：昆山工研院新型平板显示技术中心有限公司
申请日： 2010-06-30 - 公布日： 2010-12-22 - 主分类号： C23C14/35 文献下载
摘要：本发明涉及一种用于改进溅射工艺用靶材的方法，特别涉及一种可提高磁控物理溅射中靶材利用率的方法。本发明根据现有平面靶材不同区域的材料消耗规律对靶材进行模块化设计，可以显著提高磁控物理溅射中的靶材利用率。
一种提高溅射工艺利用率方法

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