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[发明专利]一种可实现8英寸转6英寸并精准套刻的IC工艺方法-CN202310419997.3在审
发明人： 高建威;周政;曲鹏程;刘香;龙梅;张晓琴;毛峥嵘 -专利权人：中国电子科技集团公司第四十四研究所
申请日： 2023-04-19 - 公布日： 2023-10-24 - 主分类号： G03F7/20 文献下载
摘要：本发明涉及一种可实现8英寸转6英寸并精准套刻的IC工艺方法，属于半导体芯片制作工艺技术领域。该方法为：在8寸硅片上设计多组划片对位标记，并采用8寸工艺线制作相应部分；采用激光划片将8寸硅片划为6寸硅片；通过CDSEM确认硅片标记坐标；通过6寸工艺线光刻机进行试对位，修正标记坐标；在光刻机中进行对位，确认图形偏移量；测试片间对位偏差非均匀性；在6寸工艺线中进行器件剩余部分制作，并进行器件测试。本发明可以将8寸线和6寸线的优点相结合，达到更好的量子效率、更高的集成度、更复杂的器件结构，有效的降低成本；同时将器件分段制作，有利于问题查找。
一种实现英寸精准 ic 工艺方法

[发明专利]面向卫星遥感影像的近实时目标检测与跟踪方法-CN202310423482.0在审
发明人：孙弋舒;张斌;高建威;高冀;孔祥磊;董怡泽 -专利权人：中国空间技术研究院
申请日： 2023-04-19 - 公布日： 2023-08-01 - 主分类号： G06T7/246 文献下载
摘要：本发明涉及一种面向卫星遥感影像的近实时目标检测与跟踪方法，包括：将卫星遥感影像的连续帧逐帧输入目标检测器进行目标检测，得到目标在当前帧的实际位置；将所述目标在当前帧的实际位置输入卡尔曼滤波器，预测目标在下一帧的位置范围；将相同目标在当前帧的实际位置和下一帧的预测位置范围进行匹配，更新卡尔曼滤波器，输出匹配结果；根据所述匹配结果生成目标运动轨迹，预测目标在下一帧的运动区域，并输入所述目标检测器，得到目标在下一帧的实际位置。本发明可以同步动态更新目标检测与跟踪关联的参数，提高目标检测与跟踪关联的精度。
面向卫星遥感影像实时目标检测跟踪方法

[发明专利]天基数据API管理平台设计方法-CN202310422126.7在审
发明人：孔祥磊;汪芳琴;姚乐乐;王大年;高建威 -专利权人：中国空间技术研究院
申请日： 2023-04-19 - 公布日： 2023-07-18 - 主分类号： G06F8/20 文献下载
摘要：本发明涉及一种天基数据API管理平台设计方法，包括以下步骤：构建平台环境，并配置相关数据库和文件系统，同时挂载云存储系统；构建Yapi平台，同步API管理平台的天基数据；设计开发用于支持API管理平台实现将指定的Sql语句转换成API接口功能的Sqler，并将Sqler封装为微服务部署；对API管理平台进行优化处理。本发明，通过在线化编辑简化API开发，支持一键发布API，支持快速迭代、测试API；API管理平台使用严格的身份认证和权限管理保护API，可以实施灵活而精细的配额管理及流控管理保护后端服务，灵活、安全的开放服务能力；能够提供实时监控，包括API的调用性能指标、调用时延以及系统的错误告警等信息，帮助用户监控API以及平台的状态。
基数 api 管理平台设计方法

[发明专利]基于深度学习语义信息的遥感影像描述方法-CN202310423719.5在审
发明人：姚乐乐;钟选明;董怡泽;高建威;孙弋舒;王超 -专利权人：中国空间技术研究院
申请日： 2023-04-19 - 公布日： 2023-07-14 - 主分类号： G06V20/13 文献下载
摘要：本发明涉及基于深度学习语义信息的遥感影像描述方法，所述方法包括：S100，获取包含预定目标的遥感影像样本数据，并建立目标特征库；S200，根据所述目标特征库构建目标样本模型；S300，获取包含所述预定目标的遥感影像测试数据；S400，定义所述遥感影像测试数据的语义和标准；S500，通过所述目标样本模型训练所述遥感影像测试数据，并实时更新所述目标样本模型形成新的目标模型；S600，根据所述目标模型输出待测遥感影像的语义和标准的判定结果。本发明将天基数据进行语义描述和训练，在用户不打开遥感影像的情况下，就可以快速获取图像中目标切片相关信息，并确定是否需要对数据进行目视解译，可以很大程度提供情报生成效率及自动化程度。
基于深度学习语义信息遥感影像描述方法

[实用新型]一种铂电阻传感器特定区域高精度检测电路-CN202222813892.X有效
发明人：王铁;孙雨祥;高建威;刘振楠;张强;游玉松;龙亚;滕鹏;孙晨伟;邢岩;伊斌;于吉帅;王晨;马健;范成平;郑力成;张旭;李建伟;马金波;高晓霞;王相傲;王超;李颖 -专利权人：大连冰山嘉德自动化有限公司
申请日： 2022-10-25 - 公布日： 2023-03-28 - 主分类号： G01K7/18 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种铂电阻传感器特定区域高精度检测电路，属于传感器检测技术领域，包括恒流源电路、通道切换电路、信号放大电路和低通滤波电路，所述恒流源电路输出端与通道切换电路输入端连接，通道切换电路输出端与信号放大电路输入端连接，通道切换电路还与铂电阻温度传感器连接，信号放大电路输出端与低通滤波电路输入端连接。本实用新型通过在运算放大电路的基础上增加偏移量实现特定区域的高精度检测功能，检测区域范围宽，特定检测区域可以灵活调整，能够适用不同类型传感器。
一种铂电阻传感器特定区域高精度检测电路

[发明专利]一种用于SOI片的磷扩散掺杂方法-CN202010813864.0有效
发明人：向华兵;张晓琴;李仁豪;黄建;吴雪飞;高建威 -专利权人：中国电子科技集团公司第四十四研究所
申请日： 2020-08-13 - 公布日： 2023-03-21 - 主分类号： H01L21/228 文献下载
摘要：本发明公开了一种用于SOI片的磷扩散掺杂方法，包括在所述SOI片的表面生长一层氧化层；对所述氧化层进行光刻和刻蚀，形成扩散阻挡层；对所述SOI片进行液态磷扩散掺杂；去除所述SOI片表面上的磷硅玻璃和扩散阻挡层；清洗SOI片表面，并在该SOI片表面淀积二氧化硅保护层；对SOI片表面进行推结工艺得到液态磷的扩散深度；去除SOI片表面的二氧化硅保护层；采用液态磷源POCl3在SOI片上进行液态磷扩散掺杂，能够获得较高的掺杂浓度，并且可以有效降低掺杂过程中SOI片表面形成的磷硅玻璃的厚度，避免顶层硅出现龟裂的现象，同时扩散掺杂后对SOI片的表面进行推结工艺处理，使得掺杂后的SOI片具有较高的掺杂浓度和扩散深度。
一种用于 soi 扩散掺杂方法

[发明专利]图像色彩校正方法、电子设备及存储介质-CN202211504646.4在审
发明人：高冀;姚乐乐;董怡泽;高建威;张晓东;刘洋;焦馨慧 -专利权人：中国空间技术研究院
申请日： 2022-11-28 - 公布日： 2023-03-14 - 主分类号： H04N9/64 文献下载
摘要：本发明涉及一种图像色彩校正方法、电子设备及存储介质，图像色彩校正方法包括：根据历史天基遥感图像，获取天基遥感图像量化级数、图像拍摄时间、位置，构建对应时间、位置的对应关系模型；根据历史天基遥感图像，获取大气吸收情况、地物颜色组成，构建色彩校正模型；在获取新的天基遥感图像后，依次利用对应关系模型、色彩校正模型对天基遥感图像进行校正。本发明，能够避免大气宏观尺度和局部微观尺度的不确定性导致的色彩校正的随机性的问题，无需考虑大气模型中复杂的设置，使用便捷，操作人员无需对大气模型有专业知识，有利于图像的色彩还原工作开展。
图像色彩校正方法电子设备存储介质

[发明专利]用于天基信息的数据引接调度方法-CN202211469195.5在审
发明人：姚乐乐;高冀;刘洋;张斌;高建威 -专利权人：中国空间技术研究院
申请日： 2022-11-22 - 公布日： 2023-03-14 - 主分类号： G06F9/48 文献下载
摘要：本发明涉及用于天基信息的数据引接调度方法，包括：S100，对过往天基数据的到达时间进行分类统计；S200，根据分类统计的结果，分析不同工作模式下的引接数据的频率、大小、尺寸、类型和所述达到时间；S300，根据引接数据的分析结果，构建不同模式下的数据引接学习数据库；S400，将数据引接学习数据库中的数据通过机器学习算法进行训练，构建卫星过境与数据到达之间的关系模型；S500，根据关系模型预测卫星过境与数据到达之间引起的数据洪峰时间；S600，根据预测结果动态调整资源。本发明面向天基混合数据资源的全量引接，针对天基引接数据各异性的特点，构建基于统计的数据分析模型，通过主动预测数据洪峰和低谷，动态调整资源，提高在多种模式情况下的数据稳定性。
用于信息数据调度方法

[发明专利]目标识别方法-CN202211469579.7在审
发明人：孙弋舒;高建威;董怡泽;苏浩;张杰 -专利权人：中国空间技术研究院
申请日： 2022-11-22 - 公布日： 2023-03-07 - 主分类号： G06V10/764 文献下载
摘要：本发明涉及一种目标识别方法，所述目标识别方法包括：S100，根据情报信息构建目标知识图谱；S200，根据样本信息对所述目标知识图谱进行增广，得到增广目标知识图谱；S300，根据所述增广目标知识图谱训练神经网络；S400，将遥感图像输入训练后的神经网络，并输出候选类别和位置信息；S500，将所述候选类别和所述位置信息转化为字段，根据所述遥感图像生成实体与关系的表示；S600，根据步骤S500的结果构建查询逻辑；S700，将所述查询逻辑转化为查询语言，并根据所述增广目标知识图谱筛选目标类型。本发明可以有效降低深度学习目标识别算法对训练的依赖，提高深度学习算法的精度，降低算法调试和识别的时间成本。
目标识别方法

[实用新型]控制器自动检测系统-CN202222882330.0有效
发明人：王铁;张旭;孙雨祥;高建威;刘振楠;张强;游玉松;龙亚;滕鹏;孙晨伟;邢岩;伊斌;于吉帅;王晨;马健;范成平;郑力成;李建伟;马金波;高晓霞;王相傲;王超;李颖 -专利权人：大连冰山嘉德自动化有限公司
申请日： 2022-10-31 - 公布日： 2023-03-07 - 主分类号： G05B23/02 文献下载
摘要：本实用新型提供一种控制器自动检测系统，属于控制器检测技术领域，使用通用型检测设备替代各种仪器仪表，适用性强，可扩展性好，能快速应对控制器的检测项目。包括通用型检测设备、控制器针床、信号发生器，控制器置于所述控制器针床上，控制器针床通过线束连接至通用型检测设备，用以将控制器需要检测的测试点接出；所述信号发生器与通用型检测设备连接，用以模拟控制器所需的各种信号及负载；所述通用型检测设备与PC端连接，用以向控制器输出信号并接收控制器反馈信号，将反馈信号传输至PC端。
控制器自动检测系统

[实用新型]一种铂电阻传感器检测电路-CN202220847041.4有效
发明人：王铁;孙雨祥;王晨;高建威;邢岩;伊斌;于吉帅;马健;刘振楠;张强;范成平;滕鹏;郑力成;龙亚;杨旭;张旭;李建伟;孙晨伟;马金波;高晓霞;王相傲 -专利权人：大连冰山嘉德自动化有限公司
申请日： 2022-04-13 - 公布日： 2022-09-06 - 主分类号： G01K7/20 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种铂电阻传感器检测电路，属于传感器检测技术领域，包括恒流源电路、铂电阻传感器电路、减法器电路和RC低通滤波电路，所述恒流源电路输出端与铂电阻传感器电路和减法器电路输入端连接，减法器电路输入端与铂电阻传感器电路连接，减法器电路输出端与RC低通滤波电路输入端连接。本实用新型使用元器件少，可以与主控设计为一个整体，精度、稳定性高，抗干扰能力强，抗震性好，响应速度快，成本低。
一种铂电阻传感器检测电路

[发明专利]一种可用于红外光电器件的大直径像元级折射微透镜制作方法-CN202210175592.5在审
发明人： 高建威;刘香;龙梅;张晓琴 -专利权人：中国电子科技集团公司第四十四研究所
申请日： 2022-02-24 - 公布日： 2022-05-27 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明属于半导体光电器件工艺制作领域，特别涉及一种可用于红外光电器件的大直径像元级折射微透镜制作方法，即制备APD器件，并将该器件背面减薄抛光至300μm，并在背面制作微透镜，制作微透镜的过程包括：在APD器件背面的表面涂覆50μm厚的SU8垫层，在200℃下对垫层进行固化；在垫层上进行第一次聚酰亚胺覆涂，涂覆聚酰亚胺的厚度为15μm，完成涂覆后进行光刻；在完成光刻的第一次聚酰亚胺上进行第二次聚酰亚胺覆涂，涂覆聚酰亚胺的厚度为15μm，完成涂覆后进行光刻，并对PAD区域光刻；在260℃下进行热熔成型，并在反射镜背面进行金属淀积，完成微透镜的制作；本发明提高器件响应度、增大光线可入射角度。
一种用于红外光电器件直径像元级折射透镜制作方法

[发明专利]一种改进凹透镜模块的APD光电器件及其制作方法-CN201910461803.X有效
发明人： 高建威;江海波 -专利权人：中国电子科技集团公司第四十四研究所
申请日： 2019-05-30 - 公布日： 2022-05-10 - 主分类号： H01L31/0232 文献下载
摘要：本发明是属于光电探测技术领域，用于光电器件的入射面或背面，具体为一种改进凹透镜模块的APD光电器件及其制作方法。所述制作方法包括制作APD光电器件，在APD光电器件的正面淀积透明材料；通过光刻方式在透明材料上制作出圆孔图形；使用等离子刻蚀机在图形处进行深槽刻蚀，利用反应离子刻蚀机进行同性刻蚀，从而刻蚀出凹透镜的外形；对刻蚀后的APD光电器件进行清洗，并在其正面制作出正面电极孔；在凹透镜上淀积金属铝，从而形成反射镜；对APD光电器件进行减薄抛光，再对其背面制作增透膜。本发明能够集成于硅基光电探测器，且有效增加光电器件的响应度；并极大提高硅基光电器件在红外波段的响应度。
一种改进凹透镜模块 apd 光电器件及其制作方法

[发明专利]基于双透镜阵列的凝视型多光谱图像传感器及其制作方法-CN202111488185.1在审
发明人：李睿智;张勇;黄建;张晓琴;高建威 -专利权人：中国电子科技集团公司第四十四研究所
申请日： 2021-12-08 - 公布日： 2022-03-08 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：本发明涉及一种基于双透镜阵列的凝视型多光谱图像传感器及其制作方法，包括：在背照式图像传感器的表面制作多光谱滤光器阵列；在光学玻璃片的下表面制作下微透镜阵列，在背照式图像传感器上旋涂光敏型键合胶，并进行图形化处理形成与下微透镜阵列相对应的图案；将光学玻璃片和背照式图像传感器键合在一起；在光学玻璃片的上表面制作上微透镜阵列；制作金属电极。本发明中，图像传感器的进光方式采用了背照式，具有灵敏度高、膜系可设计性高、工艺可控性高的特点。滤光器基于F‑P标准具原理，结构简单，相对于传统的多光谱成像系统，省去了笨重的色散或干涉分光系统。采用双透镜结构能明显提高图像传感器的填充因子，提高占空比，降低谱段串扰。
基于透镜阵列凝视光谱图像传感器及其制作方法

[发明专利]低暗电流硅基锗探测器的制作方法-CN202010830017.5有效
发明人：刘恋;高建威;郭安然;杨修伟;刘鹏浩;雷仁方 -专利权人：中国电子科技集团公司第四十四研究所
申请日： 2020-08-18 - 公布日： 2022-03-01 - 主分类号： H01L31/028 文献下载
摘要：本发明公开了一种低暗电流硅基锗探测器的制作方法，先在硅衬底上刻蚀出硅槽，在硅槽中外延生长纯锗层，并在纯锗层上完成波导结构刻蚀，形成锗波导结构，然后在锗波导结构的锗表面旋涂增附剂和负性光刻胶，并依次进行曝光、烘焙；最后对锗表面进行清洗并制作成硅基锗探测器。本发明中，在形成锗波导结构后，将负性光刻胶覆盖于锗材料表面，利用负性光刻胶的轻微氧化性对锗材料进行腐蚀，去除锗表面的刻蚀损伤层，从而降低由波导刻蚀损伤引入的暗电流；由于负性光刻胶主要与锗表面悬挂键等活性较高的缺陷产生反应，对锗的腐蚀性很小，仅会去除表面的损伤层，并且速率不受锗的掺杂类型影响，腐蚀效果稳定，不会对锗探测器的形貌造成影响。
电流硅基锗探测器制作方法

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