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- [发明专利]可控制薄膜成分的镶嵌靶材实验设计方法-CN202010123673.1有效
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杨成韬;孙贤;谢易微
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电子科技大学
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2020-02-27
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2022-01-25
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C23C14/06
- 本发明提供一种可控制薄膜成分的镶嵌靶材实验设计方法，根据磁场仿真得到靶材表面不同位置的磁场分布，以此来排列镶嵌孔在靶材上的位置，从而制备均匀性c轴取向AlN薄膜，并理论计算掺杂薄膜的含量；包含以下步骤：(1)根据磁场仿真计算靶材表面不同位置的磁场分布；(2)利用废旧靶材，测量靶材表面由于磁控溅射而凹下去的部分所形成的刻蚀跑道，记录凹陷位置高度沿径向的变化曲线；(3)比较磁场分布图和靶材表面刻蚀轨道，安排镶嵌孔的位置本发明使用镶嵌靶可实现多种元素掺杂，并能够准确控制和计算所沉积薄膜成分，相比传统合金靶能够实现掺杂浓度的调控，制备高度均匀一致性薄膜。
- 控制薄膜成分镶嵌实验设计方法
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