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[发明专利]铜面键结剂-CN202011567981.X在审
发明人：徐荣 -专利权人：苏州圣天迈电子科技有限公司
申请日： 2020-12-25 - 公布日： 2021-05-14 - 主分类号： C23C22/52 文献下载
摘要：本发明提供了一种铜面键结剂，该铜面键结剂包括以下各组分，且各组分重量百分含量为：双氧水10‑20％、硼酸10‑20％、络合剂2‑5％、三氯化铁溶液5‑15％、二甲苯4‑8％、表面活性剂0.5‑2.5％、本发明中，络合剂与铜反应生成一价铜离子络合物，在氧的作用下又转化成二价铜，形成的二价铜离子络合物对铜面有较强的吸附性，这种特性使蚀铜朝着纵深方向进行，从而形成致密的凹凸粗化面，石笋状的突枝具有很强的锚嵌作用，液态油墨流进这些凹坑中，固化后产生较强的结合力，以此便于增强铜面与干膜、湿膜以及防焊油墨的结合力，提高稳定性。
铜面键结剂

[发明专利]一种新型防焊前处理方法-CN202211549981.6在审
发明人：王金德 -专利权人：欣强电子（清远）有限公司
申请日： 2022-12-05 - 公布日： 2023-04-07 - 主分类号： H05K3/38 文献下载
摘要：本发明属于电子通讯器材生产技术领域，尤其为一种新型防焊前处理方法，首先，利用FL180酸性清洁剂对板材表面进行初步清理，随后清洗板材并对板材铜面进行喷砂超粗化处理，接着冲洗干净板材，利用FL220铜面键结剂对板材磨砂处理的铜面进行处理，在超粗化处理的铜面形成一活化基，最后进行冲洗、干燥以及烘干后，包装存放即可。本发明，在防焊前处理使用铜面键结剂搭配喷砂作为防焊前的铜面清洁处理药水，以取代现用的超粗化前处理方式，使用铜面键合剂可活化铜表面，形成一活化基，并对光阻面以化学键结连接，确保防焊油墨与铜面的结合力，此方式不减损铜厚
一种新型防焊前处理方法

[发明专利]一种铜-铜金属键合方法-CN202211721856.9在审
发明人：杨文华;黄鑫;谢超;黄志祥 -专利权人：安徽大学
申请日： 2022-12-30 - 公布日： 2023-05-23 - 主分类号： H01L21/603 文献下载
摘要：本发明属于三维封装技术领域，具体涉及一种铜‑铜金属键合方法。本发明提供的键合方法，包括以下步骤：在保护气氛下，利用水合肼对清洁的镀铜键合体的镀铜面进行预处理，得到待键合的镀铜键合体；所述预处理的温度为50～90℃；在保护气氛下，将待键合的镀铜键合体进行加压键合；所述加压键合的温度为200～300℃。实施例的数据表明：本发明提供的键合方法得到的铜‑铜键合面的剪切强度可达22MPa。
一种金属键方法

[发明专利]用于PCB图形转移前处理制程的铜面键合溶液-CN201810212582.8有效
发明人：冯献超;冯泽宪;唐瑞泽 -专利权人：昆山长优电子材料有限公司
申请日： 2018-03-15 - 公布日： 2020-12-29 - 主分类号： H05K3/10 文献下载
摘要：本发明公开了一种用于PCB图形转移前处理制程的铜面键合溶液，包括以下各组分且各组分重量百分含量为：无机酸：1～30％；络合剂：0.1～10％；有机溶剂：1～15％；缓蚀剂：0.1～10％；表面活性剂：0.1该铜面键合溶液不腐蚀铜面，避免因铜厚不足造成异常报废板出现，减少污染环境及废水处理负担。
用于 pcb 图形转移处理铜面键合溶液

[发明专利]一种铜面键合溶液-CN202110045852.2在审
发明人：朱欢欢 -专利权人：苏州创嘉力电子科技有限公司
申请日： 2021-01-14 - 公布日： 2021-06-01 - 主分类号： H05K3/10 文献下载
摘要：本发明提供了一种铜面键合溶液，该铜面键合溶液包括以下各组分，且各组分重量百分含量为：无机酸12‑18％、疏烃基硅氧烷10‑20％、酰亚胺15‑25％、络合剂3‑6％、有机溶剂10‑20％、表面活性剂3‑本发明中，疏烃基硅氧烷中含有有机疏烃基和Si‑O‑Si键，Si‑0‑Si键的空间位阻效应强烈影响并弱化缔合羟基峰的振动，巯烃基硅烷在铜表面可能以化学吸附方式强烈吸附到铜表面，同时在表面自我交联形成了线性低聚物，从而使其抗腐蚀性能大幅度提高，显著提高了铜面干膜的致密性和抗腐蚀性。
一种铜面键合溶液

[发明专利]一种基于铜纳米棒的铜锡铜键合工艺及结构-CN201610024230.0有效
发明人：廖广兰;独莉;史铁林;汤自荣;陈鹏飞;沈俊杰;邵杰 -专利权人：华中科技大学
申请日： 2016-01-15 - 公布日： 2019-01-15 - 主分类号： H01L21/48 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于铜纳米棒的铜锡铜键合工艺及结构，该工艺包括：在基片表面依次沉积绝缘层、粘附层和种子层；在种子层上旋涂一层光刻胶，并在光刻胶上制作圆孔；在圆孔中电镀铜获得铜凸点；去除光刻胶，并去除暴露的种子层和粘附层；在铜凸点表面及四周旋涂光刻胶，然后暴露铜凸点上表面；利用上述步骤得到两组基片单元，一组基片单元的铜凸点上电镀锡凸点，并去除光刻胶；另一组基片单元的铜凸点上沉积铜纳米棒，并去除光刻胶；通过热压方式将将两组基片单元键合所述铜锡铜键合结构由上述键合工艺获得。本发明将铜纳米棒应用于铜锡铜键合，能有效降低键合温度并得到紧密的键合面，制备工艺简单可控，成本低，具有极大的应用价值。
一种基于纳米铜锡铜键合工艺结构

[发明专利]用于封装IGBT模块的直接键合铜基板的贴装夹具-CN201110347313.0有效
发明人：郑志荣;孙宏伟;朱煜珂 -专利权人：无锡华润安盛科技有限公司
申请日： 2011-10-28 - 公布日： 2017-02-08 - 主分类号： H01L21/50 文献下载
摘要：本发明提供一种用于封装IGBT模块的直接键合铜基板的贴装夹具，属于IGBT(绝缘栅双极型晶体管)模块的封装技术领域。该贴装夹具包括载板和盖板，所述载板上设置有多个用于承载所述直接键合铜基板的承载腔，所述盖板覆盖于在所述载板上以固定所述直接键合铜基板于所述承载腔中，并且，在所述盖板上设置多个的孔以对应暴露所述承载腔中的直接键合铜基板的铜键合面
用于封装 igbt 模块直接键合铜基板夹具

[发明专利]硅片含铜量的测定方法-CN202111264065.3在审
发明人：朱志高 -专利权人：徐州鑫晶半导体科技有限公司
申请日： 2021-10-28 - 公布日： 2022-01-28 - 主分类号： H01L21/18 文献下载
摘要：本发明公开了一种硅片含铜量的测定方法，包括以下步骤：将待测硅片与陪片进行键合，得到键合硅片；将键合硅片在预设温度热处理预设时长，预设温度为400℃‑600℃，预设时长大于1h；在键合硅片冷却后，将键合硅片从键合处分开；测量待测硅片的分离面的含铜量值；根据待测硅片的分离面的含铜量值确定待测硅片的含铜量。根据本发明的硅片含铜量的测定方法，可避免向待测硅片的分离面引入污染，有利于更大效率地将待测硅片内的Cu扩散到待测硅片的表面，同时有利于避免移动到待测硅片的键合面上的铜重回到待测硅片体内，有利于保证测量待测硅片体内的
硅片含铜量测定方法

[发明专利]一种金属互连方法-CN201010192796.7无效
发明人：陈玲;陈武佳;黄飞 -专利权人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
申请日： 2010-05-26 - 公布日： 2011-11-30 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本发明提出一种金属互连方法，该方法在金属层CMP之后，于金属层表面形成键能大于30千焦每摩尔的金属无机物化合物，例如，在金属铜互连线的金属层表面形成铜硅化合物，然后再制作通孔。本发明形成的铜硅化合物一方面使金属铜互连线中的金属层与通孔交界面扭折处钝化，另一方面由于铜硅化合物具有的Cu-Si键的键能达到220千焦每摩尔，能够更好地束缚金属层和通孔界面的铜原子，当电流流过时，金属铜晶界保持完整，从而显著改善了电迁移损伤的现象，使金属铜互连线的寿命提高一个数量级，达到一百六十年左右。
一种金属互连方法

[发明专利]键合态铜单晶及其原子级扩散键合工艺方法-CN202211654472.X在审
发明人：李鹏;庞磊;徐向前;舒予;田永君 -专利权人：燕山大学
申请日： 2022-12-22 - 公布日： 2023-03-21 - 主分类号： C30B33/06 文献下载
摘要：本发明公开了键合态铜单晶及其原子级扩散键合工艺方法。对比了不同压力、升温速率以及保温时间对块体铜单晶之间扩散键合效果的影响。通过对焊缝处进行EBSD表征发现：将待焊面表面粗糙度降低至150nm以下，在小于20MPa的压力下在550～650℃下保温0.5～2h后可实现无再结晶的大块铜单晶样品有效焊合。通过TEM高分辨分析进一步证实了大块铜单晶之间首次实现了原子级的扩散键合。本发明操作方法简单、节能环保、可进行批量压焊处理，从而得到无明显焊缝原子级键合态铜单晶体。
键合态铜单晶及其原子扩散工艺方法

[发明专利]一种非微蚀型有机铜面键合剂及其制备方法-CN202211435178.X在审
发明人：刘旭;蔡辉星;蔡辉高 -专利权人：深圳市励高表面处理材料有限公司
申请日： 2022-11-16 - 公布日： 2023-06-02 - 主分类号： C09J175/04 文献下载
摘要：本申请涉及键合剂的技术领域，具体公开了一种非微蚀型有机铜面键合剂及其制备方法。一种非微蚀型有机铜面键合剂，包括水性聚氨酯和改性聚氨酯中的任意一种或两种，所述水性聚氨酯和改性聚氨酯上接枝有连接官能团，所述连接官能团包括键合官能团和聚合官能团中的任意一种或两种，所述键合官能团选自羧基本申请的键合剂可用于多层线路板中，其具有结合牢固、不易微蚀铜表面、使用简便的优点。
一种非微蚀型有机铜面键合剂及其制备方法

[发明专利]一种提高光面铜结合力的方法-CN202110882720.5在审
发明人：黄明安;温淦尹;李轩;朱常军 -专利权人：四会富仕电子科技股份有限公司
申请日： 2021-08-02 - 公布日： 2021-11-02 - 主分类号： C23C22/05 文献下载
摘要：本发明公开了一种提高光面铜结合力的方法，包括以下步骤：对铜表面进行等离子处理；将氨基硅烷偶联剂溶于溶剂中，形成混合溶液，且所述氨基硅烷偶联剂在混合溶液中的重量百分比为0.03％‑0.25％；将得到的混合溶液涂敷于铜表面上，而后使铜表面干燥；对涂敷了混合溶液的铜表面再次进行等离子处理。本发明方法采用氨基硅烷偶联剂作为键合剂，氨基分子端能与铜进行化学键合，硅烷端能与绝缘介质进行键合，实现光滑的铜面与树脂的高结合力，满足环保、成膜快速、成本低廉和易于批量生产的要求。
一种提高光面结合方法

[发明专利]一种高键合强度的覆铜陶瓷基板及其制备工艺-CN202111513991.X有效
发明人：俞晓东;杨恺;刘晓辉 -专利权人：南通威斯派尔半导体技术有限公司
申请日： 2021-12-13 - 公布日： 2023-04-07 - 主分类号： H05K3/28 文献下载
摘要：本发明公开了一种高键合强度的覆铜陶瓷基板及其制备工艺，包括以下制备工艺：(1)磨板：依次利用陶瓷刷、织布刷对覆铜陶瓷基板进行打磨；(2)微蚀：取微蚀液打磨后的覆铜陶瓷基板进行处理。本发明通过修改磨刷轮目数，减少刷痕深度、降低机械影响来缩短微蚀时间，协同微蚀液的调整来避免硫酸铜产生，提高微蚀液的活性，在铜基表面形成一层深度适中、均匀致密的粗糙面，微蚀液的调整能够促进晶粒的较快出现，使其更为凸显，晶粒更粗、更均匀；而铜基表面更为均匀的粗晶能够增加键合引线的拉力，从而提高覆铜陶瓷基板与阻焊层间的高键合强度。
一种高键合强度陶瓷及其制备工艺

[发明专利]功率MOSFET的高可靠性封装结构及封装工艺-CN202111553018.0在审
发明人：丁浩宸;杨超;陈志阳;徐彩云 -专利权人：无锡惠芯半导体有限公司
申请日： 2021-12-17 - 公布日： 2022-03-29 - 主分类号： H01L23/367 文献下载
摘要：本发明涉及一种功率MOSFET的高可靠性封装结构及封装工艺，该结构包括MOSFET芯片、第一互连层、底覆铜陶瓷基板、第二互连层、顶覆铜陶瓷基板、引线框架、灌封胶和管壳。本发明将标准TO封装中的铜基板替换为三层结构的底覆铜陶瓷基板，将键合铝线互连以顶覆铜陶瓷基板的铜布线层互连替代。一方面通过双基板外金属层裸露于管壳表面，直接与散热器相连构成双面散热结构，减小MOSFET的封装热阻，另一方面以铜层互连替代键合线可以减小功率回路电感，同时陶瓷层的引入提升器件结构对热膨胀的耐受力，并以石墨烯材料的高导热性能提升器件散热效率
功率 mosfet 可靠性封装结构工艺

[发明专利]自蚀刻铜面键合剂及其制备方法-CN202111561232.0有效
发明人：王立中;陈修宁;李晨庆;黄志齐;王淑萍;黄京华 -专利权人：昆山市板明电子科技有限公司
申请日： 2021-12-20 - 公布日： 2023-07-18 - 主分类号： C23F1/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种自蚀刻铜面键合剂及其制备方法，属于印制线路板生产用化学品技术领域。该键合剂包括氧化剂、含氮杂环共聚物、含羟基溶剂、有机酸和余量去离子水，其中氧化剂为二价铜盐、三价铁盐、过氧化物和过硫酸盐中至少一种，含氮杂环共聚物为由含氮杂环类单体、烷基丙烯酸酯类单体和亲水性单体按质量比为该键合剂将化学微蚀与化学键合二种技术结合，能有效提高铜表面与不同光致抗蚀剂间粘附力并保持稳定，对铜表面形貌改变小，同时又能满足细线路加工与高频率信号传输对铜表面形貌的要求。
蚀刻铜面键合剂及其制备方法

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