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[发明专利]用于铜互连的钛掺杂钽基阻挡层及其制造方法-CN201110298197.8有效
发明人：康晓春;何朋 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2011-09-28 - 公布日： 2013-04-03 - 主分类号： H01L23/532 文献下载
摘要：本发明涉及一种用于铜互连的钛掺杂钽基阻挡层及其制造方法，所述钛掺杂钽基阻挡层包括钛掺杂钽氮薄膜和位于所述钛掺杂钽氮薄膜上的钛掺杂钽薄膜，其中所述钛掺杂钽氮薄膜中钛占钛钽总原子数的百分比为0.1％～2.2％；所述钛掺杂钽薄膜中钛占总原子数的百分比为0.1％～2.2％。相比于现有技术，作为铜互连的阻挡层由现有技术中的钽薄膜/钽氮薄膜组成的钽基阻挡层改变为钛掺杂钽薄膜/钛掺杂钽氮薄膜组成的钛掺杂钽基阻挡层，钛掺杂钽基阻挡层的制造方法是在形成阻挡层过程中，将靶材料从钽更改为钽钛固熔体，其中钛占钛钽原子数比例为0.1％～2.2％，从而大幅提高阻挡层及半导体器件的性能。
用于互连掺杂阻挡及其制造方法

[发明专利]一种铜互联用氮化钽扩散阻挡层的制备方法-CN201010515721.8无效
发明人：朱嘉琦;王建东;张建隆;张雯婷;曹世成 -专利权人：哈尔滨工业大学
申请日： 2010-10-22 - 公布日： 2011-04-06 - 主分类号： C23C14/06 文献下载
摘要：一种铜互联用氮化钽扩散阻挡层的制备方法，它涉及一种氮化钽扩散阻挡层的制备方法。本发明解决现有氮化钽沉积技术制备得到的氮化钽阻挡层厚度大、致密性差，导致氮化钽阻挡层的阻挡效果差的问题。铜互联用氮化钽扩散阻挡层厚度为10～20nm，而且阻挡层致密性好，表面均匀平整，能够保证后续电沉积铜层的优良质量；同时高温扩散阻挡性高，氮化钽扩散阻挡层受温度为600℃的热处理90分钟后，无铜硅化合物产生
一种联用氮化扩散阻挡制备方法

[发明专利]MEMS器件的制作方法-CN201510187497.7有效
发明人：张振兴;奚裴;熊磊 -专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
申请日： 2015-04-17 - 公布日： 2017-06-16 - 主分类号： B81C1/00 文献下载
摘要：该方法包括提供前端结构，所述前端结构包括衬底，依次形成于所述衬底上的AMR层和氮化钽层；在所述前端结构上形成第一阻挡层；在所述第一阻挡层上形成第二阻挡层；刻蚀所述第二阻挡层形成第一凹槽，暴露出第一阻挡层；刻蚀所述暴露出的第一阻挡层的部分厚度形成第二凹槽。本发明中由于第一阻挡层的存在，使得氮化钽层获得了保护，避免了刻蚀过程对氮化钽层的侵蚀，也避免了光阻与氮化钽层发生反应，提高了获得的MEMS器件的性能。
mems 器件制作方法

[发明专利]阻挡层的去除方法和装置-CN201410257649.1有效
发明人：王坚;贾照伟;武俊萍;谢良智;王晖 -专利权人：盛美半导体设备(上海)有限公司
申请日： 2009-05-08 - 公布日： 2017-06-16 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本发明涉及半导体制造铜互连的无应力电化学抛光工艺、无应力抛光过程中形成的钽或钛的氧化物薄膜去除工艺和二氟化氙气相刻蚀阻挡层钽/氮化钽或钛/氮化钛工艺的整合方法和装置。首先，至少一部分硅片上镀的铜被无应力电化学抛光去除；其次，去除铜抛光过程中阻挡层表面形成的钽或钛的氧化物薄膜；最后，用二氟化氙气相刻蚀把阻挡层钽/氮化钽或钛/氮化钛去除。该装置由三个子系统组成无应力电化学铜抛光系统、用刻蚀剂去除阻挡层表面钽或钛的氧化物的系统和去除阻挡层的二氟化氙气相刻蚀系统。
阻挡去除方法装置

[发明专利]阻挡层的去除方法和装置-CN200910050835.7有效
发明人：王坚;贾照伟;武俊萍;谢良智;王晖 -专利权人：盛美半导体设备(上海)有限公司
申请日： 2009-05-08 - 公布日： 2010-11-10 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本发明涉及半导体制造铜互连的无应力电化学抛光工艺、无应力抛光过程中形成的钽或钛的氧化物薄膜去除工艺和二氟化氙气相刻蚀阻挡层钽/氮化钽或钛/氮化钛工艺的整合方法和装置。首先，至少一部分硅片上镀的铜被无应力电化学抛光去除；其次，去除铜抛光过程中阻挡层表面形成的钽或钛的氧化物薄膜；最后，用二氟化氙气相刻蚀把阻挡层钽/氮化钽或钛/氮化钛去除。该装置由三个子系统组成：无应力电化学铜抛光系统、用刻蚀剂去除阻挡层表面钽或钛的氧化物的系统和去除阻挡层的二氟化氙气相刻蚀系统。
阻挡去除方法装置

[发明专利]半导体结构及其形成方法-CN201310113655.5有效
发明人：李广宁;沈哲敏 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2013-04-02 - 公布日： 2017-06-16 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：一种半导体结构及其形成方法，其中，所示半导体结构的形成方法包括提供衬底，所述衬底表面具有介质层，所述介质层内具有开口；在所述介质层表面、所述开口的侧壁和底部表面形成第一复合阻挡层，所述第一复合阻挡层与介质层相对一面的材料不含氮元素；在所述第一复合阻挡层表面形成第二氮化钽层、以及位于所述第二氮化钽层表面的第二钽层；在所述第二钽层表面形成种子层；在所述种子层表面形成填充满所述开口的导电层；去除所述介质层顶部表面的导电层、种子层、第二钽层、第二氮化钽层和第一复合阻挡层，所述开口内的种子层和导电层形成导电插塞。
半导体结构及其形成方法

[发明专利]具有热辅助写入头的多层加热器的磁头及其制造方法-CN200410058822.1无效
发明人：杰弗里·S.·莉莉 -专利权人：日立环球储存科技荷兰有限公司
申请日： 2004-07-30 - 公布日： 2005-02-23 - 主分类号： G11B5/33 文献下载
摘要：媒介加热器制作有位于加热器层下面，加热器层之间和/或加热器层上面的扩散阻挡层和/或粘合层。扩散阻挡层防止构成加热器层的金属材料扩散到位于加热器下面和/或上面的层中，并且粘合层促进加热器与跟加热器相邻的磁头层的粘合。扩散阻挡层可以由钽，氮化钽，其他钽合金，钛，铑和钌构成，并且粘合层可以由钽，氮化钽，氧化钽，其他钽合金，钛，镍铁，铬，铂合金，镍合金和氧化铝构成。
具有辅助写入多层加热器磁头及其制造方法

[发明专利]用于去除阻挡层的组合物和方法-CN200410092243.9无效
发明人：卞锦儒 -专利权人： CMP罗姆和哈斯电子材料控股公司
申请日： 2004-11-05 - 公布日： 2005-06-22 - 主分类号： H01L21/321 文献下载
摘要：本发明提供了适用于抛光半导体晶片的水性组合物，该晶片在存在电介质和互连金属的情况下包含钽阻挡层材料。该组合物包含具有足以促进钽阻挡层材料去除的浓度的唑类化合物。此外，该组合物具有较大的钽阻挡层材料相对于电介质的选择性。
用于去除阻挡组合方法

[发明专利]一种铜互连结构及其制备方法-CN202110524519.X在审
发明人：孙祥烈;许静;罗军;赵超 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2021-05-13 - 公布日： 2021-09-10 - 主分类号： H01L23/532 文献下载
摘要：该结构包括：介质层，其表面设有沟槽；氮化钽阻挡层、衬垫层和铜种子层叠置在所述介质层上，以阻挡所述铜种子层中的铜向所述介质层扩散；所述沟槽位于所述氮化钽阻挡层下方。本发明采用氮化钽作为阻挡层，减少了阻挡层的厚度，采用铜种子层替代传统工艺中的电镀铜和种子层，精简了铜互连结构，同时衬垫层的加入，提高了铜种子层的成核率，提高了铜种子层的可靠性，从而在保证铜互连结构的可靠性的前提下
一种互连结构及其制备方法

[发明专利]阻挡层的形成方法-CN200910194955.4无效
发明人：聂佳相 -专利权人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
申请日： 2009-09-01 - 公布日： 2011-04-06 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本发明公开了一种阻挡层的形成方法，所述阻挡层形成在连接孔内或者同时形成在沟槽和连接孔内，包括：依次淀积氮化钽TaN层和钽Ta层，形成由TaN层和Ta层构成的叠层阻挡层，所述叠层阻挡层的厚度在10～50埃；对连接孔的底部进行物理轰击re-sputter，依次刻蚀连接孔底部的Ta层和TaN层，显露出下层的铜互连线；将上述形成叠层阻挡层和re-sputter步骤循环执行N次，然后在第N层叠层阻挡层表面及下层铜互连线表面淀积第二Ta层，其中2≤N≤10。该方法在形成阻挡层时，有效降低对Low-K材料层以及对下层铜互连线的损伤，形成较好的互连层形貌。
阻挡形成方法

[发明专利]铜金属化制作工艺的低电阻值阻挡层的制造方法-CN02120268.0有效
发明人：李显铭;潘兴强;刘重希;余振华 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2002-05-17 - 公布日： 2003-11-26 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：一种铜金属化制作工艺的低电阻值阻挡层的制造方法，利用改变物理气相沉积法或化学气相沉积法中的含氮反应气体流量，使所沉积的氮化钽薄膜中所含有的氮原子浓度由底面向表面递减，而形成表面为钽金属结构的氮化钽阻挡层应用此铜金属化制作工艺的低电阻值阻挡层的制造方法，可结合钽金属与氮化钽材料的结构特性，使阻挡层同时具有良好的附着性与阻隔效果，改善一般铜金属内联机的回拉现象。
金属化制作工艺阻值阻挡制造方法

[发明专利]钽阻挡层去除溶液-CN03806424.3有效
发明人：卞锦儒 -专利权人： CMP罗姆和哈斯电子材料控股公司
申请日： 2003-03-25 - 公布日： 2005-07-20 - 主分类号： H01L21/306 文献下载
摘要：用于去除钽阻挡层材料的化学机械平坦化溶液。该溶液包含0至25重量百分比的氧化剂，0至15重量百分比的非铁金属金属抑制剂和0至20重量百分比该非铁金属的配位剂，0.01至12重量百分比选自甲脒，甲脒盐，甲脒衍生物，胍衍生物，胍盐和它们的混合物的钽去除剂该溶液具有至少3比1的氮化钽相对TEOS的选择性，如使用垂直于晶片的小于20.7kPa的微孔聚氨酯抛光垫板压力所测。
阻挡去除溶液

[发明专利]钛箔太阳能电池及其制备方法-CN201410246725.9在审
发明人：何绪林;梅军;廖成;刘江;叶勤燕;刘焕明 -专利权人：中物院成都科学技术发展中心
申请日： 2014-06-05 - 公布日： 2016-02-10 - 主分类号： H01L31/0216 文献下载
摘要：本发明涉及太阳电池领域，具体公开了一种钛箔太阳能电池及其制备方法，同时公开了钛箔太阳能电池扩散阻挡层。本发明的钛箔太阳能电池，包括钛箔基底和在钛箔基底上依次形成的扩散阻挡层、第一电极层、吸收层、缓冲层、第二电极层、减反层和表面电极层，扩散阻挡层为三层或三层以上结构，扩散阻挡层的每一层任选由以下组制成：铝、钼、钛、镍、铜、锆、铌、铬、钌、铑、钯、钽、钨、铱、锇、铂、金或银，或它们的合金；或硅的氮化物、氧化物或碳化物；或氮化钛、氮化钽、氮化钨或氮化锆。本发明的钛箔太阳能电池，扩散阻挡层能有效阻挡钛箔杂质元素进入吸收层，显著增加扩散阻挡层与基底、第一电极层的结合力。
太阳能电池及其制备方法

[发明专利]柔性太阳能电池及其制备方法-CN201410246824.7有效
发明人：叶勤燕;梅军;廖成;刘江;何绪林;刘焕明 -专利权人：中物院成都科学技术发展中心
申请日： 2014-06-05 - 公布日： 2017-04-12 - 主分类号： H01L31/0352 文献下载
摘要：本发明涉及太阳电池领域，具体公开了一种柔性太阳能电池及其制备方法，同时公开了一种柔性太阳电池扩散阻挡层。本发明的柔性太阳电池，包括柔性基底和在柔性基底上依次形成的扩散阻挡层、第一电极层、吸收层、缓冲层、第二电极层、减反层和表面电极层，扩散阻挡层为三层或三层以上结构，扩散阻挡层的每一层任选由以下组制成铝、钼、钛、镍、铜、锆、铌、铬、钌、铑、钯、钽、钨、铱、锇、铂、金或银，或它们的合金；或硅的氮化物、氧化物或碳化物；或氮化钛、氮化钽、氮化钨或氮化锆。本发明的柔性太阳电池，扩散阻挡层能有效阻挡基底杂质元素进入吸收层，显著增加扩散阻挡层与基底、第一电极层的结合力。
柔性太阳能电池及其制备方法

[发明专利]聚酰亚胺太阳能电池及其制备方法-CN201410247125.4有效
发明人：何绪林;梅军;廖成;刘江;叶勤燕;刘焕明 -专利权人：中物院成都科学技术发展中心
申请日： 2014-06-05 - 公布日： 2017-04-19 - 主分类号： H01L31/0392 文献下载
摘要：本发明涉及太阳电池领域，具体公开了一种聚酰亚胺太阳能电池，包括聚酰亚胺基底和在聚酰亚胺基底上依次形成的扩散阻挡层、第一电极层、吸收层、缓冲层、第二电极层、减反层和表面电极层，扩散阻挡层为三层或三层以上结构，扩散阻挡层的每一层任选由以下组制成铝、钼、钛、镍、铜、锆、铌、铬、钌、铑、钯、钽、钨、铱、锇、铂、金或银，或它们的合金；硅的氮化物、氧化物或碳化物；氮化钛、氮化钽、氮化钨或氮化锆。本发明的聚酰亚胺太阳能电池，扩散阻挡层能有效阻挡基底杂质元素进入吸收层，显著增加扩散阻挡层与基底、第一电极层的结合力。本发明同时提供了前述聚酰亚胺太阳能电池的制备方法，以及聚酰亚胺太阳能电池扩散阻挡层。
聚酰亚胺太阳能电池及其制备方法

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