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[实用新型]一种多电源芯片的电压差控制电路-CN201220634049.9有效
发明人：杨立斌 -专利权人：西安威正电子科技有限公司
申请日： 2012-11-26 - 公布日： 2013-06-26 - 主分类号： G05F1/56 文献下载
摘要：一种多电源芯片的电压差控制电路，在任意两路电源端口之间设置钳位单元，该钳位单元包括6个二极管D1、D2、D3、D4、D4、D5和D6，其中二极管D1的阴极接二极管D2的阳极，二极管D2的阴极接二极管D3的阳极，二极管D1的阳极接二极管D4的阴极，二极管D4的阳极接二极管D5的阴极，二极管D5的阳极接二极管D6的阴极，二极管D6的阳极接二极管D3的阴极，二极管D1的阳极接其中一路电源端口，二极管D3的阴极接另一路电源端口
一种电源芯片电压控制电路

[实用新型]基于IGCT的变频电路-CN201820377373.4有效
发明人：姜建国;郭李刚;魏保玉;邱高伟;刘艳亮;王浩;马晋华;冯杰;武阳;张永平;张蒙蒙 -专利权人：山西高河能源有限公司;上海交通大学
申请日： 2018-03-19 - 公布日： 2018-11-23 - 主分类号： H02P27/08 文献下载
摘要：本实用新型提供了一种基于IGCT的变频电路，包括依次连接在供电网与交流同步电机之间的：滤波单元、整流单元、直流储能单元以及逆变单元；整流单元与逆变单元均由三组中性点钳位三电平功率模块组成，中性点钳位三电平功率模块包括：四个带反并联二极管的IGCT、两个箝位二极管以及两个缓冲电路组成，且共用直流母线；四个带反并联二极管的IGCT串联，两端分别连接一个缓冲电路，两个箝位二极管串联且与中间两个带反并联二极管的IGCT并联；整流单元的中性点钳位三电平功率模块的中点作为输入端，逆变单元的中性点钳位三电平功率模块的中点作为输出端。
三电平功率模块中性点钳位反并联二极管逆变单元整流单元箝位二极管变频电路缓冲电路串联共用直流母线交流同步电机直流储能单元本实用新型滤波单元依次连接杂散电感供电网输出端输入端并联

[发明专利]一种电压钳位电路及其应用-CN202211166538.0在审
发明人：孙鹏菊;黄旭;贺致远;李凯伟;李强;杜雄;罗全明 -专利权人：重庆大学
申请日： 2022-09-23 - 公布日： 2022-12-09 - 主分类号： G01R31/26 文献下载
摘要：本发明公开一种电压钳位电路及其在半导体功率器件导通压降测量中的应用，该电路包含高压二极管D，齐纳二极管Z，以及LM334恒流源电路。其中LM334恒流源电路包含LM334芯片和其工作所需外围电路用以产生满足齐纳二极管Z稳压所需的齐纳电流。钳位电路中DUT+端连接待测半导体功率器件漏极或集电极，DUT‑端连接待测半导体功率器件源极或射极；钳位电路中Vm+与Vm‑端用于输出钳位电压。通过调整高压二极管D、齐纳二极管Z和LM334工作所需外围电路R1、R2、D2
一种电压电路及其应用

[发明专利]具有箝位二极管的半导体器件-CN202211235800.2在审
发明人：赖艳;菲尔·鲁特 -专利权人：安世有限公司
申请日： 2022-10-10 - 公布日： 2023-04-14 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：该半导体器件包括与p‑n结集成的MOSFET，该p‑n结被布置为在MOSFET的源极触点和漏极触点之间的钳位二极管。MOSFET限定第一击穿电压，并且钳位二极管限定第二击穿电压，其中，所述第一击穿电压大于所述第二击穿电压。箝位二极管的串联电阻包括漂移电阻和箝位电阻；其中，漂移电阻与箝位二极管一起形成；其中，箝位电阻独立于箝位二极管形成，并且被配置为确保均匀的雪崩电流。
具有箝位二极管半导体器件

[实用新型]一种二极管钳位式逆变桥结构-CN201220265227.5有效
发明人：盛耀欢;陈鸽;李志鹏 -专利权人：常熟开关制造有限公司（原常熟开关厂）
申请日： 2012-06-07 - 公布日： 2013-01-02 - 主分类号： H02M7/487 文献下载
摘要：一种二极管钳位式逆变桥结构，属于太阳能发电领域。直流母线通过UDC直流电压源进行供电，开关管S1的集电极、电容CH的正极以及直流母线正输入端P连接，开关管S1的发射极、开关管S2的集电极、钳位二极管D1的负极以及电容C1的一端连接，开关管S2的发射极、开关管S3的集电极、电容C1的另一端以及电容C2的一端连接，开关管S3的发射极、开关管S4的集电极、电容C2的另一端以及钳位二极管D2的正极连接，钳位二极管D2的负极、钳位二极管D1的正极、电容CH的负极以及电容CL的正极连接，开关管S4的发射极、电容CL的负极以及直流母线负输入端N相连并接地。优点：增加了系统的稳定性；可以通过简单的硬件改进，解决开关管承压不均问题。
一种二极管钳位式逆变桥结构

[发明专利]单电感单开关高增益电容钳位式直流升压变换器-CN201710626451.X有效
发明人：李虹;曾洋斌;郑琼林;孙湖;郝瑞祥 -专利权人：北京交通大学
申请日： 2017-07-27 - 公布日： 2019-06-18 - 主分类号： H02M3/07 文献下载
摘要：本发明提出一种单电感单开关高增益电容钳位式直流升压变换器，包括：电容钳位电路和Boost电路，其中，电容钳位电路由蓄能电容C₁、钳位电容C₂、二极管D₁和二极管D₂连接构成；Boost电路由电感L、开关管S、主二极管D_b、主电容C_o、输入源V_in和负载R_L连接构成，其中，电容钳位电路的输入端置于Boost电路的开关管S的两端，电容钳位电路中的钳位电容C₂嵌入Boost电路的输出负载R_L的负端，以实现电容钳位电路和Boost电路的有机融合。本发明具有增益高、电感和开关管数量少、电压应力低的优点。
电感开关增益电容钳位式直流升压变换器

[发明专利]一种二极管辅助触发的具有二次导通路径的可控硅器件-CN201110195355.7有效
发明人：苗萌;董树荣;吴健;曾杰;韩雁;马飞;郑剑锋 -专利权人：浙江大学
申请日： 2011-07-13 - 公布日： 2011-11-23 - 主分类号： H01L27/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种二极管辅助触发的具有二次导通路径的可控硅器件，通过优化可控硅与二极管的连接和布局，利用二极管串形成的寄生可控硅路径来实现二极管辅助触发的可控硅的二次导通，提高可控硅钳位电压时钳位点的电流值来避免闩锁效应的发生相比传统基于二极管和MOS管的ESD防护方案，本发明有着面积效率上的优势；相比传统二极管辅助触发的可控硅防护方案，本发明有着低闩锁风险的优势。
一种二极管辅助触发具有二次通路可控硅器件

[发明专利]二极管钳位型三电平变流器-CN201410172816.2有效
发明人：孙驰;艾胜;胡亮灯;任强;陈玉林;陈德鹏 -专利权人：中国人民解放军海军工程大学
申请日： 2014-04-25 - 公布日： 2017-01-04 - 主分类号： H02M7/487 文献下载
摘要：本发明涉及大功率电能变换领域，具体提供了一种二极管钳位型三电平变流器。本发明主要涉及六个功率器件，其中，下钳位二极管位于左上角，上钳位二极管位于左下角，第二IGBT位于第一IGBT左侧，第三IGBT位于第二IGBT正上方第四IGBT位于第三IGBT右侧。本发明将叠层母排分为三层，第一层包括交流输出母排、模块中性点母排；第二层为上钳位二极管连接母排和下钳位二极管连接母排；第三层为模块正母排和模块负母排。
二极管钳位型三电平变流器

[实用新型]一种高增益、宽占空比控制Boost变换器-CN201821183519.8有效
发明人：胡雪峰;梁文娟;马鹏辉;章家岩 -专利权人：安徽工业大学
申请日： 2018-07-25 - 公布日： 2019-05-07 - 主分类号： H02M3/07 文献下载
摘要：本实用新型中钳位二极管D₁和钳位电容C₁构成钳位吸收单元1，钳位二极管D₂和钳位电容C₂构成钳位吸收单元2，电容C₃、二极管D₃和耦合电感T₁的副边绕组L_1b构成倍压单元1，电容C₄、二极管D_{6<和耦合电感T₂、倍压单元2，得到两种不同形式的Boost变换器，将两种不同形式的Boost变换器输入侧进行并联连接，输出侧采用电容串联，使得该变换器具有较高的升压能力，降低了开关管和二极管的电压应力}
倍压单元耦合电感本实用新型二极管钳位二极管占空比控制副边绕组钳位电容吸收单元高增益电容钳位并联连接电容串联电压应力升压能力变换器开关管输入侧输出

[实用新型]BEMF检测电路及高速无刷电机驱动电路-CN202022041913.1有效
发明人：付智宇 -专利权人：永康市洁力软件开发工作室
申请日： 2020-09-17 - 公布日： 2021-04-20 - 主分类号： H02P6/12 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种BEMF检测电路及高速无刷电机驱动电路，包括CPU、钳位二极管D1、钳位二极管D2、钳位二极管D3，以及三相电阻分压网络；CPU的AD转换端口ADC_A经A路限流电阻R1连接到电机相线CPU的AD转换端口ADC_B经B路限流电阻R3连接到电机相线B；CPU的AD转换端口ADC_C经C路限流电阻R5连接到电机相线C；CPU的控制端口IO_A连接分压电阻R2，与R1共同完成相线A的分压，钳位二极管D1的负极接VCC；CPU的控制端口IO_B连接分压电阻R4，与R3共同完成相线B的分压，钳位二极管D2的负极接VCC；CPU的控制端口IO_C连接分压电阻R6，与R5共同完成相线C的分压，钳位二极管D3
bemf 检测电路高速电机驱动

[实用新型]一种开关管的驱动电路-CN201820300728.X有效
发明人：吕华军;柳树渡 -专利权人：深圳英飞源技术有限公司
申请日： 2018-03-05 - 公布日： 2019-08-06 - 主分类号： H02M1/088 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种开关管的驱动电路，包括钳位网络以及碳化硅开关管驱动电路，所述钳位网络由TVS管D1、驱动开关管Q1以及二极管D2组成，TVS管D1并联在开关管Q1基极与源极端，二极管D2串联在钳位网络中本实用新型利用TVS管二极管的巧妙组合，来调节驱动开关管的基地电压，确保驱动开关管的基极电压保持在可靠工作的范围之内。
驱动开关管二极管开关管钳位本实用新型驱动电路开关管驱动电路网络基极电压碳化硅源极端串联基地

[发明专利]半导体装置-CN201910062242.6在审
发明人：岩水守生;山科普士 -专利权人：富士电机株式会社
申请日： 2019-01-23 - 公布日： 2019-09-27 - 主分类号： H03K17/081 文献下载
摘要：本发明的半导体装置抑制有源钳位电路因由感应性负载产生的反电动势电压而动作所导致的功率半导体元件的温度上升。在功率半导体元件(14)的栅极端子与漏极端子之间，连接有具有反向串联连接的齐纳二极管(23)以及二极管(24)的有源钳位电路(22)。钳位电压切换电路(25)检测在功率半导体元件(14)从导通状态被关断时在输出端子(12)产生的电压变化，通过切换有源钳位电路(22)的齐纳二极管(23)的齐纳电压，从而将钳位电压从元件耐压的第一钳位电压切换为比第一钳位电压低的第二钳位电压由此，功率半导体元件(14)的钳位耐量提高，能够抑制功率半导体元件(14)的温度上升。
功率半导体元件钳位电压钳位电路半导体装置齐纳二极管钳位反电动势电压感应性负载二极管导通状态电压变化反向串联漏极端子齐纳电压输出端子栅极端子电压低关断耐压电路检测

[发明专利]低钳位电压ESD装置及其方法-CN200910140241.5有效
发明人： D·D·马里罗;S·C·沙斯特瑞;A·萨利赫;刘明焦;小J·M·帕西 -专利权人：半导体元件工业有限责任公司
申请日： 2009-07-09 - 公布日： 2010-01-13 - 主分类号： H01L27/082 文献下载
摘要：本发明涉及低钳位电压ESD装置及其方法。在一个实施方式中，将ESD装置构造成包含齐纳二极管及P-N二极管并构造成具有导体，该导体在齐纳二极管与P-N二极管之间提供电流路径。
低钳位电压 esd 装置及其方法

[实用新型]涡街流量计电源电路-CN201020143378.4无效
发明人：张玉芬;王俊;牟林朋 -专利权人：潍坊奥博仪表科技发展有限公司
申请日： 2010-03-29 - 公布日： 2010-11-24 - 主分类号： G01F1/32 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种涡街流量计电源电路，包括电连接的稳压电路和运算放大电路，稳压电路的输出端设有一级钳位电压电路，运算放大电路的输出端设有二级钳位电压电路，二级钳位电压电路包括稳压二极管Z3和稳压二极管Z4，稳压二极管Z3和稳压二极管Z4的正极接地，负极接运算放大电路的输出端，保护电路的设置，防止电源线路接反致使一级钳位电压电路和二级钳位电压电路失效，一级钳位电压电路的设置，避免了因为过压而致使后面的负载过流造成电路升温，二级钳位电压电路的设置，将运算放大器U7输出端的电压钳位在4.2V以下，避免中点电压过高而使电路偏置点发生变化，防止电路中电容出现急剧的充放电现象。
流量计电源电路

[发明专利]改进型四电平中点钳位型逆变器拓扑及其电压平衡调制方法-CN202211346760.9在审
发明人：陈剑飞;何怡刚 -专利权人：武汉大学
申请日： 2022-10-31 - 公布日： 2022-12-27 - 主分类号： H02M7/487 文献下载
摘要：本发明提供改进型四电平中点钳位型逆变器拓扑及其电压平衡调制方法，工作在软开关状态的开关管和二极管选择Si器件，工作在硬开关状态的开关管和二极管选择宽禁带器件。本发明所提出改进型四电平中点钳位型逆变器不仅解决了传统四电平中点钳位型逆变器器件电压应力分布不均衡的问题，而且钳位二极管流过的电流小，减少了二极管的导通损耗；Si器件和宽禁带器件的混合使用，既保留宽禁带器件所带来的性能优势
改进型电平中点钳位型逆变器拓扑及其电压平衡调制方法