“金属前驱物”专利关键词查询_检索下载_查询列表_检索列表_行业专利分布_钻瓜专利网

钻瓜专利网为您找到相关结果3764790个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[发明专利]形成光电转换层的方法-CN201110271372.4有效
发明人：简怡峻 -专利权人：友达光电股份有限公司
申请日： 2011-09-06 - 公布日： 2012-02-01 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：于电极层上形成一第一金属前驱物层，其中第一金属前驱物层包括一种或多种金属成分。提供一第二基板，并于第二基板上形成一非金属前驱物层，其中非金属前驱物层包括至少一种非金属成分。堆栈第一基板与第二基板，使非金属前驱物层与第一金属前驱物层接触。进行一热工艺，以使第一金属前驱物层与非金属前驱物层反应而形成一光电转换层。
形成光电转换方法

[发明专利]多层结构的制备方法-CN201910773534.0在审
发明人：周良宾 -专利权人：南亚科技股份有限公司
申请日： 2019-08-21 - 公布日： 2020-06-26 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：一金属前驱物被引入反应器中，其中金属前驱物被图案层所吸收。通过抽出过量的金属前驱物，以从反应器清除过量的金属前驱物。一反应物被引入反应器中，其中反应物与金属前驱物相互反应以在图案层上形成一含金属层。
多层结构制备方法

[发明专利]多层结构的制备方法-CN201910777171.8在审
发明人：苏国辉 -专利权人：南亚科技股份有限公司
申请日： 2019-08-22 - 公布日： 2020-06-30 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：将一第一金属前驱物引入该反应器中。从该反应器清除一第一过量金属前驱物。将一第一反应物引入该反应器中，其中该第一反应物与该第一金属前驱物相互反应以在该图案层上形成一第一含金属层。从该反应器清除一第一过量反应物。将一第二金属前驱物引入该反应器中，其中该第二金属前驱物吸附在第一含金属层上。从该反应器清除一第二过量金属前驱物。将一第二反应物引入该反应器中，其中该第二反应物与该第二金属前驱物相互反应以在该第一含金属层上形成一第二含金属层。
多层结构制备方法

[发明专利]选择性沉积外延锗合金应力源的方法与设备-CN201710735725.9有效
发明人：埃罗尔·安东尼奥·C·桑切斯;戴维·K·卡尔森 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2011-07-28 - 公布日： 2020-08-07 - 主分类号： C30B25/14 文献下载
摘要：将锗前驱物与金属前驱物提供至腔室，并在基板上形成锗‑金属合金的外延层。金属前驱物通常是金属卤化物，可由升华固态金属卤化物或通过卤素气体接触纯金属来提供金属卤化物。可通过喷头或通过侧进入点来提供前驱物，并可分开地加热耦接至腔室的排气系统以管理排气成分的凝结。
选择性沉积外延合金应力方法设备

[发明专利]薄膜封装层及其制备方法、显示面板的制备方法-CN201811504454.7在审
发明人：李敏敏 -专利权人：广东聚华印刷显示技术有限公司
申请日： 2018-12-10 - 公布日： 2020-06-16 - 主分类号： H01L51/52 文献下载
摘要：薄膜封装层的制备方法包括以下步骤：提供金属氧化物前驱体溶液；对金属氧化物前驱体溶液进行雾化处理，得到雾化后的金属氧化物前驱体溶液；以及将雾化后的金属氧化物前驱体溶液喷射至待封装器件的表面，并对雾化后的金属氧化物前驱体溶液进行热处理，形成金属氧化物薄膜，得到薄膜封装层。同时，对金属氧化物前驱体溶液进行雾化处理之后，可以将金属氧化物前驱体溶液转化为雾化液滴，之后喷射至待封装器件的表面以及进行热处理，形成金属氧化物薄膜。该制备方法成膜良好，可实现大面积大规模的封装。
薄膜封装及其制备方法显示面板

[发明专利]使用铝烷基的前驱物的金属薄膜沉积-CN201280054152.9有效
发明人：欣亮·卢;戴维·汤普森;杰弗里·W·安西斯;梅·张;赛沙德利·甘古利;唐伟;斯里尼瓦斯·甘迪科塔;阿蒂夫·努里 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2012-11-07 - 公布日： 2017-02-15 - 主分类号： H01L21/205 文献下载
摘要：本发明提供沉积纯金属和铝合金金属薄膜的方法。某些方法包括使基板表面与第一前驱物和第二前驱物接触，该第一前驱物包含铝前驱物，该铝前驱物选自二甲基铝氢化物、配位于胺的铝烷和具有由式(I)或(II)表示的结构的化合物，其中R为C1‑C6烷基，而该第二前驱物包含金属卤化物其他的方法涉及使基板按顺序地曝露于第一前驱物和第二前驱物，该第一前驱物包含如上所述的铝前驱物，而该第二前驱物包含Ti(NR'2)4或Ta(NR'2)5，其中R'为烷基、烯基、炔基、酮基或醛基。
使用烷基前驱金属薄膜沉积

[发明专利]选择性沉积外延锗合金应力源的方法与设备-CN201180069589.5在审
发明人：埃罗尔·安东尼奥·C·桑切斯;戴维·K·卡尔森 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2011-07-28 - 公布日： 2013-12-11 - 主分类号： H01L21/20 文献下载
摘要：将锗前驱物与金属前驱物提供至腔室，并在基板上形成锗-金属合金的外延层。金属前驱物通常是金属卤化物，可由升华固态金属卤化物或通过卤素气体接触纯金属来提供金属卤化物。可通过喷头或通过侧进入点来提供前驱物，并可分开地加热耦接至腔室的排气系统以管理排气成分的凝结。
选择性沉积外延合金应力方法设备

[发明专利]HVPE用气体传输装置、反应腔及HVPE设备-CN201710403458.5有效
发明人：特洛伊·乔纳森·贝克;谢宇;罗晓菊;王颖慧 -专利权人：镓特半导体科技（上海）有限公司
申请日： 2017-06-01 - 公布日： 2021-07-09 - 主分类号： C23C16/455 文献下载
摘要：本发明提供一种HVPE用气体传输装置、反应腔及HVPE设备，其中，所述HVPE用气体传输装置至少包括：含金属前驱物气体通路管道，屏蔽气体通路管道，以及含氮前驱物气体通路管道；其中：所述含氮前驱物气体通路管道套设于所述屏蔽气体通路管道外，所述屏蔽气体通路管道套设于所述含金属前驱物气体通路管道外，形成同轴三套管结构；所述含金属前驱物气体通路管道近出口处设有孔状封端。本发明提高了含氮前驱物气体与含金属前驱物气体混合的均匀性，并提高了气流均匀性，从而提高了在衬底表面生长的外延层厚度及其组分的均匀性，同时避免了含金属前驱物气体与含氮前驱物气体在气体传输装置的出口处附生生长
hvpe 气体传输装置反应设备

[发明专利]金属硒化物纳米晶的制备方法-CN201810746417.0有效
发明人：王允军 -专利权人：苏州星烁纳米科技有限公司
申请日： 2018-07-09 - 公布日： 2022-07-29 - 主分类号： C01B19/04 文献下载
摘要：本发明公开了一种金属硒化物纳米晶的制备方法，所述制备方法包括步骤：将金属前驱体盐溶于第一溶剂中，得到金属前驱体溶液；200‑350℃下，将硒前驱体加入到所述金属前驱体溶液中，得到所述金属硒化物纳米晶；所述硒前驱体包括二氧化硒粉末或者二氧化硒悬浮液本发明可以解决现有金属硒化物纳米晶制备质量不高、硒前驱体溶液不易制备的问题。
金属硒化物纳米制备方法

[发明专利]金属氧化物薄膜的制备方法-CN201911114758.7在审
发明人：彭钊 -专利权人： TCL华星光电技术有限公司
申请日： 2019-11-14 - 公布日： 2020-05-01 - 主分类号： C23C18/12 文献下载
摘要：一种金属氧化物薄膜的制备方法，所述方法包括：提供一金属氧化物的一前驱盐类；将所述前驱盐类与一促进剂、一溶剂混合均匀得到一前驱盐类溶液；将所述前驱盐类溶液涂布于一基板，并去除多余的所述前驱盐类溶液形成一前驱物膜层；以及以一烘烤温度对所述基板上的所述前驱物膜层进行一烘烤程序，所述烘烤温度为不超过200℃，以形成所述前驱盐类对应的所述金属氧化物薄膜。还提供一种以所述的方法制备而得的金属氧化物薄膜。
金属氧化物薄膜制备方法

[发明专利]正极材料前驱体及其制备方法、正极材料及其制备方法-CN202210113230.3在审
发明人：雷雨;李光鑫;许若愚;夏圣安 -专利权人：华为技术有限公司
申请日： 2022-01-30 - 公布日： 2023-08-08 - 主分类号： H01M4/505 文献下载
摘要：本申请实施例提供一种正极材料前驱体及其制备方法、正极材料及其制备方法，所述正极材料前驱体包括金属氧化物和位于所述金属氧化物表面的金属氧化物前驱体，所述金属氧化物为单晶或类单晶结构，所述金属氧化物前驱体为多晶结构本申请正极材料前驱体及由该正极材料前驱体制备得到的正极材料可有效抑制正极材料二次颗粒在充放电循环过程中产生裂纹，提高正极材料的结构稳定性，提升电池的循环性能。
正极材料前驱及其制备方法

[发明专利]在使用MOCVD和HVPE来生长III-V氮化物膜中的寄生微粒抑制-CN200780100933.6无效
发明人：戴维·布尔;雅各布·史密斯;桑迪普·尼杰霍安;洛里·华盛顿;大卫·伊格尔沙姆 -专利权人：应用材料股份有限公司
申请日： 2007-10-04 - 公布日： 2010-08-25 - 主分类号： H01L21/302 文献下载
摘要：本发明描述一种在一金属有机化学气相沉积工艺中抑制寄生微粒形成的方法。此方法包括向一反应腔室提供一基板以及向该反应腔室导入一有机金属前驱物、一微粒抑制化合物与至少一第二前驱物。第二前驱物与有机金属前驱物反应，以在基板上形成一成核层。另外，本发明描述一种在形成一III-V氮化物层期间抑制寄生微粒形成的方法。此方法包括向一反应腔室导入一含III族金属的前驱物。III族金属前驱物可以包含一卤素。也向至反应腔室导入一卤化氢气体与一含氮化合物。含氮气体与III族金属前驱物反应，以在基板上形成III-V氮化物层。
使用 mocvd hvpe 生长 iii 氮化物中的寄生微粒抑制

[发明专利]电池复合材料及其前驱物的制备方法-CN201480022119.7有效
发明人：谢瀚纬;林翔斌;洪辰宗 -专利权人：台湾立凯电能科技股份有限公司
申请日： 2014-05-08 - 公布日： 2018-06-29 - 主分类号： H01M4/04 文献下载
摘要：一种电池复合材料的制备方法，包括步骤：提供磷酸、第一金属源、第二金属源以及水(S100)；以第一金属源、第二金属源、磷酸与水进行反应，以生成第一生成物(S200)；煅烧第一生成物以生成第一前驱物或第二前驱物(S300)，其中第一前驱物及第二前驱物为包含第一金属及第二金属的固溶体；以及以第一前驱物或第二前驱物与第一反应物进行反应，再煅烧反应的混合物，以生成电池复合材料(S400)。
前驱物金属源复合材料电池磷酸煅烧制备金属充放电平台电池产品电性表现氧化还原反应物固溶体混合物

[发明专利]HVPE用气体传输装置、反应腔及HVPE设备-CN201710403758.3在审
发明人：特洛伊·乔纳森·贝克;罗晓菊;王颖慧;谢宇 -专利权人：镓特半导体科技（上海）有限公司
申请日： 2017-06-01 - 公布日： 2017-09-22 - 主分类号： C30B25/14 文献下载
摘要：本发明提供一种HVPE用气体传输装置、反应腔及HVPE设备，其中，所述HVPE用气体传输装置至少包括含金属前驱物气体通路管道，屏蔽气体通路管道，以及含氮前驱物气体通路管道；其中所述含金属前驱物气体通路管道设有多根，且所述屏蔽气体通路管道套设于各含金属前驱物气体通路管道外；所述含氮前驱物气体通路管道位于所述屏蔽气体通路管道的上方或者一侧。本发明避免了混合后的前驱物气体附着在气体传输装置的外壁上而导致其发生破裂，提高了含氮前驱物气体与含金属前驱物气体混合的均匀性，并提高了气流均匀性，从而提高了在衬底表面生长的外延层厚度及其组分的均匀性。
hvpe 气体传输装置反应设备

[发明专利]向衬底表面的孔穴中沉积金属硫属元素化物材料的方法-CN200710181240.6无效
发明人：里卡尔多·鲁伊兹;德里亚·J.·米里昂;西蒙尼·拉乌克斯;戴维·B.·米特兹;阿里间德罗·G.·施罗特 -专利权人：国际商业机器公司
申请日： 2007-10-25 - 公布日： 2008-05-07 - 主分类号： H01L21/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种向衬底表面的孔穴中沉积金属硫属元素化物材料的方法。该方法包括：获得亲水衬底表面；获得金属硫属元素化物的肼基前驱物的溶液；在衬底上涂敷溶液以使用所述前驱物填充所述孔穴；以及然后对前驱物进行退火以将所述前驱物转换成所述金属硫属元素化物，由此生成填充有金属硫属元素化物材料的衬底表面中的孔穴
衬底表面孔穴沉积金属元素材料方法

1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
下一页»
尾页
共 100000 条