“金刚石籽晶”专利关键词查询_检索下载_查询列表_检索列表_行业专利分布_钻瓜专利网

钻瓜专利网为您找到相关结果49860个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[发明专利]一种低缺陷高透光率金刚石生长方法和系统-CN201911213909.4有效
发明人：彭国令;黄翀 -专利权人：长沙新材料产业研究院有限公司
申请日： 2019-12-02 - 公布日： 2022-02-11 - 主分类号： C23C16/27 文献下载
摘要：本发明涉及一种低缺陷高透光率金刚石生长方法和系统。一种低缺陷高透光率金刚石生长方法，包括步骤：阶段通入氧气：对籽晶表面进行预处理后放入生长仓中，通入一定功率的微波后通入氢气和氧气对籽晶进行表面刻蚀15‑60min；然后，停止通入氧气，通入一定量的氩气后通入碳源生成碳离子团后稳定生长金刚石；每隔第一时间，停止通入碳源，通入氧气刻蚀10‑30min；基板台升降：在所述稳定生长的同时，实时检测金刚石生长的厚度数据，根据所述厚度数据，控制基板台的高度，进而使金刚石的生长面始终处于最佳生长位。本发明提供的一种低缺陷高透光率金刚石生长方法和系统，生长的金刚石具有层状结构，且氧元素含量随着金刚石厚度的增加，含量呈周期性规律分布。
一种缺陷透光率金刚石生长方法系统

[发明专利]一种MPCVD法批量生产金刚石单晶的方法、钼质基片台-CN202210199210.2在审
发明人：鲁振海;黎振坤;王蒙;张春林;常新磊 -专利权人：河南天璇半导体科技有限责任公司
申请日： 2022-03-02 - 公布日： 2022-05-31 - 主分类号： C30B29/04 文献下载
摘要：本发明涉及一种MPCVD法批量生产金刚石单晶的方法、钼质基片台，属于金刚石单晶的制备技术领域。本发明的方法，包括以下步骤：1)将单晶金刚石籽晶摆放到基片台的钼质基片台上；所述钼质基片台的背面开设有环槽和散热槽，所述散热槽开设于所述环槽的外侧并向外延伸；2)然后开启微波等离子体化学气相沉积设备采用等离子体化学气相沉积法沉积金刚石单晶本发明的方法，通过在钼质基片台背面开设环槽和散热槽，能够降低钼质基片台边缘部位的散热效果，显著降低微波等离子体化学气相沉积金刚石单晶过程中单晶金刚石籽晶的温差，使得金刚石单晶批量化正式生长中生产效率及生长质量得到了极大的提高
一种 mpcvd 批量生产金刚石方法钼质基片台

[发明专利]一种利用等离子体挡板优化单晶金刚石同质外延生长的方法-CN201510443127.5有效
发明人：朱嘉琦;舒国阳;代兵;陈亚男;杨磊;王强;王杨;刘康;赵继文;孙明琪;韩杰才 -专利权人：哈尔滨工业大学
申请日： 2015-07-24 - 公布日： 2017-08-25 - 主分类号： C30B25/02 文献下载
摘要：一种利用等离子体挡板优化单晶金刚石同质外延生长的方法，本发明涉及优化单晶金刚石同质外延生长的方法。本发明要解决现有MWCVD生长系统中等离子体密度对籽晶生长质量的影响，等离子体形态与籽晶接触方式导致侧向生长区域质量较低，以及等离子体中碳源沉积污染舱体等问题。方法一、清洗；二、焊接；三、放置样品；四、放置等离子体挡板；五、生长前准备工作；六、金刚石生长，即完成利用等离子体挡板优化单晶金刚石同质外延生长的方法。本发明用于一种利用等离子体挡板优化单晶金刚石同质外延生长的方法。
一种利用等离子体挡板优化金刚石同质外延生长方法

[发明专利]制造金刚石的方法、金刚石、金刚石复合基板、金刚石接合基板和工具-CN202210130434.8在审
发明人：西林良树;辰巳夏生;角谷均;仲前一男 -专利权人：住友电气工业株式会社
申请日： 2015-08-07 - 公布日： 2022-06-24 - 主分类号： C01B32/26 文献下载
摘要：本发明提供：一种制造金刚石的方法，所述方法能够在短时间内将所述金刚石与基板分离并且使得所述基板和所述金刚石各自的分离表面平坦；一种通过所述制造金刚石的方法获得的金刚石；和使用所述金刚石的金刚石复合基板、金刚石接合基板和工具。本发明的通过气相合成法制造金刚石的方法包括如下步骤：准备包含金刚石籽晶的基板；通过气相合成法在所述基板的主表面上形成光吸收层；通过气相合成法在所述光吸收层的主表面上生长金刚石层；和通过从所述金刚石层和所述基板中的至少一者的主表面施加光以使所述光吸收层吸收光并造成所述光吸收层破碎，从而将所述金刚石层与所述基板分离。
制造金刚石方法复合接合工具

[发明专利]一种金刚石/CBN复合涂层硬质合金刀具、制备方法及装置-CN201910209114.X有效
发明人：魏秋平;马莉;周科朝;余志明 -专利权人：中南大学
申请日： 2019-03-19 - 公布日： 2020-02-04 - 主分类号： C23C16/517 文献下载
摘要：一种金刚石/CBN复合涂层硬质合金刀具、制备方法及装置，所述刀具表面设有金刚石/CBN涂层复合涂层，所述金刚石/CBN复合涂层由基层与表层构成，所述基层由纳米晶金刚石、微米晶金刚石交替设置构成，表层为立方氮化硼涂层其制备方法包括除油脱脂、化学微刻蚀、等离子活化及等离子增强气态硼化、等离子清洗、金刚石泥浆超声研磨、种植纳米、微米金刚石籽晶、沉积金刚石/CBN复合涂层；所述设备包括炉体、炉膛、电加热体、等离子发生电源本发明制备的金刚石/CBN复合涂层硬质合金刀具膜层结构合理、膜基结合力好、切削性能优异，适于工业化大规模生产。
金刚石复合涂层硬质合金刀具制备方法及装置制备等离子发生电源炉膛等离子活化等离子清洗等离子增强立方氮化硼膜基结合力微米金刚石超声研磨刀具表面电加热体加热灯丝交替设置膜层结构切削性能脱脂纳米晶微刻蚀微米晶样品台除油炉体泥浆硼化籽晶沉积基层种植

[发明专利]单晶金刚石及其制造方法-CN201280042553.2在审
发明人：池田和宽;角谷均 -专利权人：住友电气工业株式会社
申请日： 2012-08-30 - 公布日： 2014-04-30 - 主分类号： C30B29/04 文献下载
摘要：本发明提供一种单晶金刚石，其由碳同位素¹²C的浓度为99.9质量%以上的碳以及除了碳以外的多种不可避免的杂质构成。为了制得这种单晶金刚石，首先对碳同位素¹²C的浓度为99.9质量%以上的烃类气体进行脱氮处理（S1）。用这种碳原料合成金刚石，并且从该金刚石上切割出籽晶（S3）。将所述籽晶与溶剂和碳原料一同容纳在腔体中，通过高温高压合成方法由所述籽晶生长出单晶金刚石（S4）。
金刚石及其制造方法

[发明专利]氮硫共掺杂n型半导体金刚石材料及其制备方法-CN201910182374.2有效
发明人：李红东;万琳丰;王旌丞;成绍恒;王启亮;刘钧松;高楠 -专利权人：吉林大学
申请日： 2019-03-12 - 公布日： 2021-01-15 - 主分类号： C30B25/20 文献下载
摘要：本发明的氮硫共掺杂n型半导体金刚石材料及其制备方法，属于半导体材料的技术领域。氮硫共掺杂n型半导体金刚石材料是以HTHP或CVD方法生长的金刚石单晶为籽晶，在籽晶上生长有N‑S共掺杂的金刚石单晶外延层；氮、硫掺杂浓度为1015～102作为S源，N2或NH3为氮源，通过CVD生长样品，制得N‑S共掺杂金刚石单晶材料本发明提出了一种新的掺杂方式，得到稳定的浅能级n型金刚石单晶材料，解决了目前n型金刚石材料施主能级深，载流子浓度低、迁移率小、电阻率高等难题，满足电子器件制作要求，实现高性能金刚石基电子器件的制备和应用
氮硫共掺杂半导体金刚石材料及其制备方法

[发明专利]一种静态生长单晶金刚石的制备方法-CN202110322264.9在审
发明人：吕继磊 -专利权人：湖北碳六科技有限公司
申请日： 2021-03-25 - 公布日： 2021-08-13 - 主分类号： C30B29/04 文献下载
摘要：本发明涉及金刚石基底制备技术领域，具体涉及一种静态生长单晶金刚石的制备方法，将籽晶放置入腔体中，在腔体首先通入氢气充满腔体，产生等离子体；通入含碳气源进行金刚石的生长，金刚石生长过程中间断的通入含碳气源作为补充，保证腔体维持一定的压力，籽晶生长，完成制备。本发明采用氢气整体充满腔体，即氢气作为金刚石反应的催化剂，在腔体内是一定的，甲烷是补充的，甲烷的利用率达到100%。
一种静态生长金刚石制备方法

[发明专利]n型氧化钛纳米管/p型金刚石异质结光催化材料及制备方法-CN201010131050.5无效
发明人：李红东;苑举君;吕宪义;高世勇 -专利权人：吉林大学
申请日： 2010-03-24 - 公布日： 2010-07-28 - 主分类号： B01J37/02 文献下载
摘要：本发明的n型TiO2纳米管/p型金刚石异质结光催化材料及制备方法，属于光催化材料及其制备领域。本发明光催化材料是锐钛矿结构的n型TiO2纳米管生长在p型金刚石上。制备方法的第1步，生长硼掺杂的p-型多晶金刚石膜或硼掺杂的p型金刚石单晶；第2步，在p型金刚石溅射ZnO籽晶层；第3步，在乙酸锌和六次甲基四胺的混合水溶液中，在ZnO籽晶层上生长ZnO纳米棒；第4步，在氟钛酸氨和硼酸的混合溶液中，以ZnO纳米棒为模板在p型金刚石生长n型TiO2纳米管。本发明利用液相合成法在金刚石上制备了TiO2纳米管，获得光催化性能优越的异质结；方法简单成本低，适合大规模生产及应用。
氧化纳米金刚石异质结光催化材料制备方法

[发明专利]一种大尺寸培育金刚石用籽晶及其制备方法-CN202010810387.2有效
发明人：刘乾坤;易良成;赵鹏;申幸卫;卢洋;胡来运;昝亚男 -专利权人：中南钻石有限公司
申请日： 2020-08-13 - 公布日： 2021-09-03 - 主分类号： C30B35/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种大尺寸培育金刚石用籽晶及其制备方法，所述制备方法包括如下步骤：由触媒与高纯石墨按照质量比（60~70）:（30~40）高温高压合成，所述触媒由Fe粉、Ni粉、Cu粉、Co粉、Ce粉和金刚石粉组成高温高压合成时，合成时间40‑50小时，得到3mm‑5mm的大尺寸典型（100）面籽晶。所述方法合成出的籽晶在高精度抛磨机上对其（100面）进行精密的抛磨加工，提高籽晶（100）晶面的表面光洁度，减少晶面缺陷，同时保证（100）晶面的偏离角小于5°，作为预置籽晶用以合成培育金刚石用。
一种尺寸培育金刚石籽晶及其制备方法

[发明专利]制造金刚石的方法、金刚石、金刚石复合基板、金刚石接合基板和工具-CN201580042702.9在审
发明人：西林良树;辰巳夏生;角谷均;仲前一男 -专利权人：住友电气工业株式会社
申请日： 2015-08-07 - 公布日： 2017-05-10 - 主分类号： C30B29/04 文献下载
摘要：本发明提供一种制造金刚石的方法，所述方法能够在短时间内将所述金刚石与基板分离并且使得所述基板和所述金刚石各自的分离表面平坦；一种通过所述制造金刚石的方法获得的金刚石；和使用所述金刚石的金刚石复合基板、金刚石接合基板和工具一种通过气相合成法制造金刚石的方法，其包括如下步骤准备包含金刚石籽晶的基板；通过对所述基板实施离子注入而在自所述基板的主表面起算的预定深度处形成透光性比所述基板低的光吸收层；通过所述气相合成法在所述基板的所述主表面上生长金刚石层；和通过从所述金刚石层和所述基板中的至少一者的主表面施加光以使所述光吸收层吸收光并造成所述光吸收层破碎，从而将所述金刚石层与所述基板分离。
制造金刚石方法复合接合工具

[发明专利]一种金刚石光子集成电路制备方法-CN202210369633.4在审
发明人：刘杰;严丽平;程知群;卢超;董志华;周涛 -专利权人：杭州电子科技大学
申请日： 2022-04-08 - 公布日： 2022-08-09 - 主分类号： H01L27/14 文献下载
摘要：本发明公开了金刚石光子集成电路制备方法，包括制备可控缺陷单晶金刚石、制备金刚石谐振器和制备纳米线单光子探测器，具体包括以下步骤：首先在籽晶衬底上采用离子注入；然后在注入的热处理之后的单晶金刚石薄片上重新生长具有低缺陷密度的金刚石，以此来实现超薄的单晶金刚石制备；另外制备具有高品质因子的金刚石H型结构的可调谐振器；与此同时金刚石衬底上进行单光子探测器制造，并且对所制备的单光子探测器进行表征；最后在具有固体色心光源和谐振器结构的单晶金刚石薄膜上，制备金刚石波导，最后集成制备阵列的超导纳米线单光子探测器，形成以金刚石为平台材料的整体光子集成电路的制造。
一种金刚石光子集成电路制备方法

[发明专利]一种复合金刚石涂层硬质合金刀具及制备方法-CN201910209898.6有效
发明人：魏秋平;马莉;周科朝;余志明 -专利权人：中南大学
申请日： 2019-03-19 - 公布日： 2020-02-04 - 主分类号： C23C16/27 文献下载
摘要：一种复合金刚石涂层硬质合金刀具及制备方法，所述硬质合金刀具表层设有交替布置的掺硼或非掺硼的微米晶金刚石和纳米晶金刚石构成的复合涂层，复合金刚石涂层表面沉积一层类金刚石涂层DLC。制备方法，包括除油脱脂、化学微刻蚀，等离子活化及等离子增强气态硼化，等离子清洗，金刚石泥浆超声研磨、种植纳米、微米金刚石籽晶，气相沉积金刚石复合涂层步骤。本专利通过在沉积金刚石过程中掺硼使硼原子进入金刚石晶格中，调节金刚石涂层的内应力，避免了应力突变区的产生，达到从根上避免每层应力不匹配情况的出现，有效改善复合涂层内部的应力分布，进一步提高微纳米复合涂层的完整性
金刚石复合涂层复合金刚石硬质合金刀掺硼制备沉积模具金刚石复合涂层类金刚石涂层综合力学性能等离子活化等离子清洗等离子增强金刚石晶格金刚石涂层膜基结合力微米金刚石超声研磨交替布置模具表层气相沉积涂层表面应力分布脱脂纳米晶硼原子突变区微刻蚀微米晶微纳米泥浆除油硼化籽晶匹配种植

[发明专利]用于提升CVD单晶金刚石品质的籽晶连续减薄等离子体退火方法-CN202010743770.0在审
发明人：朱嘉琦;李一村;代兵;曹康丽;裴佩;郝晓斌;舒国阳;赵继文;张森 -专利权人：哈尔滨工业大学
申请日： 2020-07-29 - 公布日： 2020-10-16 - 主分类号： C30B25/18 文献下载
摘要：用于提升CVD单晶金刚石品质的籽晶连续减薄等离子体退火方法，本发明属于金刚石制备领域，它为了解决现有籽晶预处理方式难以处理籽晶内部原有缺陷及内应力的问题。等离子体退火方法：一、采用激光切割将目标籽晶沿厚度方向切割成两片籽晶，对目标籽晶的激光切割面进行抛光处理；二、籽晶放入MPCVD金刚石生长设备中，抽真空，向腔体内通入氢气并点燃等离子体进行等离子体退火处理；三、依次重复切割抛光处理以及等离子体退火处理多次，得到高品质薄籽晶。本发明通过减薄籽晶与等离子体退火交替反复进行，能够有效降低籽晶内部原有缺陷密度，并不断释放内应力，且能够将一块品质一般的较厚籽晶，处理得到若干品质较优的薄籽晶。
用于提升 cvd 金刚石品质籽晶连续等离子体退火方法

[发明专利]一种人工合成柱状金刚石大单晶的方法-CN201910401179.4在审
发明人：贾晓鹏;王遥;马红安 -专利权人：吉林大学
申请日： 2019-05-15 - 公布日： 2019-07-26 - 主分类号： C30B29/04 文献下载
摘要：本发明的一种人工合成柱状金刚石大单晶的方法，属于晶体生长中的金刚石单晶生长的技术领域。所述的柱状金刚石大单晶，包括柱状金刚石片晶和柱状金刚石塔晶，晶体为长条形，长宽比为1.05～2.0。采用高温高压温度梯度法合成金刚石大单晶，合成压力为5～6GPa，腔体中心温度为1260～1360℃，合成时间为10～30h；所述的籽晶为长条形晶面，长宽比大于1.5。本发明直接合成柱状金刚石大单晶，避免了金刚石在使用前的大幅度加工，满足了某些领域对柱状金刚石的需求。
金刚石柱状大单晶合成长宽比长条形金刚石单晶温度梯度法高温高压金刚石片晶体生长可重复性腔体中心生产要求形状规则直接合成批量化晶面籽晶对称生长加工