“金刚石籽晶”专利关键词查询_检索下载_查询列表_检索列表_行业专利分布_钻瓜专利网

钻瓜专利网为您找到相关结果49860个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[发明专利]一种CVD金刚石涂层前WC-Co基体预处理工艺-CN202110422011.9有效
发明人：王立峰;魏秋平;李秋燕;施应洁;花腾宇;王宝峰;周科朝;施帅;施振;施海平;夏鑫;余寒 -专利权人：湖南新锋科技有限公司
申请日： 2021-04-20 - 公布日： 2022-05-24 - 主分类号： C23C16/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种CVD金刚石涂层前WC‑Co基体预处理工艺，包括如下步骤：将WC‑Co基体进行碱蚀处理，然后进行酸蚀处理，再采用电化学腐蚀处理，获得表面深度脱钴的WC‑Co基体，然后使用金刚石微纳米复合粉末对经深度脱钴的WC‑Co基体进行干法喷砂、然后再使用含金刚石微纳米复合粉末的砂浆进行湿法喷砂，获得经喷砂处理的WC‑Co基体，再将经喷砂处理的WC‑Co基体置于含金刚石粉末的悬浊液中种植籽晶，最后进行热处理。
一种 cvd 金刚石涂层 wc co 基体预处理工艺

[发明专利]基于单晶金刚石衬底的异质结材料制备方法-CN202310724850.5在审
发明人：付鹏 -专利权人：付鹏
申请日： 2023-06-19 - 公布日： 2023-09-15 - 主分类号： C30B31/22 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于单晶金刚石衬底的异质结材料制备方法，包括进行衬底的切割与表面处理，对单晶金刚石衬底进行离子注入，将离子注入后的衬底进行清洗和烘干；将清洗和烘干后的衬底上使用CF4等离子体进行表面轰击，利用外延生长工艺在步骤一处理后的衬底上外延生长TiN单晶籽晶层作为缓冲层，在TiN籽晶层上外延生长金属氧化物薄膜层，在金属氧化物薄膜上外延生长铱单晶薄膜层。
基于金刚石衬底异质结材料制备方法

[发明专利]一种单晶金刚石及其MPCVD制备方法-CN202210333424.4在审
发明人：龚闯;满卫东;蒋梅荣;杨春梅;杨武 -专利权人：上海征世科技股份有限公司
申请日： 2022-03-30 - 公布日： 2022-08-30 - 主分类号： C30B29/04 文献下载
摘要：本发明提供了一种单晶金刚石及其MPCVD制备方法，MPCVD制备方法包括：提供多个晶种，各晶种为薄片状的正多边形的金刚石籽晶，正多边形的边数大于四；将多个晶种紧密地平铺在微波等离子体装置的基片台上，以铺满基片台的有效生长区域；对相邻晶种之间的接壤区域进行刻蚀，以形成凹槽，并在凹槽内形成填充结构；以及采用微波等离子体化学气相沉积法在多个晶种的上表面同质外延生长多个单晶金刚石。本发明通过正多边形晶种在在基片台上贴合有效生长区域的排列、通过减少边角料来有效提高生长效率，并且通过在接壤区域形成填充结构来抑制单晶金刚石在接壤区域的同质外延生长，保证正多边形排列的方式不会影响单晶金刚石正常生长面的生长
一种金刚石及其 mpcvd 制备方法

[实用新型]一种基于微波等离子体化学气相沉积的单晶金刚石基片台-CN202121395932.2有效
发明人：李庆利;甄西合;徐悟生;赵丽媛;朱逢锐;朱逢旭;杨春晖 -专利权人：秦皇岛本征晶体科技有限公司
申请日： 2021-06-23 - 公布日： 2022-02-18 - 主分类号： C30B25/12 文献下载
摘要：本实用新型涉及晶体合成领域，具体涉及一种基于微波等离子体化学气相沉积的单晶金刚石基片台，包括钼托，所述钼托上由外向内凹陷设置有阶梯分布的同心圆台阶，台阶的阶梯处设置有圆滑的台阶倒圆角，台阶的平台上设置有多个用于放置籽晶的晶孔通过降低中心基片台的高度，使金刚石籽晶温度分布更均匀；通过相邻两个台阶之间的高度差和台阶边缘处的倒圆角设置，使中心部分的基片处于等离子体球较低的位置，边缘部分基片处于等离子体球较高的位置，来达到多片单晶金刚石生长温度的一致性
一种基于微波等离子体化学沉积金刚石基片台

[发明专利]一种金刚石刀具材料半导体改性的工艺-CN202211585543.5在审
发明人：陈远流;陈孝洲;刘士荃;周晓华;尹健;杜凯;李国;魏中华;吴晓峰 -专利权人：浙江大学
申请日： 2022-12-09 - 公布日： 2023-05-16 - 主分类号： B01J3/06 文献下载
摘要：本发明涉及金刚石合成技术领域，特指一种金刚石刀具材料半导体改性的工艺，在腔体的高温端向低温端依次排列碳源、改性触媒、籽晶和晶床，采用高温高压温度梯度法进行硼氢协同掺杂合成金刚石单晶，所述碳源为高纯石墨粉本申请通过添加无定型硼粉作为金刚石半导体改性的硼源，高纯Ti粉作为除氮剂，提高金刚石内部硼掺杂率，LiAIH4作为氢源，有效提高了掺硼金刚石内部载流子输运能力。
一种金刚石刀具材料半导体改性工艺

[实用新型]一种用于激光切割/抛光金刚石籽晶的固定装置-CN202320451552.9有效
发明人：于金凤;倪景荣;李大汉;冯曙光 -专利权人：安徽光智科技有限公司
申请日： 2023-03-10 - 公布日： 2023-08-01 - 主分类号： B23K26/70 文献下载
摘要：本实用新型属于单晶金刚石加工技术领域，公开了一种用于激光切割/抛光金刚石籽晶的固定装置。本实用新型通过缩小第一夹臂和第二夹臂的间距将待加工的金刚石夹紧，在使用时无需胶粘，通过第一夹臂、第二夹臂、连杆、第一限位结构和第二限位结构实现对金刚石毛坯的快速夹持。
一种用于激光切割抛光金刚石籽晶固定装置

[发明专利]一种生长金刚石厚膜的籽晶及其制备方法与应用-CN202010800451.9在审
发明人：彭国令;黄翀;刘立斌 -专利权人：长沙新材料产业研究院有限公司;中南大学
申请日： 2020-08-11 - 公布日： 2020-11-20 - 主分类号： C30B25/20 文献下载
摘要：本发明提供本申请提供一种生长金刚石厚膜的籽晶及其制备方法与应用，所述籽晶包括{100}晶面的上表面，与所述上表面垂直的{100}晶面的侧表面以及倒角面；所述倒角面包括位于所述上表面边缘线轮廓处的{110本发明中的第一倒角面、第二倒角面、第三倒角面和第四倒角面，在生长金刚石厚膜的过程中可以有效降低边角引起的尖端效应，延缓边缘多晶的生长，使得单晶金刚石可以长时间的稳定生长。
一种生长金刚石籽晶及其制备方法应用

[实用新型]一种金刚石均布的锯片结构-CN201921282951.7有效
发明人：王勇;黄梓杰;王晓荣 -专利权人：泉州众志金刚石工具有限公司
申请日： 2019-08-08 - 公布日： 2020-06-30 - 主分类号： B28D1/04 文献下载
摘要：本实用新型提供一种金刚石均布的锯片结构，包括圆形基体和环设于圆形基体外周的若干个金刚石刀头，所述金刚石刀头呈弧条状，所述金刚石刀头包括若干个层叠压合的金刚石薄片，各金刚石薄片的表面均设有若干个金刚石颗粒组，所述金刚石颗粒组包括由若干个金刚石颗粒等间距呈弧线分布在金刚石薄片上的第一金刚石横列、由若干个金刚石颗粒等间距呈弧线分布在金刚石薄片上的第二金刚石横列以及由若干个金刚石颗粒等间距呈弧线分布在金刚石薄片上的第三金刚石横列本实用新型采用将金刚石颗粒呈弧线布置，对应于金刚石刀头的弧形结构，并且金刚石颗粒有序错开设置，保证了金刚石薄片各点的切削锋利度。
一种金刚石结构

[发明专利]一种金刚石复合片及其制备方法-CN201810968282.2在审
发明人：易剑;江南;褚伍波 -专利权人：中国科学院宁波材料技术与工程研究所
申请日： 2018-08-23 - 公布日： 2020-03-03 - 主分类号： C23C16/27 文献下载
摘要：本申请公开了一种金刚石复合片，所述金刚石复合片包括单晶金刚石片和多晶金刚石膜；所述多晶金刚石膜包裹所述单晶金刚石片的外缘表面；所述单晶金刚石片的中心与所述金刚石复合片的中心重合。本申请将单晶金刚石和多晶金刚石进行复合，用于改善整个金刚石片的内部结构和功能。该金刚石复合片成本低廉、性能优异。
一种金刚石复合及其制备方法

[发明专利]金刚石钻头的分层胎块及其钻头-CN201310188863.1无效
发明人：杨志强;杨俊德;杨有林;张周平;赵兴福;穆玉生;彭环云;赵燕奎;谢世棋;王凯 -专利权人：金川集团股份有限公司;中南大学
申请日： 2013-05-21 - 公布日： 2014-12-03 - 主分类号： E21B10/48 文献下载
摘要：本发明提供了一种金刚石钻头的分层胎块，在金刚石钻头的径向上，由金刚石钻头的中心轴开始，分层胎块依次包括一个金刚石内层、一个金刚石中间层、一个金刚石外层、一个第一复合层和一个第二复合层。其中第一复合层压接在金刚石内层和金刚石中间层之间。第二复合层压接在金刚石中间层和金刚石外层之间。金刚石钻头的分层胎块，将金刚石内层、金刚石中间层、金刚石外层、第一复合层和第二复合层压接形成分层胎块，金刚石内层、金刚石中间层和金刚石外层中弥散有金刚石，在钻进中金刚石钻头胎体唇面与岩石表面接触面积减少
金刚石钻头分层及其

[实用新型]金刚石钻头的分层胎块及其钻头-CN201320277870.4有效
发明人：杨志强;杨俊德;杨有林;张周平;赵兴福;穆玉生;彭环云;赵燕奎;谢世棋;王凯;齐正广;史金鑫 -专利权人：金川集团股份有限公司;中南大学
申请日： 2013-05-21 - 公布日： 2013-12-11 - 主分类号： E21B10/46 文献下载
摘要：金刚石钻头的分层胎块，在金刚石钻头的径向上，由金刚石钻头的中心轴开始，分层胎块依次包括一个金刚石内层（10）、一个金刚石中间层（20）、一个金刚石外层（30）、一个第一复合层（40）和一个第二复合层（50其中第一复合层压接在金刚石内层和金刚石中间层之间。第二复合层压接在金刚石中间层和金刚石外层之间。金刚石钻头的分层胎块，将金刚石内层、金刚石中间层、金刚石外层、第一复合层和第二复合层压接形成分层胎块，金刚石内层、金刚石中间层和金刚石外层中弥散有金刚石，在钻进中金刚石钻头胎体唇面与岩石表面接触面积减少
金刚石钻头分层及其

[发明专利]金刚石基板及金刚石基板的制造方法-CN201480053428.0有效
发明人：会田英雄;小山浩司;池尻宪次朗;金圣祐 -专利权人：安达满纳米奇精密宝石有限公司
申请日： 2014-09-25 - 公布日： 2019-03-26 - 主分类号： C30B29/04 文献下载
摘要：提供直径2英寸以上的大型的金刚石基板。此外，提供能够制造直径2英寸以上的大型的金刚石基板的金刚石基板的制造方法。准备基底基板，在该基底基板的单面上形成多个由金刚石单晶体构成的柱状金刚石，使金刚石单晶体从各柱状金刚石的末端生长，使从各柱状金刚石的末端生长出的各金刚石单晶体聚结而形成金刚石基板层，将金刚石基板层从基底基板分离，由金刚石基板层制造金刚石基板，由此，由金刚石单晶体形成金刚石基板，金刚石基板的平面方向的形状形成为圆形或者设置有定向平面的圆形，且直径为2英寸以上。
金刚石制造方法

[实用新型]一种偏心棱台形金刚石复合片-CN201821687532.7有效
发明人：陈本富;丁毅;陈华;罗明 -专利权人：重庆北思卡新材料有限公司
申请日： 2018-10-18 - 公布日： 2019-06-28 - 主分类号： E21B10/46 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种偏心棱台形金刚石复合片，包括硬质合金基底，所述硬质合金基底的上端连接有第一金刚石层和第二金刚石层，且第一金刚石层和第二金刚石层相连接。该偏心棱台形金刚石复合片采用偏心六棱台的第一金刚石层和第二金刚石层，且第一金刚石层和第二金刚石层共底面，并且第一金刚石层和第二金刚石层关于硬质合金基底的轴线对称设置的设计，能在该偏心棱台形金刚石复合片切削地层岩石时，使地层岩石对第一金刚石层和第二金刚石层产生的挤压力相互抵消，从而减小第一金刚石层和第二金刚石层被崩坏的肯能，进而便于增加该金刚石复合片的使用寿命。
金刚石层偏心金刚石复合片棱台形硬质合金基地层岩石本实用新型使用寿命轴线对称挤压力六棱台切削上端底面减小抵消

[发明专利]一种超高导热连续金刚石骨架增强复合材料及制备方法-CN201610162488.7有效
发明人：马莉;魏秋平;周科朝;余志明;李志友;张龙;叶文涛 -专利权人：中南大学
申请日： 2016-03-21 - 公布日： 2017-10-31 - 主分类号： C22C26/00 文献下载
摘要：一种超高导热连续金刚石骨架增强复合材料及制备方法，所述复合材料由连续的金刚石增强体与基体材料组成，其中连续金刚石增强体由金刚石颗粒预制体通过CVD方法沉积金刚石膜或金刚石复合膜组成，金刚石复合膜为石墨烯包覆金刚石膜、碳纳米管包覆金刚石膜，基体材料为金属或聚合物；本发明将金刚石粉末制成预坯体，再通过化学气相沉积技术在金刚石预坯体表面沉积金刚石膜，在相邻金刚石颗粒接触位置形成金刚石膜，使孤立的金刚石颗粒之间形成连续导热通道沉积的金刚石膜可作为金刚石颗粒之间的导热桥梁，使本身弥散的金刚石颗粒形成联通结构，从而使复合材料充分利用金刚石的高导热性能，极大提高复合材料的热导率。
一种超高导热连续金刚石骨架增强复合材料制备方法

[发明专利]金刚石刀具的金刚石颗粒布料装置及金刚石刀具的制备方法-CN202110103743.1有效
发明人：李世进;张智 -专利权人：泉州众志新材料科技有限公司
申请日： 2021-01-26 - 公布日： 2023-02-14 - 主分类号： B22F3/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种金刚石刀具的金刚石颗粒布料装置及金刚石刀具的制备方法，可驱动第一驱动气缸推动金刚石颗粒布料机构向料盘运动，所述针头接触金刚石颗粒或没入金刚石颗粒中，并接通负压气体进而使得针头吸取金刚石颗粒；再将吸取有金刚石颗粒的金刚石颗粒布料机构移动至金刚石基体层上方，并切断负压气体，金刚石颗粒有序铺设在金刚石基体层上；本发明可利用金刚石颗粒布料装置自动化有序排列金刚石颗粒，更布料均匀、提高工作效率。
金刚石刀具颗粒布料装置制备方法

首页
«上一页
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
下一页»
尾页
共 49860 条