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[发明专利]集电极侧含有浮空区的逆导型IGBT器件-CN202310810699.7有效
发明人：张镜华;郝知行;杨蜀湘;王宇 -专利权人：四川奥库科技有限公司
申请日： 2023-07-04 - 公布日： 2023-10-03 - 主分类号： H01L29/08 文献下载
摘要：本发明公开了一种集电极侧含有浮空区的逆导型IGBT器件，涉及半导体芯片技术领域，包括正面的栅极/发射极区、场限环区和背面的集电极区以及位于正面和背面之间的衬底漂移区，所述集电极区包括金属焊盘和设于所述金属焊盘上的至少两个介质区，每相邻两个介质区之间设有浮空区，每一个所述浮空区包括设于所述金属焊盘上的浮空介质区、设于所述浮空介质区上的浮空N+注入区和设于所述浮空N+注入区上的浮空缓冲层；本发明中的电流方向既有集电极竖直向上到发射极的电流，也有集电极四周场板场限环对应区域斜向上的流经缓冲层到发射极的电流，能够提高小电流时的工作效率。
集电极含有浮空区逆导型 igbt 器件

[发明专利]一种逆导型IGBT器件的背面结构及制造方法-CN202310918131.7在审
发明人：李昱兵;张镜华;郝知行;杨蜀湘;王宇 -专利权人：四川奥库科技有限公司
申请日： 2023-07-25 - 公布日： 2023-09-29 - 主分类号： H01L29/739 文献下载
摘要：本发明公开了一种逆导型IGBT器件的背面结构及制造方法，背面结构包括：衬底漂移区；N型缓冲一区和P型注入一区，层叠形成于衬底漂移区上；N型缓冲二区，形成于衬底漂移区上；P型注入二区和N型注入一区，层叠形成于衬底漂移区上；N型缓冲一区和P型注入一区位于P型注入二区和N型注入一区沿横向方向的一端，N型缓冲二区位于P型注入二区和N型注入一区沿横向方向的另一端；金属层，形成于P型注入一区、N型注入一区以及N型缓冲二区的上。本发明实现了逆向也可以导通的性能，可使器件从MOS状态更快切换到IGBT状态。本发明改善了现有的IGBT器件在小电流工作时VCE压降比较高的特点，使IGBT在小电流工作时，VCE压降比较小，能够提高小电流时的工作效率。
一种逆导型 igbt 器件背面结构制造方法

[发明专利]逆导型IGBT器件的背面栅结构及其加工方法-CN202310584234.4有效
发明人：张镜华;郝知行;杨蜀湘;王宇 -专利权人：四川奥库科技有限公司
申请日： 2023-05-23 - 公布日： 2023-07-25 - 主分类号： H01L29/739 文献下载
摘要：本发明公开了一种逆导型IGBT器件的背面栅结构及其加工方法，涉及半导体芯片技术领域，所述的背面为IGBT器件的集电极所在的区域相对于衬底所在的方向，所述的背面栅结构包括衬底、集电极和互连材料，所述衬底内设有栅材料、背面P区和背面N区，所述衬底、集电极和互连材料两两之间均设有绝缘材料，且所述集电极通过设于绝缘材料上的第一接触孔分别与所述背面P区和背面N区连接，所述栅材料通过设于绝缘材料上的第二接触孔与互连材料连接，所述互连材料通过设于绝缘材料上的第三接触孔与衬底连接；本发明解决了普通逆导型IGBT正向导通时存在的折回问题。
逆导型 igbt 器件背面结构及其加工方法

[发明专利]逆导型IGBT器件的背面栅结构-CN202211710169.7在审
发明人：张镜华;郝知行;杨蜀湘;王宇 -专利权人：四川奥库科技有限公司
申请日： 2022-12-29 - 公布日： 2023-05-26 - 主分类号： H01L29/423 文献下载
摘要：本发明公开了一种逆导型IGBT器件的背面栅结构，背面栅结构包括背面P区、背面N区和背面最外侧的集电极，还包括依次设于IGBT器件的正面结构上的漂移层、buffer层和背面绝缘层，背面P区和背面N区均与集电极连接，所所述背面绝缘层用于阻断背面电势区和集电极、背面电势区和背面N区或背面电势区和与背面N区靠近的背面P区相连，当在集电极和发射极之间施加反向电压时，如果反向电压高于背面栅的开启电压，则背面P区形成导电区域，将漂移层、buffer层和集电极相连的背面N区导通，实现反向导通的功能；本发明解决了普通逆导型IGBT正向导通时存在snap‑back问题。
逆导型 igbt 器件背面结构

[发明专利]一种陶瓷板和引线框架共晶方法-CN202211572249.0在审
发明人：李昱兵;张德春;刘运中;张镜华;郝知行;杨蜀湘;王宇 -专利权人：四川奥库科技有限公司
申请日： 2022-12-08 - 公布日： 2023-03-10 - 主分类号： H01L21/48 文献下载
摘要：本发明公开了一种陶瓷板和引线框架共晶方法，通过引线框架与陶瓷板利用共晶反应直接粘合，引线框架和陶瓷板之间直接共晶粘合，生产出的引线框架、陶瓷、金属板的组合件(简称DBM)既增加了引脚的抗拉强度，又提高了功率器件的工作性能。陶瓷板替代了原来的导热绝缘片，能够提供更好的结构强度，更好的绝缘性能。一般绝缘片的导热系数为一般为5.8W/(m·K)，氧化铝的热导率一般为24W/(m·K)，AlN的导热率则为170W/(m·K)，陶瓷板拥有更好的导热性能。
一种陶瓷引线框架方法