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[实用新型]一种高压大功率IGBT驱动电路-CN202320060031.0有效
发明人：徐峰;王登峰;王培义;李成嵩;秦宏伟 -专利权人：中国石油化工集团有限公司;中国石化集团新星石油有限责任公司
申请日： 2023-01-09 - 公布日： 2023-04-07 - 主分类号： H03K17/567 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种高压大功率IGBT驱动电路，包括：依次连接的PWM信号放大电路、驱动器电路、驱动功率放大电路、栅极保护电路、软关断电路；所述PWM信号放大电路用于放大PWM信号；所述驱动器电路用于输出驱动信号；所述驱动功率放大电路用于控制所述IGBT的开通与关断；所述栅极保护电路用于抑制所述驱动信号的振铃，并调节所述IGBT的开通和关断时间；所述软关断电路用于在设定条件下开启，以减小所述IGBT上的电压应力
一种高压大功率 igbt 驱动电路

[发明专利]一种IGBT驱动电路及控制方法-CN202110720044.1在审
发明人：张胜宾;范立荣;刘越琪;李怀俊;王忠文;李国杰 -专利权人：广东交通职业技术学院
申请日： 2021-06-28 - 公布日： 2021-09-24 - 主分类号： H02M1/08 文献下载
摘要：所述信号输入模块包括第一输出端子；驱动模块，所述驱动模块的输入端与所述第一输出端子连接，所述驱动模块还包括第二输出端子，所述第二输出端子连接有IGBT；过流保护模块，所述过流保护模块包括第一检测单元和过流软关断单元本发明通过驱动模块输出IGBT的驱动信号以及驱动关断信号，达到控制IGBT工作状态的目的，利用第一检测单元和过流软关断单元，在IGBT发生过流及短路时，实现对IGBT的软关断，降低了IGBT损坏的风险，
一种 igbt 驱动电路控制方法

[实用新型]一种IGBT驱动电路-CN202121449522.1有效
发明人：张胜宾;范立荣;刘越琪;李怀俊;王忠文;李国杰 -专利权人：广东交通职业技术学院
申请日： 2021-06-28 - 公布日： 2022-03-04 - 主分类号： H02M1/08 文献下载
摘要：所述信号输入模块包括第一输出端子；驱动模块，所述驱动模块的输入端与所述第一输出端子连接，所述驱动模块还包括第二输出端子，所述第二输出端子连接有IGBT；过流保护模块，所述过流保护模块包括第一检测单元和过流软关断单元本实用新型通过驱动模块输出IGBT的驱动信号以及驱动关断信号，达到控制IGBT工作状态的目的，利用第一检测单元和过流软关断单元，在IGBT发生过流及短路时，实现对IGBT的软关断，降低了IGBT损坏的风险
一种 igbt 驱动电路

[实用新型]具有短路保护功能的IGBT驱动电路及IGBT芯片-CN202223089620.6有效
发明人：张伟 -专利权人：北京创四方电子集团股份有限公司
申请日： 2022-11-21 - 公布日： 2023-03-14 - 主分类号： H03K17/081 文献下载
摘要：本实用新型涉及电力电子控制技术领域，尤其涉及一种具有短路保护功能的IGBT驱动电路及IGBT芯片，其中，IGBT驱动电路包括：耦合电路、控制电路、信号放大电路、软关断保护电路和内部电源电路；耦合电路包括光耦，用于接收驱动信号，将输入与输出信号隔离再传递给控制电路；控制电路用于控制整个驱动电路的开通和关断；信号放大电路用于接收控制电路传递的信号，进行放大后向IGBT输出驱动信号；软关断保护电路与控制电路及IGBT本实用新型可实现IGBT短路时软关断保护功能。
具有短路保护功能 igbt 驱动电路芯片

[发明专利]一种逆变模块驱动及保护电路-CN201910969393.X有效
发明人：韦元林;李均民 -专利权人：深圳市默贝克驱动技术有限公司
申请日： 2019-10-12 - 公布日： 2022-10-28 - 主分类号： H02M1/08 文献下载
摘要：本发明属于变频器技术领域，尤其涉及一种逆变模块驱动及保护电路，包括驱动电路、过压钳位电路、降栅压电路、软关断电路和过流保护电路，通过过压钳位电路将逆变模块的门极电压钳在特定电压范围内，从而解决逆变模块在过大电流时因门极电压过高而损坏的情况，由降栅压电路实现降低逆变模块门极电压的目的，以及软关断电路，在驱动光耦未封锁前对逆变模块进行软关断，并且在降栅压电路或者软关断电路工作的情况下，通过隔离光耦可以将过大电流信号反馈给上位机控制器，封锁其驱动信号
一种模块驱动保护电路

[发明专利]多级降栅压型SiC-MOSFET驱动电路-CN201910062815.5有效
发明人：肖华锋;吴立亮 -专利权人：东南大学
申请日： 2019-01-23 - 公布日： 2021-02-26 - 主分类号： H02M1/08 文献下载
摘要：本发明公开了一种多级降栅压型SiC‑MOSFET驱动电路，包括短路检测电路、关断逻辑控制电路、图腾柱电路、第一级降栅压电路与第二降栅压软关断电路；短路检测电路判断短路峰值电流检测短路故障真实发生，第一级降栅压电路将SiC‑MOSFET门极电压降低并维持至最大短路耐受时间，提高器件的短路穿越能力；通过第二级降栅压电路进一步降低门极电压实现软关断，从而抑制住关断电压尖峰。本发明保证SiC‑MOSFET在短路工况下安全关断并有效增加其短路耐受时间，提高故障穿越能力。
多级降栅压型 sic mosfet 驱动电路

[发明专利]一种固态直流断路器的软关断驱动电路的参数设计方法-CN202111215868.X有效
发明人：朱学忠;陈仪伟;周洲;袁刘东;周逸 -专利权人：南京航空航天大学
申请日： 2021-10-19 - 公布日： 2023-03-24 - 主分类号： H02H3/087 文献下载
摘要：本发明公开了一种固态直流断路器的软关断驱动电路及其参数设计方法，其中，软关断驱动电路包括开通支路、关断支路以及第一并联电容，第一二极管使固态直流断路器驱动芯片输出的电流流过开通支路，第二二极管使固态直流断路器驱动芯片输出的电流流过关断支路本发明通过两阶段变阻抗的方式，既能快速响应外部关断信号，又能有效抑制关断时线路电感导致的瞬时过电压；电感能量在半导体器件内部耗散，因此无需外接缓冲电路，能够精简系统结构，减小系统体积；避免了其他过电压抑制方案中过电压钳位幅值过高
一种固态直流断路器软关断驱动电路参数设计方法

[发明专利]一种具有软关断特性的场电荷抽取二极管-CN201410337569.7在审
发明人：谭巍;李建清 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2014-07-16 - 公布日： 2014-11-19 - 主分类号： H01L29/861 文献下载
摘要：本发明的目的在于提供一种具有软关断特性的场电荷抽取二极管，用于提高功率二极管软关断特性。具有软关断特性的场电荷抽取二极管，从下往上依次设置有阴极区、第一缓冲层N区、漂移N-区和阳极P+区，所述阴极区由阴极N+区和阴极P+区两部分构成，所述阴极P+与第一缓冲层N区之间还设置有第二缓冲层N-区该二极管具有良好的软恢复特性，相比于少子寿命分布的二极管反向峰值电流减小，软度因子增大；因而能够更好的适用于高频电路应用中。
一种具有软关断特性电荷抽取二极管

[发明专利]过零软关断控制电路-CN201410834285.9有效
发明人：崔勇;宫龙;刘林;余锐;边成登 -专利权人：芜湖国睿兆伏电子有限公司
申请日： 2014-12-27 - 公布日： 2015-04-29 - 主分类号： H02M1/08 文献下载
摘要：本发明涉及一种过零软关断控制电路，用于功率电子技术领域，该电路包括电流互感器、整流电路、取样电路、基准电压源、比较电路和过零关断电路，电流互感器接入整流电路的输入端，整流电路整流后的电流信号接入取样电路，取样电路和基准电压源的输出信号同时接入比较电路的输入端，比较电路的输出端连接过零关断电路。本发明主要应用于串联谐振式开关电源中，以达到在谐振频率变化，引起第一个过零点在开关时序上移动时，通过可靠过零检测与数字处理电路，得到一个关断脉冲，用其对开关管进行关断很好的解决了因谐振频率动态变化而造成开关处于硬关断状态的问题，使得串联谐振中开关管始终保持软关断状态。
零软关断控制电路

[发明专利]一种PWM控制电路的过流驱动保护保护装置及方法-CN201210140528.X有效
发明人：刘裕国 -专利权人：刘裕国
申请日： 2012-05-09 - 公布日： 2012-10-31 - 主分类号： H02H7/20 文献下载
摘要：本发明通过增加驱动保护电路，实现了过流保护的“软关断”，消除了过流保护后，再开机就炸管现象。该发明实用、可靠、低成本，使脉冲变压器过电流也能实行软关断。
一种 pwm 控制电路驱动保护保护装置方法

[发明专利]译码方法、译码器和译码装置-CN201911393850.1在审
发明人：李沫;多利·吉德龙;迈克尔·扎罗宾斯基;杜迪·莱维 -专利权人：华为技术有限公司
申请日： 2019-12-30 - 公布日： 2021-07-16 - 主分类号： H03M13/11 文献下载
摘要：对多个子码中的第一子码进行软判决译码得到硬判决结果；判断是否跳出译码迭代，当不跳出译码迭代时：根据上述硬判决结果将第一子码对应的第一关断标识设置为第一数值，该第一关断标识用于指示在下一次译码迭代中是否对所述第一子码进行软判决译码，当第一关断标识表示的数值为第一数值时，则在下次译码迭代中不对所述第一子码进行软判决译码；保存上述硬判决结果。
译码方法译码器装置

[发明专利]一种空调器节能控制系统及其控制方法-CN201210591028.8在审
发明人：朱小勇;胡二敬;李光强;徐锡胜;韩成柱;张恒;明官柱 -专利权人：苏州三星电子有限公司;三星电子株式会社
申请日： 2012-12-31 - 公布日： 2014-07-02 - 主分类号： F24F11/00 文献下载
摘要：，该系统包括人体感测模块、时序模块、控制模块、判断模块、开关模块，该控制方法根据人体感应信号，判断人在室内处于静止或运动状态，自动调整制冷/制热目标温度，达到节能的效果；当室内一定时间内没有人时，进入软关断状态，如果软关断期间一定时间内仍然没有人进入室内，进入硬关断，以达到节能效果；控制方便简捷，安装方便，成本低，经济实惠，是高品质生活的享受。
一种空调器节能控制系统及其控制方法

[发明专利]一种具有温度补偿的SiC MOSFET短路检测电路和方法-CN201811294802.2在审
发明人：郭希铮;游小杰;王琛琛;王剑;周明磊;郝瑞祥;刘伟志;刘冰;刘东辉;祝文昭;马颖涛;靳超;李水昌;李志坚 -专利权人：北京交通大学;北京纵横机电技术开发公司
申请日： 2018-11-01 - 公布日： 2018-12-21 - 主分类号： G01R31/02 文献下载
摘要：该检测电路包括：参考电压产生电路、短路检测电路、短路检测电路、SiC MOSFET和软关断电路；参考电压产生电路通过正温度系数热敏电阻，根据环境温度及SiC MOSFET结温变化产生不同的参考电压，并将参考电压输入短路检测电路，逻辑信号处理电路通过FPGA产生两种不同的故障检测盲区时间发送到短路检测电路，短路检测电路在短路工况下，基于饱和压降和逻辑处理检测SiC MOSFET的短路故障，输出故障信号，并产生驱动信号发送到软关断电路，软关断电路接收驱动信号后，将SiC MOSFET在短路工况下进行安全关断。
短路检测电路参考电压产生电路软关断电路参考电压温度补偿短路盲区正温度系数热敏电阻接收驱动信号逻辑信号处理饱和压降短路故障故障检测关断电路检测电路快速响应灵活设置逻辑处理驱动信号输出故障关断结温电路检测应用安全

[发明专利]具有软关断特性的FS型IGBT器件-CN201710827889.4在审
发明人：金锐;杨晓鸾;许生根;姜梅;董少华;崔磊 -专利权人：全球能源互联网研究院;江苏中科君芯科技有限公司;国家电网公司;国网浙江省电力公司
申请日： 2017-09-14 - 公布日： 2017-11-28 - 主分类号： H01L29/739 文献下载
摘要：本发明涉及一种具有软关断特性的FS型IGBT器件，属于IGBT器件的技术领域。按照本发明提供的技术方案，所述具有软关断特性的FS型IGBT器件，包括第一导电类型衬底以及位于第一导电类型衬底背面的第一导电类型场截止层，在第一导电类型衬底的正面设置IGBT正面元胞；在第一导电类型场截止层上设置第二导电类型集电区；在第一导电类型衬底内设置用于在关断时能增加载流子数量的高电离率区域，高电离率区域的导电类型呈第一导电类型，所述高电离率区域位于第一导电类型衬底内的下部且高电离率区域靠近第二导电类型集电区。本发明结构紧凑，使得FS型IGBT器件具有软关断特性，在高压大功率工作时可有效降低EMI震荡，提高使用的稳定性以及可靠性。
具有软关断特性 fs igbt 器件

[发明专利]基于IGBT栅极驱动芯片的软关断系统及方法-CN202010571674.2在审
发明人：王伟;黄辉;傅俊寅;汪之涵 -专利权人：深圳青铜剑技术有限公司
申请日： 2020-06-22 - 公布日： 2020-09-08 - 主分类号： H02H7/20 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于IGBT栅极驱动芯片的软关断系统，包括MOS管，MOS管的漏极用于连接IGBT的栅极，MOS管的源极接地。所述系统还包括电压获取模块、电压参考模块及比较控制模块。本发明还提供了一种基于IGBT栅极驱动芯片的软关断方法。如此可保证IGBT的栅极电压能以理想速率下降直至关断IGBT，实现可靠且高效的软关断目的。
基于 igbt 栅极驱动芯片软关断系统方法