专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [实用新型]一种过流保护电路及电力设备-CN202223579764.X有效
  • 刘鸿志;耿程飞;蒋泽龙 - 苏州英威腾电力电子有限公司
  • 2022-12-30 - 2023-07-21 - H02H3/08
  • 过流检测模块对电路中的功率变换器的电流进行实时采样检测并根据检测结果为过流时向过流保护模块输出触发信号,过流保护模块接收到触发信号后向芯片控制模块输出驱动信号,芯片控制模块接收到驱动信号后就向驱动模块输出关断控制信号,驱动模块在接收到关断控制信号后就会执行关断,安全地关断IGBT,基于该电路独有的结构,IGBT电路在过流时能够安全地关断,避免了关断时产生的电压尖峰,提高了IGBT关断的可靠性,保护IGBT的安全
  • 一种保护电路电力设备
  • [发明专利]一种IGBT关断驱动电路-CN201710439728.8有效
  • 张大义;田祥 - 上海电缆研究所有限公司
  • 2017-06-12 - 2020-06-16 - H03K17/16
  • 本发明提供一种IGBT关断驱动电路,包括光电耦合模块、同极性延时电路、反极性延时电路、驱动电路、第一负载模块和第二负载模块;每次IGBT开通时,g‑e极间电压由负电位升至0电位后升至导通电压,IGBT开通;每次IGBT关断时,g‑e极间电压先陡峭下降后缓慢下降至0电位,最后下降至负电位,从而实现IGBT关断后的可靠关断。本发明的IGBT关断驱动电路实现了IGBT的可靠关断,极大地延长IGBT的使用寿命。
  • 一种igbt软关断驱动电路
  • [实用新型]壳锂电池过充与过热报警保护结构-CN201120179905.1无效
  • 张志鹏 - 无锡新纬电池有限公司
  • 2011-05-31 - 2011-12-07 - H02H7/18
  • 本实用新型涉及一种壳锂电池过充与过热报警保护结构,其包括容置盒及壳电池芯,壳电池芯上设有板片,容置盒内的顶端设有用于保护及管理壳电池芯并与外部充电电源连接的保护及平衡电路板,保护及平衡电路板与壳电池芯连接;外部充电电源通过保护及平衡电路板与壳电池芯电连接;所述容置盒内与板片相对应的侧壁上设有推动开关,推动开关与保护及平衡电路板上的关断机构相连;外部充电电源对壳电池芯过渡充电时,壳电池芯向推动开关方向膨胀,通过板片触发推动开关,使推动开关向关断机构输出关断信号,关断机构关断壳电池芯与外部充电电源的连接。
  • 锂电池过热报警保护结构
  • [发明专利]一种开关关断过程控制方法和一种开关-CN200910209601.2有效
  • 宋英华;吴学智;姚吉隆;赵研峰;克晶 - 西门子公司
  • 2009-10-30 - 2011-05-11 - H02M3/155
  • 本发明公开了一种开关关断过程控制方法,当需要关断开关中的任一主功率开关管时,包括:开通与待关断主功率开关管位于不同桥臂位置的辅助开关管,然后向LC二阶谐振电路充入能量,并确定为满足谐振电流最大值等于当前的负载电流,能量充入结束时刻;当到达能量充入结束时刻时,结束能量充入,关断与待关断主功率开关管位于不同桥臂位置的辅助开关管,并开通与待关断主功率开关管位于相同桥臂位置的辅助开关管;确定谐振电流为零时刻,从该时刻起,经过1/4谐振周期后,同时关断与待关断主功率开关管位于相同桥臂位置的辅助开关管以及待关断主功率开关管。本发明同时公开了一种开关。应用本发明所述的技术方案,能够降低开关关断过程中的额外损耗。
  • 一种开关过程控制方法
  • [实用新型]电源控制电路-CN201320813276.2有效
  • 谭学攀;毛晓亮 - 北京易世恒电子技术有限责任公司
  • 2013-12-10 - 2014-05-14 - H02H3/24
  • 本实用新型涉及一种电源控制电路,所述电源控制电路包括:电源选择电路、开关电路、电压比较电路、光电耦合器和开关启动电路。本实用新型的电源控制电路中,当内部电源电压小于安全下限电压时,光电耦合器关断所述开关电路,在开关电路关断的情况下,光电耦合器的第一输入侧的输入电压为0,则即使关断后内部电源的电压回升,电压比较电路输出高电平,也不会打开电源开关,内部电源持续停止供电,避免了内部电源频繁关断开启,对设备造成损害的情况。
  • 电源控制电路
  • [发明专利]SiC MOSFET的关断电路及方法-CN202210498816.6在审
  • 赵凤俭 - 飞锃半导体(上海)有限公司
  • 2022-05-09 - 2022-08-16 - H02M1/08
  • 本申请技术方案提供一种SiC MOSFET的关断电路及方法,所述关断电路包括:输出侧逻辑控制模块,用于接收所述SiC MOSFET的驱动脉冲信号并输出,还用于输出与所述驱动脉冲信号同步的控制信号;输出级功率放大电路,与所述输出侧逻辑控制模块电连接,并被配置为对所述驱动脉冲信号进行放大,并输出至所述SiC MOSFET;关断模块,电连接所述输出侧逻辑控制模块和所述输出级功率放大电路,且被配置为在所述SiC MOSFET发生短路或过流故障后,使驱动脉冲电压逐渐降低,以实现驱动脉冲信号的延时关断。本申请技术方案的关断电路及方法,能够在SiC MOSFET发生短路或过流故障时,实现SiC MOSFET的延时关断
  • sicmosfet断电方法
  • [发明专利]一种关断装置及功率变换设备-CN202310244606.9在审
  • 刘鸿志;耿程飞 - 深圳市英威腾电气股份有限公司
  • 2023-03-02 - 2023-05-02 - H02M1/36
  • 本发明公开了一种关断装置及功率变换设备,涉及电子器件关断控制领域,该关断装置包括关断模块、退饱和检测模块及延时模块,在目标可控开关处于退饱和工作状态时,关断模块先导通以利用其导通时的导通电压使得目标可控开关进行关断,延时模块延时第一预设时长后向驱动模块发送第一提示信号,以使驱动模块输出负压信号,进而使得目标可控开关进行负压关断,控制模块在接收到封波提示信号后延时第二预设时长后控制驱动模块停止信号输出以使目标可控开关进行封波关断该方案降低了目标可控开关的电压应力,实现了大杂感、大电流工况下目标可控开关的可靠关断,利于将母线铜排更换为其他的低成本材料,降低成本。
  • 一种装置功率变换设备
  • [发明专利]一种直流变换器-CN202210123842.0有效
  • 吴新科;范高 - 浙江大学杭州国际科创中心
  • 2022-02-10 - 2022-04-26 - H02M3/28
  • 其中,输入谐振电路能够为逆变电路提供谐振电流,以使逆变电路中至少一个开关管关断时的电流小于预设关断电流,降低逆变电路中开关管的关断损耗;输出谐振电路能够为与自身连接的整流电路提供谐振电流,以使整流电路中的至少一个开关管关断时的电流小于预设关断电流,降低整流电路中开关管的关断损耗。可见,本申请中通过分别设置输入谐振电路和输出谐振电路,能够使逆变电路及整流电路中的开关管关断时的电流小于预设关断电流,从而减小开关管的关断损耗。
  • 一种直流变换器
  • [实用新型]一种SiC IGBT驱动和保护系统-CN202020114335.7有效
  • 刘蕾;徐启轮;苑红伟;周政 - 合肥巨一动力系统有限公司
  • 2020-01-19 - 2020-08-14 - H02H7/20
  • 本实用新型公开了一种SiC IGBT驱动和保护系统,包括集成的控制单元,控制单元外还集成有驱动单元、米勒钳位单元、短路关断单元;所述驱动单元的输出管脚VO通过驱动电路连接IGBT的栅极IGBT_HG;所述米勒钳位单元的输出管脚MC通过驱动电平检测电路连接IGBT的栅极IGBT_HG;所述IGBT的发射极IGBT_HE与集电极IGBT_HC之间通过短路检测电路连接,短路检测电路的输出端连接短路关断单元的检测管脚DESAT,短路关断单元的输出控制管脚SSD连接IGBT的栅极IGBT_HG。本方案根据SiC IGBT模块的特性将米勒钳位功能与关断功能分开,简化外部电路,根据SiC模块的工作区域来实现米勒钳位与关断功能。
  • 一种sicigbt驱动保护系统
  • [实用新型]一种I型三电平保护电路-CN201621404882.9有效
  • 黄志平;汪之涵;黄辉;雷仕建;方曙东 - 深圳青铜剑科技股份有限公司
  • 2016-12-20 - 2017-09-22 - H03K17/08
  • 本实用新型提供一种I型三电平保护电路,包括门极保护电路、有源钳位保护电路、短路保护电路和驱动及关断保护电路;所述短路保护电路与IGBT的集电极连接并与所述驱动及关断电路串联,所述门极保护电路串联在所述驱动及关断电路和先通过短路保护电路和门极保护电路实现先关外管后关内管,然后采用关断保护和有源钳位电路的双重保护功能,使I型三电平的各个IGBT关断时的过电压应力都不会超过IGBT的正常工作范围,从而使I型三电平的各个IGBT和二极管都能正常关断而不会受到损坏。
  • 一种电平保护电路

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