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[实用新型]一种数字式IGBT软关断系统-CN202122988111.6有效
发明人：马继晶;岳志明;蒋小龙 -专利权人：酒泉职业技术学院（甘肃广播电视大学酒泉市分校）
申请日： 2021-12-01 - 公布日： 2022-04-12 - 主分类号： H03K17/081 文献下载
摘要：本实用新型涉及电力电子技术领域，公开一种数字式I GBT软关断系统，包括门极驱动电路A和I GBT模块Q，I GBT模块Q包括I GBT和分压电阻R0，还包括脉冲调制信号模块；分压电阻R0的一端与门极驱动电路A的输出端耦接，另一端与I GBT的发射极E连接；脉冲调制信号模块的输出与I GBT的门极G耦接，输出控制I GBT通断的门极关断信号PW_OFF，门极关断信号PW_OFF为经过脉冲调制的脉冲信号；可以适应不同I GBT模块的软开关需求，保证软开关质量。
一种数字式 igbt 软关断系统

[发明专利]三电平电路短路保护方法、装置及三电平电路-CN201310616960.6有效
发明人：伍永华 -专利权人：华为技术有限公司
申请日： 2013-11-27 - 公布日： 2017-01-11 - 主分类号： H02H7/122 文献下载
摘要：本申请实施例公开了一种三电平电路短路保护方法、装置及三电平电路，该方法包括：检测短路信号；判断是否检测到内管Q2或内管Q3的短路信号；当检测内管Q2或内管Q3的短路信号时，控制内管Q2和内管Q3进行软关断；控制外管Q1和外管Q4进行软关断或硬关断，所述内管Q2、内管Q3的关断时延都大于或等于外管Q1、外管Q4的关断时延。该方法可以控制内管Q2、内管Q3的关断时延都大于或等于外管Q1、外管Q4的关断时延，使得外管可以先于内管关断，从而无论是内管短路或者出现短路误触发，都能实现外管接近同步或领先内管先关的逻辑，有效地避免内管先行关断导致内管超压的逻辑风险
电平电路短路保护方法装置

[发明专利]一种低纹波双向软开关DC－DC电路-CN201210582628.8有效
发明人：单文锋;王骞;张东来 -专利权人：深圳市航天新源科技有限公司
申请日： 2012-12-28 - 公布日： 2013-04-10 - 主分类号： H02M3/10 文献下载
摘要：本发明涉及一种低纹波双向软开关DC－DC电路，通过所述纹波抵消单元产生一个和原输入电流变化趋势相反的电流，两者纹波电流互相抵消，大大降低输入电流纹波；采用有源软开关技术，通过控制Q3的时序，实现Q1的零电压和零电压关断，而Q3可以实现零电流开通和零电压关断。本发明的一种低纹波双向软开关DC－DC电路具有低波纹、高效率的特点。
一种低纹波双向开关 dc 电路

[发明专利]直流变换器功率开关管的软开关方法和软开关直流变换器-CN00136884.2有效
发明人：史立生 -专利权人：艾默生网络能源有限公司
申请日： 2000-12-21 - 公布日： 2003-10-08 - 主分类号： H02M3/335 文献下载
摘要：本发明公开一种直流变换器功率开关管的软开关方法和软开关直流变换器，增加了辅助的谐振电路，再配合反并联二极管、充放电电容，利用电路的谐振特性，以及电感的电流不能突变、电容的电压不能突变的特点，选择适当的时机开通和关闭主、辅助功率开关管，一并实现主功率开关的零电压零电流开通和零电压关断、辅助功率开关的零电流开通和零电压零电流关断、整流二极管的零电压关断。
直流变换器功率开关方法

[发明专利]输出短路的软恢复控制电路及其在DC-DC转换器中的应用-CN200910153619.5有效
发明人：吴剑辉;詹桦 -专利权人：杭州士兰微电子股份有限公司
申请日： 2009-09-29 - 公布日： 2010-03-17 - 主分类号： H02H7/10 文献下载
摘要：本发明提供了输出短路的软恢复控制电路及其在DC-DC转换器中的应用，初始上电过程中，FB端口的输出电压未超过设定的基准电压V9之前，软恢复控制电路的软恢复控制模块对开关模块不起作用；直到FB端口的输出电压正常后，如果FB端口的输出电压小于基准电压V9，软恢复控制模块输出关断信号至软恢复控制电路的开关控制模块，开关控制模块关断开关模块；软恢复控制模块继续检测FB端口的输出电压和负载电流，将负载电流和阈值电流进行比较，当负载电流小于软恢复控制模块的阈值电流时，软恢复控制模块开启开关控制模块，FB端口的输出电压恢复正常。
输出短路恢复控制电路及其 dc 转换器中的应用

[发明专利]输出短路的软恢复控制电路-CN201110172501.4有效
发明人：吴剑辉;詹桦 -专利权人：杭州士兰微电子股份有限公司
申请日： 2009-09-29 - 公布日： 2011-11-02 - 主分类号： H02H7/10 文献下载
摘要：本发明提供了输出短路的软恢复控制电路，初始上电过程中，FB端口的输出电压未超过设定的基准电压V9之前，软恢复控制电路的软恢复控制模块对开关模块不起作用；直到FB端口的输出电压正常后，如果FB端口的输出电压小于基准电压V9，软恢复控制模块输出关断信号至软恢复控制电路的开关控制模块，开关控制模块关断开关模块；软恢复控制模块继续检测FB端口的输出电压和负载电流，将负载电流和阈值电流进行比较，当负载电流小于软恢复控制模块的阈值电流时，软恢复控制模块开启开关控制模块，FB端口的输出电压恢复正常。
输出短路恢复控制电路

[发明专利]一种两步探测绝缘栅双极型器件短路自保护电路及其保护方法-CN201110142457.2有效
发明人：钱钦松;刘斯扬;霍昌隆;崔其晖;孙伟锋;陆生礼;时龙兴 -专利权人：东南大学
申请日： 2011-05-30 - 公布日： 2011-10-19 - 主分类号： H02H7/20 文献下载
摘要：一种两步探测绝缘栅双极型器件短路自保护电路及其保护方法，电路包括电流变化探测电路，电流探测电路，软关断保护电路和降栅压保护电路，电流变化探测电路与电流探测电路用于探测绝缘栅双极型器件短路信号，软关断保护电路与降栅压保护电路在接受到反馈信号后，采取两步关断的方式保护绝缘栅双极型器件。本发明电流探测电路并不常开，采用电流变化探测电路反馈信号来启动电流探测电路，避免了不必要的功耗；电流探测电路有两路反馈信号，分别反馈至软关断电路与降栅压电路，只需要简单的电阻、电感、场效应管、二极管、齐纳管就能实现
一种探测绝缘栅双极型器件短路保护电路及其方法

[实用新型]一种应用于大功率逆变器中的IGBT模块并联保护电路-CN201320336392.X有效
发明人：吕怀明 -专利权人：浙江海得新能源有限公司
申请日： 2013-06-13 - 公布日： 2013-11-06 - 主分类号： H02H7/122 文献下载
摘要：本实用新型专利涉及一种IGBT模块的保护电路，包括IGBT模块软关断保护模块和IGBT模块Vce饱和压降检测电路、反馈光耦构成的反馈模块。本实用新型专利保护电路的特征是对并联的IGBT模块分别进行Vce饱和压降的检测，并实现IGBT模块的软关断保护和故障报警。该保护电路能够有效检测两个或以上并联的IGBT模块中任意一个IGBT模块的直通短路故障，并通过软关断电路实现IGBT模块的安全关断，提高IGBT模块的运行可靠性。
一种应用于大功率逆变器中的 igbt 模块并联保护电路

[发明专利]一种IGBT驱动保护电路-CN201210235731.5有效
发明人：潘世高;罗蜂;黄敏 -专利权人：佛山市柏克新能科技股份有限公司
申请日： 2012-07-09 - 公布日： 2012-10-24 - 主分类号： H03K17/567 文献下载
摘要：本发明公开了一种IGBT驱动保护电路，包括驱动信号封锁控制电路、第一保护电路、欠电压保护电路，第一保护电路包括驱动功率放大电路、栅极保护电路、IGBT过温保护电路、IGBT饱和压降保护电路、降栅压软关断控制电路，第一光电耦合隔离电路的输出端依次经驱动功率放大电路、栅极保护电路后与IGBT的栅极相连，IGBT的集电极依次经IGBT过温保护电路、降栅压软关断控制电路后与驱动功率放大电路的相应输入端相连，IGBT的集电极还依次经IGBT饱和压降保护电路、降栅压软关断控制电路后与驱动功率放大电路的相应输入端相连；。
一种 igbt 驱动保护电路

[实用新型]一种IGBT驱动电路-CN201920228672.6有效
发明人：潘甲明 -专利权人：成都大奇鹰科技有限公司
申请日： 2019-02-20 - 公布日： 2019-08-30 - 主分类号： H03K19/003 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种IGBT驱动电路，涉及电子电路技术领域，包括光耦驱动电路、接口电路、输出级电路、过流检测电路及软关断电路，光耦驱动电路的输入端输入光耦控制信号，光耦驱动电路的输出端及软关断电路的输出端分别与接口电路的输入端连接，接口电路的输出端与输出级电路的输入端连接，输出级电路的输出端与IGBT的门极连接，过流检测电路的输入端与IGBT的集电极连接，其输出端与软关断电路的输入端连接；本实用新型的驱动电路驱动能力好、保护性能
输出端光耦驱动电路软关断电路输出级电路输入端连接接口电路过流检测电路本实用新型输入端电子电路技术大功率器件集电极连接保护性能控制电路控制信号驱动电路驱动能力输入光耦门极损毁驱动

[发明专利]升压及降压变换软开关拓扑电路-CN00114289.5有效
发明人：章进法;赵林冲 -专利权人：艾默生网络能源有限公司
申请日： 2000-05-17 - 公布日： 2003-12-31 - 主分类号： H02M3/22 文献下载
摘要：升压及降压变换软开关拓扑电路，谐振电容Cr和续流二极管VDf并联在辅开关VMa两端，谐振电感Lr同主开关VMm组成串联支路与所述谐振电容Cr并联，主、辅二极管VDm和VDa阴极或阳极相连。电路的控制逻辑是开通主开关VMmδ1时间再开通辅开关VMa，两者同时导通T1时间后关断该主开关，经过δ2时间又关断所述辅开关，两者同时关断T2时间再从头开始。由于是软开关，实现了零电流、零电压开通和零电压关断，因而能降低开关损耗和EMI噪音，获得较高的变流效果。
升压降压变换开关拓扑电路

[发明专利]一种I字形多电平模拟驱动电路及其软关断电路-CN201910763399.1有效
发明人：李厚涛;陈小刚;谢方南;左占国;汪令祥 -专利权人：阳光电源股份有限公司
申请日： 2019-08-19 - 公布日： 2020-11-10 - 主分类号： H02M1/088 文献下载
摘要：本发明提供的I字形多电平模拟驱动电路及其软关断电路，在I字形多电平模拟驱动电路的核心驱动模块输出关断驱动信号、控制初始关断支路切入之后，由控制电路通过输出相应的驱动信号，来控制各个递进关断支路依次切入；由于各个递进关断支路与初始关断支路并联于关断电源与I字形多电平模拟驱动电路的门极驱动模块的输入端之间，因此，切入的关断支路越多，则并联得到的等效电阻越小；而各个递进关断支路依次切入，将会导致并联得到的等效电阻逐渐减小，进而实现对于I字形多电平拓扑被控半导体的模拟式多次关断。
一种字形电平模拟驱动电路及其断电

[实用新型]一种IGBT短路保护软关断电路-CN201220510884.1有效
发明人：王少伯;李瑞英 -专利权人：北京合康亿盛变频科技股份有限公司
申请日： 2012-09-29 - 公布日： 2013-04-17 - 主分类号： H02H7/20 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种IGBT短路保护软关断电路，包括：三极管Q1、三极管Q3、三极管Q4；二极管D2、PNP三极管Q2；驱动电阻R4、驱动电阻R6、驱动电阻R7、电阻R2、限流电阻R3、限流电阻R5。本实用新型可以方便调整IGBT关断的驱动电阻，配合IGBT的集电极、发射极之间电压的测量，实现理想的IGBT短路保护软关断的效果。
一种 igbt 短路保护断电

[发明专利]一种高压碳化硅IGBT的软穿通结构-CN201910301459.8在审
发明人：王俊;刘航志;邓雯娟 -专利权人：湖南大学
申请日： 2019-04-15 - 公布日： 2019-06-28 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明涉及电力电子器件技术领域，尤其涉及本发明一种高压碳化硅IGBT的软穿通结构，通过在P+注入层和N‑漂移层之间设置N型缓冲层，并将N型缓冲层分为两层或两层以上不同的区域，针对每层区域设置不同的掺杂浓度；本发明低浓度的N型缓冲层可以把耗尽层边界在N型缓冲层中的扩展速度大幅度减慢，从而使得关断瞬态电学特性很软；在正向导通模式，N型缓冲层可以调整集电极的空穴注入效率，减小动态关断过程中的功率损耗；因此，所述软穿通碳化硅IGBT结构在抑制较高的dv/dt,di/dt电磁干扰噪音及关断功率损耗折中方面有很大优势；同时，软穿通结构IGBT高电阻率N‑漂移层厚度较薄，其正向导通压降与穿通结构一样较低。
穿通碳化硅功率损耗漂移层关断两层电磁干扰噪音电力电子器件空穴注入效率正向导通压降电学特性高电阻率关断过程区域设置正向导通耗尽层集电极注入层减小瞬态减慢掺杂

[发明专利]一种软开关三电平Boost变换器及其调制策略-CN202211714139.3在审
发明人：陈剑飞;李志超;祝子祺 -专利权人：武汉大学
申请日： 2022-12-29 - 公布日： 2023-03-31 - 主分类号： H02M3/158 文献下载
摘要：本发明涉及一种软开关三电平Boost变换器及其调制策略，包括电源Vin、电感Lm、主开关管Sm1、主开关管Sm2、二极管Dm1、二极管Dm2、输出电容Co1、输出电容Co2和两个软开关电路子单元，两个软开关电路子单元分别跨接在二极管因此本发明具有如下优点：相较于传统的三电平Boost变换器拓扑，本发明专利公布的软开关三电平Boost变换器不仅可以实现主开关管的ZVS开通和准ZVS关断，以及辅助开关管的ZCS开通和准ZVS关断，而且可以实现主功率二极管和辅助二极管的零电流关断
一种开关电平 boost 变换器及其调制策略