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[实用新型]肖特基二极管结构-CN202121280771.2有效
发明人：徐丽蓓;李小江 -专利权人：深圳市诠方半导体有限公司
申请日： 2021-06-09 - 公布日： 2021-11-30 - 主分类号： H01L23/367 文献下载
摘要：本实用新型公开了肖特基二极管结构，包括肖特基二极管结构，包括二极管本体，所述二极管本体的外表面固定连接有固定环，所述固定环的下端开设有第一卡槽，所述第一卡槽的内部卡接有第一卡块，所述第一卡块的一端固定连接有壳体本实用新型中，通过设置的壳体与散热片，能够对肖特基二极管进行散热，从而提高肖特基二极管的散热能力，能够延长肖特基二极管的使用寿命，通过设置的限位槽、顶板、滑杆、挡板、弹簧、套筒、滑槽、卡槽、第一卡块、第二卡块
肖特基二极管结构

[发明专利]肖特基二极管结构-CN201410130869.8有效
发明人：蒋柏煜 -专利权人：联发科技股份有限公司
申请日： 2014-04-02 - 公布日： 2017-11-03 - 主分类号： H01L29/872 文献下载
摘要：本发明提供一种肖特基二极管结构。其中该肖特基二极管结构包括半导体基板，具有主动区；第一阱区，形成于该主动区中，其中该第一阱区具有第一导电类型；第一掺杂区，形成于该第一阱区上，其中该第一掺杂区具有该第一导电类型；第一电极，设置于该主动区上，且覆盖该第一掺杂区；第二电极，设置于该主动区上，且接触该第一阱区；栅极结构，设置于该第一阱区上；以及第二掺杂区，形成于该第一阱区上，其中该第二掺杂区具有相反于该第一导电类型的第二导电类型，其中该栅极结构和该第二掺杂区设置于该第一电极和该第二电极之间本发明所提供的肖特基二极管结构，可降低逆向偏压条件下的漏电流。
肖特基二极管结构

[发明专利]一种碳化硅肖特基二极管芯片、电路板组件和电子设备-CN202310485922.5在审
发明人：张爱忠 -专利权人：深圳市至信微电子有限公司
申请日： 2023-04-28 - 公布日： 2023-07-04 - 主分类号： H01L27/08 文献下载
摘要：本申请提供一种碳化硅肖特基二极管芯片、电路板组件和电子设备，该碳化硅肖特基二极管芯片所述碳化硅肖特基二极管芯片包括多个肖特基二极管单元；对于每个所述肖特基二极管单元，所述肖特基二极管单元包括：阴极金属层、N型衬底层、N型外延层、阳极金属层和终端结构。通过形成多个有等同的过流能力的肖特基二极管单元，存在失效点的肖特基二极管单元不影响其他肖特基二极管单元，减少碳化硅肖特基二极管芯片由于失效点完全失效的可能性。
一种碳化硅肖特基二极管芯片电路板组件电子设备

[发明专利]一种N-P互补肖特基二极管结构-CN201010121451.2有效
发明人：黎坡 -专利权人：上海宏力半导体制造有限公司
申请日： 2010-03-10 - 公布日： 2010-08-25 - 主分类号： H01L27/08 文献下载
摘要：一种N-P互补肖特基二极管结构，包括位于同一半导体衬底上的N型肖特基二极管和P型肖特基二极管，其中，N型肖特基二极管结构中包括与轻掺杂阱区直接接触的金属硅化物，而P型肖特基二极管不包括金属硅化物层。本发明提供的N-P互补肖特基二极管结构与传统的N、P肖特基二极管均包括金属硅化物层或均不包括金属硅化物层的N-P互补肖特基二极管相比，克服了金属材料氧化对N型肖特基结特性的影响，同时克服了金属硅化物对P型肖特基结特性的影响，实现了低功耗的技术指标，使得N、P肖特基二极管均具有优良的正向和反向特性，提高了N-P互补肖特基二极管的性能。
一种互补肖特基二极管结构

[发明专利]推挽式肖特基二极管堆倍频电路及其倍频装置-CN202210512768.1在审
发明人：杜国孟;蒋兴华;雒一;陈尘;陈美玲;赵小梅 -专利权人：成都麦克韦科技有限公司
申请日： 2022-05-11 - 公布日： 2022-07-29 - 主分类号： H03B19/16 文献下载
摘要：本发明涉及推挽式肖特基二极管堆倍频电路及其倍频装置，推挽式肖特基二极管堆倍频电路包括推挽式二极管倍频电路，所述推挽式二极管倍频电路包括多个逐个电连接的肖特基二极管，所述肖特基二极管构成二极管推挽式结构；推挽式肖特基二极管堆倍频电路的倍频装置，所述倍频装置包括上述的推挽式肖特基二极管堆倍频电路。
推挽式肖特基二极管倍频电路及其装置

[实用新型]推挽式肖特基二极管堆倍频电路及其倍频装置-CN202221133163.3有效
发明人：杜国孟;蒋兴华;雒一;陈尘;陈美玲;赵小梅 -专利权人：成都麦克韦科技有限公司
申请日： 2022-05-11 - 公布日： 2022-08-30 - 主分类号： H03B19/16 文献下载
摘要：本实用新型涉及推挽式肖特基二极管堆倍频电路及其倍频装置，推挽式肖特基二极管堆倍频电路包括推挽式二极管倍频电路，所述推挽式二极管倍频电路包括多个逐个电连接的肖特基二极管，所述肖特基二极管构成二极管推挽式结构；推挽式肖特基二极管堆倍频电路的倍频装置，所述倍频装置包括上述的推挽式肖特基二极管堆倍频电路。
推挽式肖特基二极管倍频电路及其装置

[发明专利]具有抑制的少数载流子注入的碳化硅结势垒肖特基二极管-CN200680025439.3有效
发明人：柳世衡;A·K·阿加瓦尔 -专利权人：克里公司
申请日： 2006-05-10 - 公布日： 2008-07-16 - 主分类号： H01L29/872 文献下载
摘要：本发明提供了阻挡结势垒肖特基(JBS)结构中内建PiN二极管的电流传导的整合结构。肖特基二极管可以与该PiN二极管串联结合，其中肖特基二极管与PiN二极管反向相反。串联电阻和绝缘层可设于PiN二极管和肖特基接触之间。本发明还提供了碳化硅肖特基二极管和碳化硅肖特基二极管的制作方法，该碳化硅肖特基二极管包括设置于该二极管的漂移区内的碳化硅结势垒区域。该结势垒区域包括位于该二极管的漂移区内并具有第一掺杂浓度的第一碳化硅区域，以及位于该漂移区内并设置于该第一碳化硅区域和该肖特基二极管的肖特基接触之间的第二碳化硅区域。该第二碳化硅区域电学接触该第一碳化硅区域和该肖特基接触。该第二碳化硅区域具有低于第一掺杂浓度的第二掺杂浓度。
具有抑制少数载流子注入碳化硅结势垒肖特基二极管

[发明专利]一种肖特基二极管组件及其制造方法-CN201810447225.X在审
发明人：李亦衡;朱廷刚;张葶葶 -专利权人：江苏能华微电子科技发展有限公司
申请日： 2018-05-11 - 公布日： 2018-08-14 - 主分类号： H01L25/18 文献下载
摘要：本申请提供一种肖特基二极管组件及其制造方法。所述组件包括：肖特基二极管；两个稳压二极管，所述稳压二极管的击穿电压小于所述肖特基二极管的击穿电压，两个所述稳压二极管反向串联后与所述肖特基二极管并联，并与所述肖特基二极管封装在一起。利用本申请中各个实施例，可以尽可能避免肖特基二极管被反向击穿，有效提高肖特基二极管的UIS能力，有效提高肖特基二极管的可靠性。
肖特基二极管稳压二极管击穿电压反向串联反向击穿组件包括并联封装申请制造

[实用新型]一种肖特基二极管组件-CN201820699391.4有效
发明人：李亦衡;朱廷刚;张葶葶 -专利权人：江苏能华微电子科技发展有限公司
申请日： 2018-05-11 - 公布日： 2018-11-02 - 主分类号： H01L25/18 文献下载
摘要：本申请提供一种肖特基二极管组件。所述组件包括：肖特基二极管；两个稳压二极管，所述稳压二极管的击穿电压小于所述肖特基二极管的击穿电压，两个所述稳压二极管反向串联后与所述肖特基二极管并联，并与所述肖特基二极管封装在一起。利用本申请中各个实施例，可以尽可能避免肖特基二极管被反向击穿，有效提高肖特基二极管的UIS能力，有效提高肖特基二极管的可靠性。
肖特基二极管稳压二极管击穿电压反向串联反向击穿组件包括并联封装申请

[发明专利]肖特基二极管等效电路模型及其参数提取方法-CN200710094241.7有效
发明人：周天舒 -专利权人：上海华虹NEC电子有限公司
申请日： 2007-11-19 - 公布日： 2009-05-27 - 主分类号： G06F17/50 文献下载
摘要：本发明公开了一种肖特基二极管等效电路模型，不仅包括肖特基二极管的单体部分模型，同时包括和肖特基二极管的单体部分串联的寄生电阻和寄生电感部分。在模型的二个端口部分，分别并联了寄生PN结结构以及寄生的硅衬底结构。该模型完整地包括了涉及肖特基二极管物理结构的各个部分对肖特基二极管直流及高频电学特性的影响，因此可直接用于肖特基二极管直流及高频的电路仿真，可方便地用来模拟肖特基二极管直流及高频的电学特性。本发明还提出了基于上述模型的测试流程和参数提取方法，可较大地提高肖特基二极管等效电路电学模型参数的提取效率和模型对器件电学特性的拟合效果。
肖特基二极管等效电路模型及其参数提取方法

[发明专利]一种氮化镓微波整流肖特基二极管及制备方法-CN202011324390.X有效
发明人：李杨;敖金平 -专利权人：宁波铼微半导体有限公司
申请日： 2020-11-23 - 公布日： 2022-10-11 - 主分类号： H01L29/41 文献下载
摘要：本发明涉及一种氮化镓微波整流肖特基二极管及制备方法，该肖特基二极管包括：肖特基阳极，肖特基阳极包括至少两个并列的指型结构及至少一个肖特基金属连接部，相邻两个指型结构的同一侧端部通过肖特基金属连接部相连接，指型结构和肖特基金属连接部共同构成肖特基结。该二极管的肖特基阳极采用肖特基金属连接部将独立的指型结构连接，可以平衡指型结构之间的电位，降低了二极管的电阻；由于多个肖特基金属连接部引入多个馈电点，多个馈电点的引入降低了二极管的电阻，采用多个指型结构可以在电阻保持不变的情况下缩小阳极面积，从而降低了二极管结电容；进而二极管的串联电阻和结电容都得到了改善，使得二极管更适合在微波频段使用。
一种氮化微波整流肖特基二极管制备方法

[发明专利]二极管阳极结构、纵向二极管以及横向二极管-CN201610944884.5有效
发明人：邓光敏;裴轶 -专利权人：苏州捷芯威半导体有限公司
申请日： 2016-10-26 - 公布日： 2019-11-15 - 主分类号： H01L29/872 文献下载
摘要：本发明实施例公开了一种二极管阳极结构、纵向二极管以及横向二极管，涉及半导体技术领域，其中，所述二极管阳极结构包括：半导体层；至少两个第一肖特基金属层，位于所述半导体层上，与所述半导体层形成肖特基接触，得到第一肖特基势垒高度；至少一个第二肖特基金属层，位于所述半导体层上，且位于所述第一肖特基金属层之间，与所述半导体层形成肖特基接触，得到第二肖特基势垒高度。采用上述技术方案，在阳极区域与半导体形成两种势垒高度，在二极管反向关断时，第一肖特基势垒高度可以降低反向漏电，在二极管正向开启时，第二肖特基势垒高度可以降低正向开启电压，采用上述二极管阳极结构，可以保证提高二极管使用效率
二极管阳极结构纵向以及横向

[发明专利]超级结MOSFET中集成肖特基二极管的方法-CN201010605854.4无效
发明人：邱慈云;张帅;刘坤 -专利权人：上海华虹NEC电子有限公司
申请日： 2010-12-27 - 公布日： 2012-07-11 - 主分类号： H01L21/8249 文献下载
摘要：本发明公开了一种在超级结MOSFET中集成肖特基二极管的方法，为在所述超级结MOSFET中并联集成有由肖特基接触与衬底形成的肖特基二极管，其中所述肖特基二极管的阳极设置在超级结MOSFET芯片的元胞区域源端的相邻两个体区之间，所述肖特基二极管的阳极与所述超级结MOSFET的源端相连，所述肖特基二极管的阴极共用位于衬底背面的漏电极。超级结MOSFET并联肖特基二极管的结构，利用肖特基二极管的快速开关特性提高超级结MOSFET器件的反向恢复速度。
超级 mosfet 集成肖特基二极管方法

[发明专利]肖特基二极管测试方法及装置-CN201811552261.9有效
发明人：赵向阳;邢东;冯志红;徐鹏;宋旭波 -专利权人：中国电子科技集团公司第十三研究所
申请日： 2018-12-18 - 公布日： 2021-05-04 - 主分类号： G01R31/26 文献下载
摘要：本发明适用于微电子技术领域，提供了一种肖特基二极管测试方法及装置，上述方法包括：获取第一测试结构的总电容，并根据第一测试结构的总电容确定肖特基二极管的寄生电容；获取第二测试结构的总电容，并根据第二测试结构的总电容计算肖特基二极管的衬底寄生电容和空气桥引线电容；获取第三测试结构的总电感，并根据第三测试结构的总电感计算肖特基二极管的空气桥寄生电感。本发明实施例提供的肖特基二极管测试方法及装置，通过三个测试结构分别去除肖特基二极管中阴极与阳极之间的肖特基结、阴极Pad与阳极Pad之间的空气桥，并将肖特基二极管内的空气桥短接，实现了管内去嵌，解决了现有技术不能对肖特基二极管进行高频下参数准确提取的问题
肖特基二极管测试方法装置

[实用新型]一种低温升高气密性肖特基二极管-CN201621402132.8有效
发明人：洪旭峰 -专利权人：上海芯石微电子有限公司
申请日： 2016-12-20 - 公布日： 2017-07-18 - 主分类号： H01L29/872 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种低温升高气密性肖特基二极管的结构；该肖特基二极管具有缓冲层与漂移层双层外延结构，在同等面积下较传统肖特基二极管具有低的正向饱和压降低温升的优势，同时在终端引入钝化层，较传统肖特基二极管相比封装后气密性更好，提升了肖特基二极管在高温高湿环境中工作的稳定性。
一种低温升高气密性肖特基二极管

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