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[实用新型]肖特基二极管的单管封装结构及应用电路-CN202221167682.1有效
发明人：夏冠亚;雷彦;陈普选 -专利权人：北京绿能芯创电子科技有限公司
申请日： 2022-05-16 - 公布日： 2022-10-21 - 主分类号： H01L23/60 文献下载
摘要：本实用新型提供了一种肖特基二极管的单管封装结构及应用电路，包括碳化硅二极管晶圆、硅二极管晶圆和单管；所述碳化硅二极管晶圆和硅二极管晶圆封装在同一单管中；所述碳化硅二极管晶圆和硅二极管晶圆共阳极连接；或者，所述碳化硅二极管晶圆和硅二极管晶圆共阴极连接。本实用新型通过将SiC二极管晶圆和Si二极管晶圆封装到一个单管中，利用Si二极管将浪涌钳位到母线电压，解决了SiC肖特基二极管在电路应用中易受到浪涌冲击损坏的问题，降低系统失效率，提高系统可靠性。
肖特基二极管封装结构应用电路

[发明专利]多芯片直流－直流升压功率变换器的有效力封装结构-CN200810107898.7有效
发明人：弗兰茨娃·赫尔伯特;郑伟强;张艾伦 -专利权人：万国半导体股份有限公司
申请日： 2008-06-13 - 公布日： 2009-02-04 - 主分类号： H01L25/00 文献下载
摘要：一种直流－直流升压变换器的多芯片半导体封装具有输出功率肖特基二极管和受功率调节控制器(PRC)控制的低压侧垂直MOSFET。该多芯片封装包括一个有肖特基二极管和垂直MOSFET并排于其上的单芯片基座。作为替换，该单芯片基座接地，垂直MOSFET是一顶部为漏极的垂直N沟道场效应晶体管，肖特基二极管芯片的衬底是其阳极，肖特基二极管和垂直MOSFET以堆叠的方式而位于单芯片基座的上部。肖特基二极管芯片可以使用倒装结构，并以其阴极作为其衬底；或者，肖特基二极管芯片还可以以其阳极作为垫板不使用倒装芯片结构。本发明具有高效力的封装优点。
芯片直流升压功率变换器效力封装结构

[实用新型]一种射频限幅电路及射频限幅器-CN202320810428.7有效
发明人：陈德亚 -专利权人：成都华之兴电子科技有限公司
申请日： 2023-04-12 - 公布日： 2023-08-22 - 主分类号： H03G11/02 文献下载
摘要：包括依次连接的信号输入端IN、二极管对D1、扼流线圈L1、二极管对D2、肖特基二极管D3以及信号输出端OUT。其中，二极管对D1和二极管对D2的公共端通过扼流线圈L1接地，肖特基二极管D3的正极连接信号输出端OUT，肖特基二极管D3的负极接地。从而通过将二极管对和肖特基二极管组合使用，实现多级限幅，具有低门限、导通速率快的优点。并且通过扼流线圈提高限幅响应速度，实现限流闭环。
一种射频限幅电路限幅器

[发明专利]太赫兹混频天线和准光混频模块-CN201210382894.6有效
发明人：孙丽华 -专利权人：孙丽华
申请日： 2012-10-11 - 公布日： 2013-03-20 - 主分类号： H01Q1/22 文献下载
摘要：太赫兹混频天线包括第一、第二肖特基二极管、平面天线、隔直电容；第一肖特基二极管阴极与第二肖特基二极管阳极通过隔直电容相连，第一肖特基二极管阳极与第二肖特基二极管阴极直接相连或通过电阻相连；肖特基二极管位于平面天线的射频馈电端口；射频信号和本振信号通过平面天线由空间耦合馈入，经过肖特基二极管混频后输出中频信号，中频信号由平面天线最外侧以导行电流形式输出。
赫兹混频天线模块

[发明专利]光伏旁路肖特基二极管的制造工艺-CN201010612279.0无效
发明人：李健 -专利权人：常州星海电子有限公司
申请日： 2010-12-29 - 公布日： 2011-08-03 - 主分类号： H01L21/329 文献下载
摘要：本发明属于二极管的生产工艺，特别涉及一种光伏旁路肖特基二极管的制造工艺。本发明改进浇铸模压过程中采用的黑胶的成分组，本发明对肖特基二极管的生产工艺进行改进，对引线的回火处理、增大直径以及对引线端部的镦粗处理，降低了引线中的应力，提高了引线的散热能力同时还提高了二极管的抗浪涌电流冲击的能力，采用高导热低应力的黑胶，提高了肖特基二极管的导热性能，降低了二极管的表面温度，使光伏肖特基二极管能够满足接线盒内使用的要求。
旁路肖特基二极管制造工艺

[发明专利]一种集成反向二极管和内嵌漏极场板的横向扩散eGaN HEMT器件-CN201910429419.1有效
发明人：张士英;徐庆君;韦德泉;李振华;刘建波;张彬 -专利权人：山东建筑大学
申请日： 2019-05-22 - 公布日： 2023-03-31 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：本发明公开了一种集成反向二极管和内嵌漏极场板的横向扩散eGaN HEMT器件，包括GaN缓冲层、AlGaN势垒层、栅极电极、栅下绝缘层、源极电极、源极电极延伸段、源极场板、MIS肖特基二极管延伸段、MIS肖特基二极管绝缘层、p型GaN或凹槽、漏极电极、钝化层、AlN错层漏极内嵌场板，MIS肖特基二极管绝缘层制备于源极场板向MIS肖特基二极管延伸段以及AlGaN势垒层表面中间区域，二极管靠漏极侧采用p‑GaN或凹槽，提升器件击穿特性，漏极下方采用内嵌的错层场板，提升漏极向衬底抗击穿的能力，错层设计适应漏极电场自右向左的渐变型分布，提升器件的击穿特性，延长源极场板并包裹栅极，栅漏侧形成MIS肖特基二极管，二极管做成分块隔离的方式，极大地提升漏极电流。
一种集成反向二极管内嵌漏极场板横向扩散 egan hemt 器件

[发明专利]中心对称双排SiC基GaN肖特基二极管-CN202110836322.X在审
发明人：王俊龙;陈海森 -专利权人：深圳市电科智能科技有限公司
申请日： 2021-07-23 - 公布日： 2021-09-28 - 主分类号： H01L29/872 文献下载
摘要：本发明公开了一种中心对称双排SiC基GaN肖特基二极管，涉及太赫兹器件技术领域。所述二极管包括位于中间的第一焊盘以及位于第一焊盘两侧的第二焊盘，其中所述第一焊盘与左侧的第二焊盘之间形成有两个肖特基二极管结，所述第一焊盘与右侧的第二焊盘之间形成有两个肖特基二极管结，所述第一焊盘的上表面的中心形成有一条外端悬空的梁式引线所述二极管能够提高使用良率，由于所述二极管采用了双排肖特基结的结构，可以提升对输入功率的耐功率特性并可以增加输出功率。
中心对称 sic gan 肖特基二极管

[发明专利]一种散热改进型GaAs基太赫兹倍频肖特基二极管-CN201410246415.7在审
发明人：王俊龙;王晶晶;邢东;梁士雄;张立森;杨大宝;赵向阳;冯志红 -专利权人：中国电子科技集团公司第十三研究所
申请日： 2014-06-05 - 公布日： 2014-09-03 - 主分类号： H01L29/872 文献下载
摘要：本发明公开了一种散热改进型GaAs基太赫兹倍频肖特基二极管，涉及太赫兹频段肖特基二极管技术领域，包括半绝缘GaAs衬底、半绝缘GaAs衬底上的重掺杂GaAs层、重掺杂GaAs层上的低掺杂GaAs层、二氧化硅层采用高热导率的金刚石作为太赫兹肖特基倍频二极管的钝化层，大大改善了肖特基二极管的散热性能，提高了肖特基二极管的倍频效率。
一种散热改进型 gaas 赫兹倍频肖特基二极管

[实用新型]一种散热改进型GaAs基太赫兹倍频肖特基二极管-CN201420295952.6有效
发明人：王俊龙;王晶晶;邢东;梁士雄;张立森;杨大宝;赵向阳;冯志红 -专利权人：中国电子科技集团公司第十三研究所
申请日： 2014-06-05 - 公布日： 2014-10-01 - 主分类号： H01L29/872 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种散热改进型GaAs基太赫兹倍频肖特基二极管，涉及太赫兹频段肖特基二极管技术领域，包括半绝缘GaAs衬底、半绝缘GaAs衬底上的重掺杂GaAs层、重掺杂GaAs层上的低掺杂GaAs层、二氧化硅层、欧姆接触金属层和钝化层，其特征在于所述钝化层均为金刚石。采用高热导率的金刚石作为太赫兹肖特基倍频二极管的钝化层，大大改善了肖特基二极管的散热性能，提高了肖特基二极管的倍频效率。
一种散热改进型 gaas 赫兹倍频肖特基二极管

[发明专利]一种肖特基二极管的工艺设计-CN201610963476.4有效
发明人：姚剑锋;王自鑫;刘卫华;郭建平;邱晓辉;张顺;张国光;严向阳 -专利权人：佛山市蓝箭电子股份有限公司
申请日： 2016-10-28 - 公布日： 2019-10-18 - 主分类号： G06F17/50 文献下载
摘要：本发明涉及半导体集成电路制造领域，尤其涉及一种肖特基二极管的工艺设计，肖特基二极管包括半导体衬底、外延层、沟槽、栅介质层、多晶硅、肖特基接触金属、正面金属层和背面金属层，半导体衬底的上表面设置有外延层，外延层上的两端设有沟槽，沟槽内表面设置有栅介质层，沟槽内部设置有多晶硅，外延层上表面设置有肖特基接触金属，正面金属层设于肖特基接触金属的上表面，背面金属层设于半导体衬底一侧的表面。本发明利用SILVACO TCAD对肖特基二极管进行结构与电学特性建模，从而确定影响肖特基二极管的耐压与电流的模型参数，通过控制变量法，不断调整优化参数，使得肖特基二极管的击穿与可靠性达到最佳组合，从而缩短开发周期和提高成品率
一种肖特基二极管工艺设计

[发明专利]一种肖特基二极管氢气传感器芯体-CN202110155170.7有效
发明人：方海涛;李瑞武;李思佳 -专利权人：哈尔滨工业大学
申请日： 2021-02-04 - 公布日： 2023-06-06 - 主分类号： G01N27/414 文献下载
摘要：本发明涉及一种肖特基二极管氢气传感器芯体。所述肖特基二极管氢气传感器芯体由四层结构和导电引线构成，四层结构依次是氢气裂解金属层、羟基扩散阻隔层、半导体层和集流体层，从氢气裂解金属层和集流体层分别引出导电引线。本发明中所述肖特基二极管氢气传感器芯体具有室温下抗湿度干扰的特殊性能，室温下气体环境中的水蒸气不会降低所述肖特基二极管氢气传感器芯体对氢气的灵敏度，克服了现有无羟基扩散阻隔层的普通氢气裂解金属层/半导体层肖特基二极管氢气传感器芯体在室温下湿度降低其氢敏性能的缺点
一种肖特基二极管氢气传感器

[发明专利]基于碳化硅平面型MOS结构的肖特基二极管-CN202110025615.X有效
发明人：夏华忠;黄传伟;李健;诸建周;吕文生;谈益民 -专利权人：江苏东海半导体科技有限公司
申请日： 2021-01-08 - 公布日： 2022-02-11 - 主分类号： H01L29/872 文献下载
摘要：本发明涉及一种半导体器件，尤其是一种基于碳化硅平面型MOS结构的肖特基二极管。按照本发明提供的技术方案，所述基于碳化硅平面型MOS结构的肖特基二极管，在所述肖特基二极管的截面上，包括半导体衬底以及设置于所述半导体衬底上的P型阱区，在所述P型阱区的一侧设置负极区结构，在所述P型阱区的另一侧设置正极区结构，且P型阱区与位于所述P型阱区上的栅结构区接触，在所述栅结构区上设置栅极金属，所述栅极金属与栅结构区欧姆接触。本发明有效地降低该半导体器件的开关损耗和提高其开关速度，还可以实现MOS栅沟道控制肖特基二极管的开关，进而提高肖特基二极管的电学性能。
基于碳化硅平面 mos 结构肖特基二极管

[发明专利]半导体器件及其制造方法-CN201710796202.5有效
发明人：邓光敏;裴轶;朱永生 -专利权人：苏州捷芯威半导体有限公司
申请日： 2017-09-06 - 公布日： 2021-11-02 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：该半导体器件，包括基于所述衬底制作的半导体层、基于半导体层制作的欧姆源极、欧姆漏极以及位于欧姆源极和欧姆漏极之间的栅极、以及基于所述半导体层制作并与该半导体层形成肖特基接触的肖特基源极。该肖特基源极和所述欧姆源极电连接。在该半导体器件中，肖特基源极与欧姆漏极可以构成肖特基二极管。在欧姆源极为高电位，欧姆漏极为低电位时，肖特基源极与欧姆漏极构成的肖特基二极管正向开启，形成续流回路。在需要用二极管进行续流的电路中，无需外接续流二极管，可通过自带的肖特基二极管实现续流功能，降低电路成本，使电路尺寸更小，同时降低电路设计难度，降低损耗。
半导体器件及其制造方法

[发明专利]一种GaAs肖特基变容二极管及其制作方法-CN200910087347.3有效
发明人：董军荣;杨浩;吴如菲;黄杰 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2009-06-17 - 公布日： 2010-12-22 - 主分类号： H01L29/93 文献下载
摘要：本发明公开了一种GaAs肖特基变容二极管，该GaAs肖特基变容二极管包括：用于支撑整个GaAs肖特基变容二极管的GaAs绝缘衬底；在该GaAs绝缘衬底上外延生长的高掺杂N+层，在N+层上继续外延生长的普通掺杂的N型层；经过挖岛、隔离两个工艺步骤，在N型层、N+层上形成的台面结构；在N型层上蒸发金属形成肖特基接触的上电极；以及在N+层上蒸发金属形成欧姆接触的下电极。本发明同时公开了一种GaAs肖特基变容二极管的制作方法。利用本发明，在不改变肖特基二极管特性的前提下采用平面制造工艺，减小了器件体积，提高了集成度。
一种 gaas 肖特基变容二极管及其制作方法

[发明专利]集成肖特基二极管的超结功率VDMOS的版图结构及其制作方法-CN201610793478.3在审
发明人：周宏伟;任文珍;张园园;徐西昌 -专利权人：西安龙腾新能源科技发展有限公司
申请日： 2016-08-31 - 公布日： 2016-11-16 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明公开了一种集成肖特基二极管的超结功率VDMOS的版图结构，该版图结构包括N+衬底、N外延层以及在N外延层上形成的P+区域，所述P+区域由若干个矩形p‑pillar构成并且相邻两个矩形p‑pillar之间设置有间距，所述间距的区域内势垒金属Ti在p‑pillar之间的N外延层形成肖特基接触，构成肖特基二极管；还公开了一种集成肖特基二极管的超结功率VDMOS的版图结构的制作方法，通过本发明比传统的线性原胞设计的超结VDMOS体二极管正向压降更低，从而降低器件的开通损耗；本发明设计的超结VDMOS体二极管反向恢复电流峰值更小，使得体二极管的di/dt变小，从而减少器件的失效率。
集成肖特基二极管功率 vdmos 版图结构及其制作方法