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[发明专利]一种非平稳工况下IGBT模块寿命预测方法-CN201810629060.8有效
发明人：付桂翠;姜贸公;冷红艳;程禹 -专利权人：北京航空航天大学
申请日： 2018-06-19 - 公布日： 2021-07-16 - 主分类号： G01R31/26 文献下载
摘要：本发明涉及一种非平稳工况下IGBT模块寿命预测方法，包括以下步骤：步骤一：IGBT模块的退化机理调研；步骤二：IGBT模块电学模型建立；步骤三：基于Simulink的IGBT电学模型参数解耦；步骤四：考虑退化特性的结温在线监测；步骤五：窄结温幅值寿命预测模型建立；步骤六：功率循环试验平台搭建；步骤七：窄结温幅值寿命预测模型建立；步骤八：非平稳工况IGBT模块寿命预测模型。本发明首先基于器件电热模型和工作任务剖面计算出实际工况下功率模块的结温‑时间曲线，提取出相应的结温波动信息；然后，基于功率模块的寿命预测模型，计算不同结温波动对器件造成的累积损伤；最后，结合各结温应力循环次数
一种平稳工况 igbt 模块寿命预测方法

[实用新型]一种LED前照灯远近光模组上的LED结温测量电路-CN201721070868.4有效
发明人：张立;孙逊之;王佳宁;朱文翰 -专利权人：常州星宇车灯股份有限公司
申请日： 2017-08-22 - 公布日： 2018-07-03 - 主分类号： G01R31/26 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种LED前照灯远近光模组上的LED结温测量电路，通过电流采样电路采样检测LED的输出电流值I，通过LED的电流‑电压关系计算出LED理论导通电压值V1，再通过电压采样电路检测出LED的实际正向导通电压值V2，计算V2与V1的差值Vdiff，再由存储在微处理器中的结温‑电压变化关系得到LED的结温，最后根据结温来判断是否需要进行故障处理，再进行下一个结温检测循环。本实用新型根据器件的物理特性，通过测量LED的电流和正向道统电压值、并根据测量值与理论值的对比分析，最终得出结温，有效减少误差，提高LED的结温准确性。
结温本实用新型测量电路远近光模组测量电流采样电路电压采样电路正向导通电压采样检测导通电压电压变化电压关系对比分析故障处理输出电流微处理器物理特性有效减少检测正向存储

[发明专利]一种测温传感器的芯片结温测试方法、装置及存储介质-CN202110388861.1在审
发明人：郭晨华;潘晨曦;宁松浩;汪俊;杨志强 -专利权人：珠海一多监测科技有限公司;珠海一多智能科技有限公司
申请日： 2021-04-12 - 公布日： 2021-07-27 - 主分类号： G06F30/23 文献下载
摘要：本发明公开一种测温传感器的芯片结温测试方法，包括首先根据测温传感器的工作环境搭建模型试验环境，及获取测温传感器的结构参数和材料参数并创建三维热仿真模型；获取测温传感器的结温元器件并在三维热仿真模型中对结温元器件网格划分；获取并将三维热仿真模型的边界条件、环境参数通过热仿真软件耦合到模型试验环境中，从而对三维热仿真模型进行仿真以得出测温传感器的结温元器件的仿真值，以及根据仿真值得出芯片结温的预测值。本发明通过模拟预测的方式测温传感器的芯片结温的预测值，可解决现有技术中芯片结温的预测结果不可靠性等问题。本发明公开一种测温传感器的芯片结温测试装置及存储介质。
一种测温传感器芯片测试方法装置存储介质

[发明专利]一种IGBT的结温监测方法、装置和系统-CN202010466376.7有效
发明人：姬煜轲;侯婷;何智鹏;李凌飞;杨煜;李岩 -专利权人：南方电网科学研究院有限责任公司;中国南方电网有限责任公司
申请日： 2020-05-28 - 公布日： 2022-05-20 - 主分类号： G01R31/26 文献下载
摘要：本发明公开了一种IGBT的结温监测方法，包括当被测IGBT设于校准曲线测试电路中时，控制所述校准曲线测试电路测试所述被测IGBT在不同结温下的管压降，以得到所述被测IGBT的结温校准曲线；当所述被测IGBT设于热阻测试电路中时，控制所述热阻测试电路测量所述被测IGBT处于预设功率损耗下的管压降，并根据所述结温校准曲线，获取所述被测IGBT处于所述预设功率损耗下的结温，以计算所述被测IGBT的热阻；在所述被测IGBT投入实际工程运行的过程中，根据所述被测IGBT的热阻和实际功率损耗，计算所述被测IGBT的实时结温。本发明还公开了相应的结温监测装置和系统，采用本发明，能在不影响IGBT实际工程运行条件的情况下，实时监测运行过程中的IGBT的结温，且测量结果准确性高。
一种 igbt 监测方法装置系统

[发明专利]基于脉冲法的LED结温测量装置及方法-CN201710248107.1在审
发明人：陈乾 -专利权人：东南大学
申请日： 2017-04-17 - 公布日： 2017-08-08 - 主分类号： G01R31/26 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于脉冲法的LED结温测量装置及方法，包括LED特性测试仪、热特性温控仪、激励电源、照度检测探头和温控测试台。测量方法具体包括获得电压与结温的关系曲线；LED正常工作时，测量LED两端电压，根据已经求出的电压与结温的关系曲线得到LED的结温。本发明利用脉冲法测量大功率LED结温，相比传统的小电流K系数法更简便，快捷，准确；能够分别测量LED的结温和器件的表面温度以及达到稳定状态时两者之间的热阻；可以测量结温和照度的关系。
基于脉冲 led 测量装置方法

[发明专利]一种自我校准的电力电子器件温度系数校准方法-CN202011023689.1在审
发明人：邓二平;陈杰;赵雨山;王延浩;黄永章 -专利权人：华电（烟台）功率半导体技术研究院有限公司
申请日： 2020-09-25 - 公布日： 2021-01-01 - 主分类号： G01R31/26 文献下载
摘要：本发明涉及电力电子器件技术领域，具体是一种自我校准的电力电子器件温度系数校准方法，不需要通过外部加热使得整个器件处于一个温度状态，然后测量壳温等效结温，而是采用多电流测量进行反推结温，最后建立温度系数校准方法，该校准方法基于小电流下PN结压降法的理论基础，因此只适用于小电流下PN结压降结温测量法的校准，但适用于一切可以应用该结温测量法的电力电子器件，例如二极管、MOSFET和IGBT等，可以得到较为精确的温度系数校准曲线，提高了结温测量的精度。
一种自我校准电力电子器件温度系数方法

[发明专利]碳化硅控制器及其结温计算方法、计算机可读存储介质-CN202111344354.4在审
发明人：蓝中华;邵杰;高桂芬;黄可创;秦文涛 -专利权人：上汽通用五菱汽车股份有限公司
申请日： 2021-11-12 - 公布日： 2022-02-18 - 主分类号： G06F30/15 文献下载
摘要：本发明提供了一种碳化硅控制器及其结温计算方法、计算机可读存储介质，所述碳化硅控制器包括芯片及封装壳，所述结温计算方法包括采集初始温度；采集所述封装壳的壳体温度；获取比例系数；根据所述初始温度、所述壳体温度以及比例系数计算所述芯片的结温温度本发明技术方案通过对算法的优化，并且只需要采集封装壳的壳体温度，即可推算出内部的所述结温温度，也即芯片的PN结的温度。提高了计算精度以及获取所述结温温度的可靠性。
碳化硅控制器及其计算方法计算机可读存储介质

[发明专利]用于计算RF功率MOSFET的结温的方法和装置-CN201580011965.3有效
发明人：曾克秋;T·王;K·塞南 -专利权人：皇家飞利浦有限公司
申请日： 2015-03-03 - 公布日： 2019-10-11 - 主分类号： G01K7/01 文献下载
摘要：提供了一种用于计算RF功率MOSFET的结温的方法和装置。用于计算RF功率MOSFET的结温的方法包括以下步骤：在模拟域中建立RF功率MOSFET的瞬态热阻抗模型；使用双线性变换来计算瞬态热阻抗模型在时间域中的传递函数；基于瞬态热阻抗模型在时间域中的传递函数，利用采样频率和二阶IIR滤波器结构的类型来在数字域中建立结温补偿模型；并且通过向结温补偿模型输入实际输入来计算RF功率MOSFET的结温。本发明改进了在确定RF功率MOSFET结温中的准确性。
用于计算 rf 功率 mosfet 方法装置

[发明专利]车辆、控制器及其功率器件结温估计方法和装置-CN202010484278.6在审
发明人：徐呈泽 -专利权人：安徽威灵汽车部件有限公司;广东威灵汽车部件有限公司
申请日： 2020-06-01 - 公布日： 2021-12-07 - 主分类号： G01R31/26 文献下载
摘要：本申请公开了一种车辆、控制器及其功率器件结温估计方法和装置，其中，该方法包括：获取功率器件在前一采样周期内的结温及吸热功率，其中，前一采样周期为与当前采样周期相邻的采样周期；以及根据所述功率器件在前一采样周期内的结温、所述功率器件在前一采样周期内的吸热功率、及当前采样周期时长，确定功率器件在当前采样周期内的结温。由此，能够实时准确地估计功率器件的结温，提高控制器的可靠性和工作寿命。
车辆控制器及其功率器件估计方法装置

[发明专利]功率器件的保护控制方法、装置、变频控制器及存储介质-CN202211377703.7在审
发明人：颜小君;周宏明;胡斌;徐锦清;黄招彬;黄正辉;张杰楠 -专利权人：广东美的制冷设备有限公司
申请日： 2022-11-04 - 公布日： 2023-01-31 - 主分类号： H02M1/08 文献下载
摘要：本发明提出一种功率器件的保护控制方法、装置、变频控制器及存储介质，该保护控制方法包括：获取所述功率器件的工作参数；根据所述工作参数确定所述功率器件的瞬态结温；根据所述瞬态结温和预设结温，对所述功率器件的控制信号进行调整，以使所述瞬态结温低于或等于预设结温。
功率器件保护控制方法装置变频控制器存储介质

[发明专利]一种半导体器件的工作结温的实时监测方法及其装置-CN201910925557.9在审
发明人：邹扬举;刘少奇;黄南;朱武;马振宇;刘建平;周伟军;胡惇;曾宏;郭赞 -专利权人：中车株洲电力机车研究所有限公司;株洲中车时代电气股份有限公司
申请日： 2019-09-27 - 公布日： 2021-03-30 - 主分类号： G01R31/26 文献下载
摘要：本发明提供了一种半导体器件的工作结温的实时监测方法，所述半导体器件包括二极管及其配套的开关管，所述实时监测方法包括：基于二极管换流时反向恢复过程中的电压建立速率确定其工作结温；以及基于所述二极管的工作结温确定其配套的开关管的工作结温
一种半导体器件工作实时监测方法及其装置

[发明专利]实时IGBT过载保护方法-CN201910803612.7有效
发明人：丁习兵;高建涛 -专利权人：北京索德电气工业有限公司
申请日： 2019-08-28 - 公布日： 2022-04-12 - 主分类号： H02H7/20 文献下载
摘要：本发明涉及电机驱动器的安全控制领域，提出了一种实时IGBT过载保护方法，旨在解决IGBT器件过载保护中，存在过温保护精度差，对快速过载响应慢的问题。获取与IGBT模块运行相关的信息，作为运行信息；根据上述运行信息分别确定出上述IGBT模块中IGBT开关管的热损耗和二极管的热损耗；根据上述IGBT开关管的热损耗和二极管的热损耗，计算出上述IGBT模块的结温和壳温；将上述结温和上述壳温所表示的温度值分别与预设的结温阈值和壳温阈值进行比较，在上述结温大于上述结温阈值，或上述壳温大于上述壳温阈值时，确定上述IGBT模块过载，对上述IGBT模块进行过载保护。本发明实现了对IGBT模块的实时过温保护和过载保护。
实时 igbt 过载保护方法

[发明专利]一种线性稳压器热阻测试方法-CN201811159628.0有效
发明人：季轻舟 -专利权人：西安微电子技术研究所
申请日： 2018-09-30 - 公布日： 2020-10-09 - 主分类号： G01R31/28 文献下载
摘要：本发明公开了一种线性稳压器热阻测试方法，搭建线性稳压器芯片结温测试结构，采用油浴法测试线性稳压器芯片结温，然后搭建线性稳压器结到壳热阻测试结构进行线性稳压器结到壳热阻测试，确定壳温及器件施加的功率，最后计算得到线性稳压器结到壳的热阻本发明热阻测试方法操作简便，结构简洁，容易实现且成本低，采用二极管正向压降表征芯片结温，测试精度较高。
一种线性稳压器测试方法

[发明专利]一种功率器件工作结温的测试方法及系统-CN202011168857.6在审
发明人：贺勇;蔡少峰;李科;杨红伟;蒲俊德;向鑫;杨强 -专利权人：四川立泰电子有限公司
申请日： 2020-10-28 - 公布日： 2020-11-27 - 主分类号： G01R31/26 文献下载
摘要：本发明提供了一种功率器件工作结温的测试方法及系统。值；确定结温与PN结VF的对应关系；根据所述对应关系和VF1确定VF1对应结温，即工作结温。所述系统包括温控单元、脉冲驱动单元、温度测量单元、VF测量单元和控制单元；温控单元能调控功率器件温度；脉冲驱动单元能提供脉冲电压以控温；温度测量单元能测温；VF测量单元能测PN结VF值；控制单元能对测量数据进行处理，以得到工作结温，还能向脉冲驱动单元发出调整脉冲宽度的信号。本发明方法简便、测量结果准确，有利于延长功率器件寿命，所测结温能作为评判功率器件优劣的参考。
一种功率器件工作测试方法系统

[发明专利]一种电子器件结温的测量方法和装置-CN201810739764.0在审
发明人：吕贤亮;黄东巍;麻力;孙明;任翔 -专利权人：中国电子技术标准化研究院
申请日： 2018-07-06 - 公布日： 2018-10-19 - 主分类号： G01R31/26 文献下载
摘要：一种电子器件结温的测量方法和装置，属于半导体器件结温测量技术领域。主要利用了器件内部气氛随温度变化膨胀而导致器件盖板形变的原理来获得器件内部的结温。首先对非工作情况下的器件进行加热，同时通过一台激光干涉仪监测器件盖板在各温度点下的形变情况，从而获得加热温度(器件结温)与器件盖板形变的一一对应关系；然后在器件工作情况下对其盖板的形变情况进行监测，并对比非工作情况下器件盖板的形变，进而获得可获得器件的结温。本方法可以对分立器件、集成电路等器件的结温进行有效测量，相对于现有的结温测量方法有其独特的优势，具有良好的实用价值和经济效益，适用于推广应用。
结温形变器件盖板方法和装置电子器件获得器件测量盖板加热测量技术领域一一对应关系半导体器件激光干涉仪分立器件监测器件有效测量器件结温度点集成电路膨胀监测