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[发明专利]一种处理器过温保护方法、相关设备及可读存储介质-CN202310342962.4在审
发明人：杨有桂;陈才;刘付东 -专利权人：飞腾信息技术有限公司
申请日： 2023-03-31 - 公布日： 2023-07-04 - 主分类号： G06F1/20 文献下载
摘要：本申请提供一种处理器过温保护方法、相关设备及可读存储介质，应用于计算机技术领域，该方法中处理器获取自身的处理器结温，并在处理器结温大于第一温度阈值时生成第一中断信号，片外控制器响应于第一中断信号，控制冷却装置运行，并在冷却装置运行且处理器结温并未降低的情况下，进一步降低处理器的性能等级，以使处理器结温降低。本发明提供的保护方法中，处理器结温的监测以及冷却装置的控制由片外控制器实现，确保处理器挂死时仍可以有效降温，避免处理器出现物理损坏，提高处理器运行的安全性和使用寿命。
一种处理器保护方法相关设备可读存储介质

[发明专利]一种表贴场效应管老炼试验方法-CN201910090556.7有效
发明人：李硕;左洪涛;张凡;李静;杨宏兵 -专利权人：航天科工防御技术研究试验中心
申请日： 2019-01-30 - 公布日： 2021-06-08 - 主分类号： G01R31/26 文献下载
摘要：本发明公开了一种表贴场效应管老炼试验方法，涉及元器件的可靠性筛选与测试领域，方法步骤包括：步骤101：待试验器件位于不同的试验功率条件下，测量所述待试验器件的塑封面温度值；步骤102：计算出试验结温值；步骤103：依据待试验器件此时的试验结温值，调整待试验器件的试验散热模式；步骤104：判断试验时间是否超过设定试验时长，如果超过设定试验时长，断电停止试验；如果没有超过，则返回步骤101。本发明测量待试验器件的塑封面温度值，并且根据塑封面温度值结合试验结温值与功率线性关系计算待试验器件的试验结温值，获得较准确的试验结温值，进而调整散热模式，实现自主控温，有利于功率场效应管的老炼试验。
一种场效应管老炼试验方法

[发明专利]一种碳化硅功率场效应晶体管结温与电流监测系统及方法-CN202310233202.X在审
发明人：罗皓泽;金昱廷;朱安康;叶朔煜;李武华;何湘宁 -专利权人：浙江大学
申请日： 2023-03-13 - 公布日： 2023-08-08 - 主分类号： G01R31/26 文献下载
摘要：本发明公开了一种碳化硅功率场效应晶体管结温与电流监测系统及方法，包括碳化硅功率场效应晶体管S1和S2；主电路单元，与碳化硅功率场效应晶体管S1和S2相连；驱动单元，与碳化硅功率场效应晶体管S1和S2相连；温控单元，与碳化硅功率场效应晶体管S2的封装相连；结温采样单元，与碳化硅功率场效应晶体管S2的芯片相接触；电流采样单元，连接到主电路单元的回路中；光谱测量单元，设置在碳化硅功率场效应晶体管S2的表面；结温电流检测单元，分别与结温采样单元、电流采样单元和光谱测量单元连接，用于碳化硅功率场效应晶体管的结温与电流计算。本发明可在线应用于碳化硅功率器件的工作结温与电流监测，且具有检测频率较高、电流和结温误差较小的优点。
一种碳化硅功率场效应晶体管电流监测系统方法

[发明专利]一种恒温装置温度的调节方法及调节系统-CN201710646098.1有效
发明人：邓二平;陈杰;赵志斌;郭楠伟;黄永章 -专利权人：华北电力大学
申请日： 2017-08-01 - 公布日： 2019-05-21 - 主分类号： G01R31/26 文献下载
摘要：本发明公开一种恒温装置温度的调节方法及系统，调节方法包括：将恒温装置的温度调整为极限结温；当恒温装置的温度稳定在极限结温时，在待测器件的阳极和阴极之间施加幅值为0.8倍待测器件的耐压值的单脉冲方波电压，使待测器件产生期望漏电流且待测器件的结温不会升高；将恒温装置的温度调整为预设壳温；当恒温装置的温度稳定在预设壳温时，在待测器件的阳极和阴极之间施加电压值为0.8倍待测器件的耐压值的反向偏置电压；根据待测器件的实际漏电流与期望漏电流的差值调整恒温装置的温度采用本发明提供的调节方法及系统，能够使进行高温反偏实验的待测器件的结温快速准确地达到极限结温。
一种恒温装置温度调节方法系统

[发明专利]用于表征IGBT器件的结温的装置、方法和峰值检测电路-CN202310409630.3在审
发明人：王博;房新斌;孙鹏菊;赵品志;孟金磊;沈瑞华 -专利权人： ABB瑞士股份有限公司
申请日： 2023-04-17 - 公布日： 2023-06-23 - 主分类号： G01R31/26 文献下载
摘要：本发明涉及用于表征IGBT器件的结温的装置、方法和峰值检测电路。具体地，本公开实施例提供了一种用于表征IGBT器件的结温的装置，其中IGBT器件包括串联连接的第一IGBT和第二IGBT，所述装置包括：电压测量电路，被配置为在第二IGBT的开关操作期间测量第二IGBT的主发射极节点与辅发射极节点之间的第二杂散电感上的感应电压在相电流的不同半周期的不同峰值；以及结温表征器，被配置为基于不同峰值分别生成第一表征信号和第二表征信号，第一表征信号表征第一IGBT的第一结温，第二表征信号表征第二IGBT的第二结温。
用于表征 igbt 器件装置方法峰值检测电路

[发明专利]一种LED结温的设计方法-CN201310350419.5有效
发明人：杨平;刘东静;赵艳芳;李霞龙;唐昀青;宫杰;石顺义 -专利权人：江苏大学
申请日： 2013-08-12 - 公布日： 2013-11-27 - 主分类号： G06F19/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种LED结温设计方法，为LED结温性能表征和可靠性预测提供一套科学方案。利用分子动力学手段，施加背景环境温度进行驰豫，判断系统结构模型是否稳定，如果没有平衡，继续进行该步操作直至系统平衡；3）施加热流，提取结构模型的热学参数，获得模型材料的热导率；4）依据热导率和热阻的关系得到LED的结温本发明方法准确可靠，简单易行，为LED结温估算提供一套简单实用的方案，解决了目前灯具中LED实际工作中热阻和结温不能准确测量的难题，可以广泛用于产品的研发，生产等。
一种 led 设计方法

[发明专利]一种LED结温的测量装置及方法-CN201210278886.7有效
发明人：张方辉;邱西振 -专利权人：陕西科技大学
申请日： 2012-08-07 - 公布日： 2012-12-19 - 主分类号： G01K11/00 文献下载
摘要：本发明提供一种LED结温的测量装置及方法，主要是通过恒温箱控制LED温度，利用光谱分析系统得出其相对光谱，继而得出不同温度下，小电流驱动的LED结温所对应的相对光谱，选择相对光谱中某个波峰或者波谷强度作为参照，利用小电流驱动时短暂时间下的恒温箱温度近似为此时结温，来进行二者关系的拟合，得出方程，再利用方程及实际工作状态下的相对光谱强度反求出LED结温，该方法拥有正向电压法的准确性及峰值波长法的不接触测量的特点，为LED结温的高效快速测量及性能表征，优化研究等提供一套科学方案。
一种 led 测量装置方法

[发明专利]一种用于大功率IGBT的结壳瞬态热阻抗的测量方法-CN201710334867.4有效
发明人：王跃;王璋;尹诗媛;周晖;尹太元;段国朝 -专利权人：西安交通大学
申请日： 2017-05-12 - 公布日： 2020-07-28 - 主分类号： G01R31/26 文献下载
摘要：本发明公开了一种用于大功率IGBT的结壳瞬态热阻抗的测量方法，包括获取IGBT温敏参数定标曲线、获取IGBT冷却过程中结温和壳温的降温曲线、降温曲线的偏移校正和拟合降温曲线获取瞬态结壳热阻抗参数四个步骤本发明利用热敏参数法测量出大功率IGBT在冷却过程中结温的降温曲线，同时利用热电偶法获取IGBT壳温的降温曲线，然后利用曲线拟合获取IGBT的瞬态热阻抗参数。此方案操作方便，使用范围广，同时可以较为直接准确的获取IGBT内部的瞬态热阻抗参数，可以用于大功率IGBT在实际运行中预测结温变化趋势，从而进一步进行热稳定评估。
一种用于大功率 igbt 瞬态阻抗测量方法

[发明专利]基于高倍红外热成像的集成电路芯片热仿真结温校正方法-CN202310487052.5有效
发明人：龚海波;彭钊;姚静石 -专利权人：成都明夷电子科技有限公司
申请日： 2023-05-04 - 公布日： 2023-08-04 - 主分类号： G06F30/20 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于高倍红外热成像的集成电路芯片热仿真结温校正方法，建立仿真热模型并进行简化，省略掉集成电路结构模型并简化为发热晶体管区域的面积热源；基于仿真热模型导出发热晶体管区域芯片表面温度云图、芯片表面结温值；在测试平台上对芯片进行测试，使用高倍红外热成像仪检测并得到晶体管区域芯片温度场分布，导出集成电路芯片表面温度云图，得到芯片表面结温值；根据上述的芯片表面结温值得到仿真热模型的校正系数K，实现对仿真热模型校正本发明在产品设计初期即可以得出产品相应工况的结温较高准确值，提高产品散热评估准确性。
基于高倍红外成像集成电路芯片仿真校正方法

[实用新型]发光二极管结温测量装置和光照射装置-CN201320607465.4有效
发明人：高木信德;木暮靖男 -专利权人：豪雅冠得股份有限公司
申请日： 2013-09-29 - 公布日： 2014-12-03 - 主分类号： G01K11/00 文献下载
摘要：本实用新型提供一种发光二极管结温测量装置和一种光照射装置，其在短时间内、以低工作量，来高精度地测量发光二极管的结温。本实用新型的发光二极管结温测量装置中，用通过对光的波长具有规定透过性的第一滤光器108的第二受光元件，和不通过第一滤光器108的第一受光元件，检出UV-LED103的发光刚刚开始后的亮度、和从发光开始后经过规定时间到达稳定状态时刻的亮度根据以上数据，捕捉由于结温升高造成光波长向长波长一侧移动的现象，并计算出结温。
发光二极管测量装置照射

[发明专利]功率器件损耗测算方法及结温测算方法-CN201810441893.1在审
发明人：杨帅;陈建兵;牛建勇;隋明勋 -专利权人：海信（山东）空调有限公司
申请日： 2018-05-10 - 公布日： 2018-10-12 - 主分类号： G06F17/50 文献下载
摘要：本发明提出一种功率器件损耗测算方法和一种功率器件结温的测算方法。功率器件损耗测算方法，对功率器件的电流和电压进行离散化采样，并基于离散化的电流计算器件功率。功率器件结温测算方法，基于器件功率、器件壳温和器件的封装热阻，计算器件的结温。本发明提供的方法可准确测算功率器件的结温，同时使电路热设计更方便，为功率器件的过热保护提供可提升功率器件器件的可靠性，提高产品质量。
功率器件测算结温器件功率离散化电流计算封装热阻过热保护计算器件热设计采样电路

[发明专利]半导体结温计算方法、装置、计算机设备和存储介质-CN201910094244.3有效
发明人：褚旭;陈基锋;张晗;朱卉 -专利权人：上海联影医疗科技股份有限公司
申请日： 2019-01-30 - 公布日： 2021-05-18 - 主分类号： G01R31/26 文献下载
摘要：本申请涉及一种半导体结温计算方法、装置、计算机设备和存储介质。所述方法包括：获取传递给半导体部件的控制指令；将所述控制指令输入功率损耗模型，得到损耗数据；将所述损耗数据输入结温模型，得到半导体结温。避免了工作时电压、电流等电气参数的采集，简化了硬件实现架构和计算方法，并且能够根据控制指令预测实际工作时的结温状况，对异常工况进行预警，降低半导体部件和系统的故障率。
半导体计算方法装置计算机设备存储介质

[实用新型]一种感温包以及燃气壁挂炉-CN201720405638.2有效
发明人：汪俊勇;谭建明;苏玉海;熊建国;成伟 -专利权人：珠海格力电器股份有限公司
申请日： 2017-04-17 - 公布日： 2018-01-02 - 主分类号： G01K1/10 文献下载
摘要：本实用新型实施例公开的一种感温包，包括外壳，所述外壳用于检测温度的一端的最外层设置有搪瓷层。本实用新型实施例中感温包的在用于检测温度的一端的最外层设置有搪瓷层，而搪瓷层本身就具有防结垢的功能。因此，采用具有搪瓷层结垢的感温包能够减少结垢现象的产生，避免结垢后影响感温包温度检测。本实用新型还公开了一种燃气壁挂炉。
一种感温包以及燃气壁挂炉

[发明专利]一种二极管结温与结电容关系特性的测定方法-CN202210124035.0在审
发明人：许墨扬;杨智博;肖凌峰;李欣耘;程千顺;年桂君 -专利权人：吉林大学
申请日： 2022-02-10 - 公布日： 2022-05-13 - 主分类号： G01R31/26 文献下载
摘要：本发明提供一种二极管结温与结电容关系特性的测定方法，通过测定仪高效精确地测量出所测二极管的结温、结电容和结电压数值，并通过绘制拟合函数曲线，可得三者中任意二者关系，进行关于二极管特性的拓展实验，解决了目前照明式发光二极管结温测定困难的问题本发明测定仪不受二极管自身质量和外界环境等因素干扰，结合测定方法，能快速完成各种材料，数量，大小和形状的二极管的结温与结电容关系曲线的定标测量，具有精度高、操作方便等优点，有利于作为教具和相关方面测量仪器推广使用可以得到5mm绿色发光二极管的电容与结温关系在20‑120℃范围内近似为一次函数，使用该定标曲线可通过测量结电容后直接得出二极管的结温。
一种二极管电容关系特性测定方法

[发明专利]模块化多电平换流器寿命评估方法-CN201710753157.5有效
发明人：洪潮;陈雁;张野;王钢;许家友;汪隆君;钟庆 -专利权人：中国南方电网有限责任公司电网技术研究中心;南方电网科学研究院有限责任公司;华南理工大学
申请日： 2017-08-29 - 公布日： 2020-10-02 - 主分类号： G06F30/20 文献下载
摘要：Diode的基频周期内平均损耗功率Ploss,T和Ploss,D；运用福斯特网络模型，计算工作频率周期的半导体器件的平均温升Tja，得出IGBT模块(IGBTmodules,IGBTs,包含IGBT和Diode)平均结温的值Tj；根据IGBTs平均结温修正拟合计算IGBTs损耗；计算工作频率周期结温的最值，并统计全年基频结温循环；统计全年低频结温的波动信息；用Bayerer寿命模型计算半导体器件基频和低频的失效周期数Nf<本发明能可靠预测MMC寿命，通过求得电流和结温的解析表达式能有效提高预测的计算速度，具有工程实操性等特点。
模块化电平换流寿命评估方法