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[实用新型]用于梯度放大器的碳化硅功率模块-CN202221926640.1有效
发明人： 曾克秋;余辉;赵燕;杨敏 -专利权人：皇家飞利浦有限公司
申请日： 2022-07-25 - 公布日： 2023-01-10 - 主分类号： H03F3/20 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种用于梯度放大器的碳化硅功率模块，包括：并联的两个基板，其中，每个基板具有第一区域和第二区域并且包括在所述第一区域与所述第二区域之间的导电路径；设置于每个基板上的半桥功率模块，其中，所述半桥功率模块包括位于所述第一区域的上侧管芯和位于所述第二区域的下侧管芯，所述上侧管芯和所述下侧管芯分别包括多个碳化硅芯片；以及设置于每个基板上且分别与所述上侧管芯和下侧管芯相对应的上侧栅极驱动端口和下侧栅极驱动端口。分别位于所述两个基板上的包含所述上侧管芯的多个上侧碳化硅芯片和所述下侧管芯的多个下侧碳化硅芯片的管芯布局相对于彼此具有镜像对称的设计，由此实现均匀的杂散电感分布和平衡的电流分布。
用于梯度放大器碳化硅功率模块

[实用新型]用在梯度功率放大器中的输出滤波器-CN202220300635.3有效
发明人：陈良刚;曾克秋;赵燕;余辉 -专利权人：皇家飞利浦有限公司
申请日： 2022-02-15 - 公布日： 2022-11-15 - 主分类号： H02M7/537 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种用在梯度功率放大器中的输出滤波器，包括：并联的两个共模电感，其中，每个共模电感包括一个磁芯上缠绕导线构成的第一绕组单元和第二绕组单元，其分别包含匝数相同的输入和输出绕组；和并联的两个差模耦合电感。每个差模耦合电感的初级侧绕组与相应的磁芯构成初级侧电感，且每个差模耦合电感的次级侧绕组与相应的磁芯构成次级侧电感。两个差模耦合电感各自的初级侧电感串联到输出负载的两端，而两个共模电感各自的输出端与相应的初级侧电感串连。两个差模耦合电感各自的次级侧电感串连到辅助电容的两端。一个差模耦合电感的次级侧电感经由辅助电感串联到输出负载的一端，而另一个差模耦合电感的次级侧电感直接串联到输出负载的另一端。
梯度功率放大器中的输出滤波器

[实用新型]三相交流电源检测器及包括其的梯度功率放大器-CN202122530666.6有效
发明人：陈良刚;曾克秋;赵燕 -专利权人：皇家飞利浦有限公司
申请日： 2021-10-15 - 公布日： 2022-07-05 - 主分类号： G01R29/18 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种三相交流电源检测器，包括：相位检测单元，其包括第一和第二相位检测电路。所述第一相位检测电路包括第一隔离开关，三相交流电源中第一相电压和第二相电压被分别施加到第一隔离开关的第一和第二输入控制端，所述第一相位检测电路根据第一隔离开关的受控输出端的信号生成第一逻辑电平信号。所述第二相位检测电路包括第二隔离开关，所述三相交流电源中第一相电压和第三相电压被分别施加到第二隔离开关的第一和第二输入控制端，所述第二相位检测电路根据所述第二隔离开关的受控输出端的信号生成第二逻辑电平信号。所述第一和第二逻辑电平信号的高低电平的组合能反映出三相交流电源中哪一相线路缺相。
三相交流电源检测器包括梯度功率放大器

[发明专利]射频功率放大器及其组装方法-CN201980013446.9有效
发明人： 曾克秋;周聪;丁元旭;张俊阳;马俊 -专利权人：皇家飞利浦有限公司
申请日： 2019-11-08 - 公布日： 2022-05-13 - 主分类号： G01R33/36 文献下载
摘要：一种有效防止RF干扰的射频放大器组件(200)。所述射频放大器包括：导电壳体(301)，其限定所述射频放大器组件的封闭内部；导电冷却板(415)，其被设置在所述导电壳体内部并且具有第一侧面和相对的第二侧面，所述导电冷却板被配置为将所述封闭内部划分为第一封闭区域(501)和第二封闭区域(503)；以及被配备有射频信号处理电路的射频信号处理电路板(223)，所述射频信号处理电路板被定位在所述第一封闭区域中并且被设置在所述导电冷却板的所述第一侧面上；以及电源模块和控制器模块，其被定位在所述第二封闭区域中并且被设置在所述导电冷却板的所述相对的第二侧面上。
射频功率放大器及其组装方法

[发明专利]用于驱动梯度线圈的梯度放大器系统及配置方法-CN201580041575.0有效
发明人：张瑛;G·程;曾克秋 -专利权人：皇家飞利浦有限公司
申请日： 2015-07-30 - 公布日： 2020-03-10 - 主分类号： G01R33/385 文献下载
摘要：本发明涉及一种用于驱动梯度线圈的梯度放大器系统及其配置方法。所述梯度放大器系统包括：用于驱动通过所述梯度线圈的梯度电流的梯度放大器，其中，所述梯度放大器还包括梯度滤波器；控制器，其耦合到所述梯度放大器以用于控制所述梯度线圈中的所述梯度电流；反馈回路，其用于仅将所述梯度线圈中的所述梯度电流反馈到所述控制器，其中，仅基于所述梯度线圈中的所述梯度电流来配置所述控制器，并且其中，所述梯度滤波器的滤波器参数被调节，以实现表示所述梯度放大器系统(21)的期望性能的预定极点与同所述控制器相关联的有理传递函数的实际极点之间的最小偏移。
用于驱动梯度线圈放大器系统配置方法

[发明专利]用于放大射频信号的装置和方法-CN201380012275.0有效
发明人： 曾克秋;Y·刘;T·王 -专利权人：皇家飞利浦有限公司
申请日： 2013-02-20 - 公布日： 2019-12-10 - 主分类号： G01R33/36 文献下载
摘要：本发明提供了一种用于放大射频信号的装置和方法以及一种包括所述装置的MRI系统。本发明的一个方面提出了一种用于放大射频(RF)信号的装置，其包括：磁不敏感输入平衡‑不平衡转换器(10)，其用于将不平衡格式的所述RF信号转换成平衡信号；至少两组MOSFET，每组包括至少一个MOSFET(30、40)，所述至少两组MOSFET分别用于以推拉方式放大所述平衡信号；磁不敏感输出平衡‑不平衡转换器(60)，其用于将经放大的平衡信号转换成不平衡格式；磁不敏感输入匹配网络(20、20’)，其用于将所述至少两组MOSFET的输入阻抗与所述磁不敏感输入平衡‑不平衡转换器(10)的输出阻抗进行匹配；磁不敏感输出匹配网络(50、50’)，其用于将所述至少两组MOSFET的输出阻抗与所述磁不敏感输出平衡‑不平衡转换器(60)的输入阻抗进行匹配；磁不敏感保护电路(70、70’)，其用于保护直流(DC)电源不受经放大的平衡信号的影响，所述直流(DC)电源提供DC以用于驱动所述至少两组MOSFET。所提出的装置不仅具有高功率输出而且是磁不敏感的，使得其能够在诸如MRI扫描器室的强磁场的环境中操作。
用于放大射频信号装置方法

[发明专利]用于计算RF功率MOSFET的结温的方法和装置-CN201580011965.3有效
发明人： 曾克秋;T·王;K·塞南 -专利权人：皇家飞利浦有限公司
申请日： 2015-03-03 - 公布日： 2019-10-11 - 主分类号： G01K7/01 文献下载
摘要：提供了一种用于计算RF功率MOSFET的结温的方法和装置。用于计算RF功率MOSFET的结温的方法包括以下步骤：在模拟域中建立RF功率MOSFET的瞬态热阻抗模型；使用双线性变换来计算瞬态热阻抗模型在时间域中的传递函数；基于瞬态热阻抗模型在时间域中的传递函数，利用采样频率和二阶IIR滤波器结构的类型来在数字域中建立结温补偿模型；并且通过向结温补偿模型输入实际输入来计算RF功率MOSFET的结温。本发明改进了在确定RF功率MOSFET结温中的准确性。
用于计算 rf 功率 mosfet 方法装置

[其他]射频脉冲放大器和包括射频脉冲放大器的磁共振成像系统-CN201690001481.0有效
发明人： 曾克秋;P·R·哈维;C·波桑齐尼;Q·徐;龚宏伟 -专利权人：皇家飞利浦有限公司
申请日： 2016-12-21 - 公布日： 2019-07-16 - 主分类号： G01R33/36 文献下载
摘要：本实用新型的实施例提供一种用于驱动磁共振成像系统中的发射线圈的射频脉冲放大器和包括该射频脉冲放大器的磁共振成像系统。RF脉冲放大器包括信号分割器网络、多个辅助功率链和主功率链。信号分割器网络被配置为将输入脉冲信号分割为主输入信号和多个辅助输入信号。每个辅助功率链包括辅助放大器，其被配置为将辅助输入信号中的每个放大为相应的辅助放大信号。主功率链包括被顺序地串联耦合在信号分割器网络与发射线圈之间的主放大器和多个组合器。组合器分别被配置为从辅助放大器接收辅助放大信号，并且控制器被耦合到信号分割器网络以及主放大器和辅助放大器并且被配置为基于输入脉冲信号来调整辅助放大信号的相位和辅助放大器的工作点。
放大器辅助放大器信号分割器射频脉冲磁共振成像系统放大信号辅助输入信号发射线圈辅助功率输入脉冲主放大器配置主功率组合器网络本实用新型串联耦合信号分割控制器工作点耦合到放大驱动

[实用新型]一种定向耦合器-CN201220535881.3有效
发明人：刘勇;曾克秋;王涛 -专利权人：飞利浦（中国）投资有限公司
申请日： 2012-10-18 - 公布日： 2013-08-28 - 主分类号： H01P5/18 文献下载
摘要：根据本实用新型的定向耦合器包括形成在PCB基板下表面上的用作RF地的金属层以及形成在PCB基板上表面上的直导线，其用作定向耦合器的主传输线。主传输线的两端形成定向耦合器的输入和输出端口。定向耦合器还包括以一定间隙形成在主传输线两侧的至少一条导线作为耦合线，其中耦合线具有一段与主传输线平行的平行导线段以耦合主传输线的信号，耦合线的所述平行导线段的两个端部中的至少一个设置有电容增强结构，并且耦合线的所述平行导线段的两端通过引出结构从PCB基板引出以形成定向耦合器的耦合输出端口。由于在耦合线的平行导线段的端部设置电容增强结构，因此使得可以在远小于四分之一波导波长的紧凑结构上实现可接受的定向性性能。
一种定向耦合器

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