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[发明专利]车辆中结温估算参数的确定方法、装置和车辆-CN202310813076.5在审
发明人：刘佳男;潘彦全;刘志强;王斯博;岳云峰 -专利权人：中国第一汽车股份有限公司
申请日： 2023-07-04 - 公布日： 2023-10-24 - 主分类号： G01R31/26 文献下载
摘要：本发明公开了一种车辆中结温估算参数的确定方法、装置和车辆。该方法包括：获取车辆中功率器件在不同工况下的工况数据，其中，工况数据用于表示功率器件在不同工况下的工作状态，工况数据包括以下至少之一：运行数据、损耗数据和温度数据；对工况数据进行拟合，得到功率器件的初始结温估算参数；对初始结温估算参数进行修正，得到功率器件的结温估算参数。本发明解决了确定结温估算参数难度较大的技术问题。
车辆中结温估算参数确定方法装置

[发明专利]功率半导体器件损伤度确定方法、装置、设备及存储介质-CN202310108889.4在审
发明人：宋辉;张太之;曹玉昭;殷威 -专利权人：汇川新能源汽车技术（常州）有限公司
申请日： 2023-02-13 - 公布日： 2023-05-23 - 主分类号： G01R31/26 文献下载
摘要：本发明公开了一种功率半导体器件损伤度确定方法、装置、设备及存储介质，通过获取功率半导体器件的结温采样数据；根据结温采样数据确定结温极值，并确定各个结温极值对应的结温差；根据各个结温极值对应的结温差和预设温度区间确定结温差数量与预设温度区间的对应关系；根据结温差数量与预设温度区间的对应关系确定功率半导体器件的损伤度，根据该损伤度即可确定功率半导体器件的剩余寿命，在处理数据时降低每次输入的数据量，解决了目前评估功率半导体器件寿命时需要启动到停止的所有数据
功率半导体器件损伤确定方法装置设备存储介质

[发明专利]一种晶闸管结温在线检测系统及检测方法-CN202211457670.7在审
发明人：陈忠;杨为;谢佳;胡迪;官玮平;罗皓泽 -专利权人：国网安徽省电力有限公司电力科学研究院;浙江大学
申请日： 2022-11-18 - 公布日： 2023-03-03 - 主分类号： G01K7/01 文献下载
摘要：本发明公开了一种晶闸管结温在线检测系统及检测方法，包括主电路单元，与晶闸管相连，用于为晶闸管提供直流母线电压和导通电流；驱动单元，与晶闸管相连，用于控制晶闸管的导通过程；温控单元，用于调控晶闸管在结温标定和实际工作中的环境温度；采样单元，与主电路单元和温控单元连接；结温检测单元，存储有数据库和函数模型，与采样单元、驱动单元和晶闸管相连。由采样单元采集晶闸管的直流母线电压、晶闸管导通电流、驱动电流，由结温检测单元采集晶闸管门极电压；利用上述参数通过查询数据库或函数模型计算反推得到晶闸管的工作结温。本发明可以实时检测晶闸管工作结温，具有较高的精度和分辨率。
一种晶闸管在线检测系统方法

[发明专利]一种基于阴极短路结构晶闸管的结温监测系统及方法-CN202310522167.3在审
发明人：罗皓泽;蒙慧;陈忠;朱安康;杨为;管玮平 -专利权人：浙江大学;国网安徽省电力有限公司电力科学研究院
申请日： 2023-05-10 - 公布日： 2023-09-29 - 主分类号： G01R31/26 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于阴极短路结构晶闸管的结温监测系统及方法，包括主电路单元，与被测的晶闸管直接相连；温控单元，用于调控晶闸管在结温标定和实际工作中的环境温度；栅极驱动和测量单元，与晶闸管的栅极和阴极直接相连；采样单元，与主电路单元和温控单元连接；结温检测单元，存储有栅极非触发电流情况下的栅极电压数据库和函数模型，与采样单元相连。由采样单元采集晶闸管的栅极电流和门极电压；结温监测单元根据采集到的栅极电流和门极电压，查询内部存储的数据库和函数模型，然后计算反推得到晶闸管的工作结温。本发明可以实时检测晶闸管工作结温，具有较高的精度和分辨率。
一种基于阴极短路结构晶闸管监测系统方法

[发明专利]一种发光二极管的结温测量方法及应用-CN201510742614.1有效
发明人：招瑜;庞洲骏;魏爱香;刘俊;肖志明 -专利权人：广东工业大学
申请日： 2015-11-05 - 公布日： 2018-06-12 - 主分类号： G01K7/01 文献下载
摘要：本发明的一种发光二极管的结温测量方法包括有以下步骤（1）确定定标关系及（2）测量电容确定结温两大步骤。该发光二极管的结温测量方法利用正向电容随温度明显变化的原理，通过监测LED工作时自身的结区电容的变化，并和事先测量的定标关系进行对比，获得LED结区的温度，从而获得了LED芯片工作状态的结温。与现有的大多数结温测量技术相比，本发明的优点主要在于：1）由于只需一次定标测量，测量误差小；2）定标曲线线性关系较好；3）操作简单易行；4）仅需常规的电学测试装置。
结温测量发光二极管电容定标电学测试定标测量定标曲线线性关系常规的结区正向监测应用

[发明专利]一种功率半导体器件的结温提取方法-CN202110134810.6有效
发明人：刁利军;刘博;王磊;刁利坚;刘新博;任家辉;张艳 -专利权人：北京交通大学;北京同力智达科技有限公司
申请日： 2021-02-01 - 公布日： 2022-02-08 - 主分类号： G01R31/26 文献下载
摘要：本发明涉及了一种功率半导体器件的结温提取方法，通过仿真软件搭建双脉冲实验电路，以SiC MOSFET为例，选其作为开关管，测量功率器件漏源电压vds的电压尖峰和功率半导体的结温，分析发现引起电压尖峰的原因包括跨导系数、门极阈值电压以及栅漏电容，而这些影响因素同样受到结温影响，通过仿真实验得到结温和关断电压尖峰存在着负的对应关系。该方法对开关管两端的电压波动有着很好的屏蔽作用，只需通过测量漏源电压vds的尖峰即可得到结温大小，该方法测量过程相较于其他结温提取方法读数更容易，精确度更高。
一种功率半导体器件提取方法

[发明专利]正弦逆变器IGBT结温波动计算方法-CN201611255694.9有效
发明人：程炜涛;李发宝;王海军;叶甜春 -专利权人：江苏中科君芯科技有限公司
申请日： 2016-12-30 - 公布日： 2019-06-11 - 主分类号： H02M7/48 文献下载
摘要：本发明涉及一种正弦逆变器IGBT结温波动计算方法，其特征是，包括以下步骤：（1）结合正弦逆变器，根据正弦逆变器输出电流、母线电压计算出IGBT和FRD的导通损耗P_cond和开关损耗+P_cond；（2）根据IGBT热阻测试结果，将热阻等效为局部网络热模型；（3）将损耗到局部网络热模型进行迭代，求出相应条件下的正弦逆变器的功率器件（IGBT）的最大结温和平均结温本发明能够准确计算结层温度和结温波动，使得在开发的初始阶段，就能够根据所选取的功率器件知道相应的结温和结温波动。
正弦逆变器 igbt 波动计算方法

[发明专利]IGBT开关频率的控制方法、装置及电梯驱动系统-CN201711316012.5在审
发明人：刘真;仲兆峰;黄立明;方敏;郭耀;秦鹏;袁俊波;荣洪凯 -专利权人：日立楼宇技术(广州)有限公司
申请日： 2017-12-12 - 公布日： 2019-06-21 - 主分类号： H03K17/567 文献下载
摘要：该方法包括：获取绝缘栅双极型晶体管IGBT的实时结温值；当所述实时结温值大于预设结温阈值时，获取所述实时结温值与所述预设结温阈值的差值；将所述差值经过PI调节器进行运算，得到运算结果；将所述运算结果与所述
结温电梯驱动系统开关频率运算结果预设绝缘栅双极型晶体管IGBT 主动热管理使用寿命选择控制热损耗阈值时运算

[发明专利]一种LED阵列结温测量方法、装置及系统-CN201911121809.9在审
发明人：褚静 -专利权人：常州工学院
申请日： 2019-11-15 - 公布日： 2020-02-25 - 主分类号： G01R31/26 文献下载
摘要：本发明涉及LED阵列结温测量，具体公开了一种LED阵列结温测量方法、装置及系统，其中该装置包括信息获取模块和计算模块，所述信息获取模块用于获取LED阵列两端的电压值VF、电流值IF、LED阵列内LED灯珠的连接方式和LED阵列内LED灯珠的个数N，所述计算模块用于计算LED阵列电阻值R并根据电阻值R与结温T之间的线性关系以及LED电阻温度系数，计算出LED阵列的结温数值。本发明能够减少LED结温测量设备投入成本以及减小测量温差。
一种 led 阵列测量方法装置系统

[发明专利]用于确定功率半导体器件的结温的方法和装置-CN202110463113.5在审
发明人：臧晓云;柳绪丹 -专利权人：罗伯特·博世有限公司
申请日： 2021-04-27 - 公布日： 2022-11-15 - 主分类号： G01K7/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种用于确定功率半导体器件的结温的方法和装置。所述方法包括：获取包括功率半导体器件的电力驱动装置的工况信息；获取电力驱动装置的与工况信息对应的装置温度；通过预先训练的神经网络根据获取的工况信息和装置温度，确定功率半导体器件的结温。根据本发明的用于确定功率半导体器件的结温的方法和装置，能够通过预先训练的神经网络根据包括功率半导体器件的电力驱动装置的相关信息来确定功率半导体器件的结温，提高了确定功率半导体器件的结温的便捷性和准确性。
用于确定功率半导体器件方法装置

[发明专利]MCU芯片热阻值准确度的检测方法、装置、设备及介质-CN202211566172.6有效
发明人：刘新华 -专利权人：北京紫光芯能科技有限公司
申请日： 2022-12-07 - 公布日： 2023-03-21 - 主分类号： G01R31/28 文献下载
摘要：所述方法包括：获取MCU芯片的结温测量值、壳温、热阻值和电路数据；根据所述电路数据计算所述MCU芯片的功耗；利用所述壳温、所述热阻值和所述功耗计算所述MCU芯片的结温理论值：比较所述结温测量值和所述结温理论值
mcu 芯片阻值准确度检测方法装置设备介质

[发明专利]双极型晶体管工作在放大区的结温实时测量方法-CN201610985242.X有效
发明人：郭春生;丁嫣;姜舶洋;冯士维;苏雅 -专利权人：北京工业大学
申请日： 2016-11-09 - 公布日： 2019-06-07 - 主分类号： G01R31/26 文献下载
摘要：双极型晶体管工作在放大区时结温的实时测量方法，属于半导体器件测试领域。本发明在双极型晶体管工作在不同集电结电压V_ce和集电极电流I_ce的条件下测量出发射结电压与温度的V_be‑T关系曲线，通过拟合得到校温曲线的函数表达式，并在不同集电结电压V_ce条件下分别构建I_ce‑V_be‑T的结温库。当晶体管工作在放大区时，根据加电条件，即集电结电压V_ce和集电极电流I_ce的数值，和实时测量出的发射结电压V_be，带入函数表达式即可得知该时刻的结温该方法拟合出不同加电条件下的校温曲线并得出相应的函数表达式，只需将实时测量出的发射结电压带入其中即可得到此时刻的结温。该方法科学合理，误差较小，是一种高效的结温实时测量方法。
双极型晶体管工作大区实时测量方法

[发明专利]芯片级热特性分析方法、装置及终端设备-CN202111482052.3在审
发明人：郜佳佳;王绍东;李江波 -专利权人：中国电子科技集团公司第十三研究所
申请日： 2021-12-06 - 公布日： 2022-03-08 - 主分类号： G06F30/20 文献下载
摘要：本申请适用于功率芯片技术领域，提供了芯片级热特性分析方法、装置及终端设备，该芯片级热特性分析方法包括：获取芯片的参数，计算芯片单个功率管的温升；根据芯片的参数和芯片单个中心热源的温升，得到芯片中功率管的热量分布；基于功率管的热量分布，进行内部热量再分配，得到功率管的结温；根据功率管的结温，迭代计算功率管的衬底热导率，直至功率管的衬底热导率偏差满足输出要求。本申请在设计阶段输入芯片的尺寸、装配等设计信息，即可实现结温、热阻、瞬态结温等热学参数的预测，通过验证，结温预测误差在10％以内，避免了流片→测试→修正这一迭代过程，缩短了研发周期，显著提高了设计效率。
芯片级特性分析方法装置终端设备

[发明专利]一种模块化多电平换流阀损耗确定方法及简化方法-CN201711131795.X有效
发明人：高剑剑;齐磊;仝翠芝;王鑫;易荣;岳伟 -专利权人：华北电力大学;荣信汇科电气技术有限责任公司
申请日： 2017-11-15 - 公布日： 2019-10-01 - 主分类号： H02J3/36 文献下载
摘要：该方法包括：根据功率器件的结温值和功率损耗构造温升函数；构造真实温升函数f₂(T_{j_*})＝T_{j_}*‑T_R；求出所述温升函数与所述真实温升函数的交点，所述交点对应的结温值即为所述功率器件长期工作稳定后的真实结温；根据所述真实结温得到所述功率器件的真实损耗；根据多电平换流阀子模块内所有功率器件的所述真实损耗得到所述子模块的总损耗；根据公式P
一种模块化电平换流损耗确定方法简化

[发明专利]一种印制电路板结露腐蚀模拟试验装置及方法-CN202310744378.1在审
发明人：肖葵;宋嘉良;张新;江紫雪;陈俊航;董超芳;吴俊升 -专利权人：北京科技大学
申请日： 2023-06-21 - 公布日： 2023-09-05 - 主分类号： G01N17/00 文献下载
摘要：本发明公开一种印制电路板结露腐蚀模拟试验装置及方法，包括保温密闭试验箱体，保温密闭试验箱体内设置有结露温控组件，结露温控组件与设置在保温密闭试验箱体外的液体循环组件连通；保温密闭试验箱体连通有混合气体组件和尾气处理组件；保温密闭试验箱体内设置有检测组件；结露温控组件包括结露控温试验平台，结露控温试验平台用于水平固定印制电路板试验样品；结露控温试验平台与结露温控组件连通；结露温控组件包括液体加热循环装置和液体制冷循环装置，液体加热循环装置和液体制冷循环装置分别与结露控温试验平台连通。本发明可实现温度、湿度、结露、流动气体和电偏压等多因素耦合下的可靠性评价试验，同时可保障各因素的精确调控。
一种印制电路板结腐蚀模拟试验装置方法