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[发明专利]一种Ag纳米线/ZIF超薄纳米片复合材料、制备方法和应用-CN202010042693.6在审
发明人：庞欢;刘洋溢 -专利权人：扬州大学
申请日： 2020-01-15 - 公布日： 2020-06-05 - 主分类号： C08G83/00 文献下载
摘要：本发明提供了一种Ag纳米线/ZIF超薄纳米片复合材料、制备方法和应用，包括以下步骤，将可溶性金属源、有机配体、Ag纳米线和溶剂混合形成反应溶液，搅拌一段时间后得到Ag纳米线/ZIF超薄纳米片复合材料。本发明利用一维无机金属纳米线材料作为模板诱导制备了二维超薄金属有机框架纳米片，具体以一维Ag纳米线为模板材料，采用外延生长法得到超薄ZIF纳米片，其表面平整，尺寸均一，生长在Ag纳米线的周围，该制备方法操作简单，无需复杂设备，条件温和，模板材料容易获得，过程可控，原材料来源广泛，有利于工业化实现，所制备出的复合纳米材料在光电催化、电子器件、能源存储、光电探测等领域具有非常广泛的应用前景。
一种 ag 纳米 zif 超薄复合材料制备方法应用

[发明专利]一种电子器件及其制作方法、电子设备-CN202011376950.6在审
发明人：余林蔚;张廷;刘宗光;王军转;刘俊彦;陈英杰;刘至哲;吴欣凯;刘云飞 -专利权人：荣耀终端有限公司
申请日： 2020-11-30 - 公布日： 2022-06-03 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本申请实施例提供一种电子器件及其制作方法、电子设备，涉及半导体技术领域。用于在平面内生长纳米线。该电子器件可以包括衬底以及至少一条纳米线。其中，衬底上具有至少一条沟槽。纳米线嵌入沟槽内。该沟槽具有至少一个槽壁，一条纳米线沿沟槽的一个槽壁延伸，且与沟槽的槽底相接触。沟槽的槽壁具有导向作用，使得纳米线可以沿槽壁的延伸方向，在沟槽的槽底所在的平面内生长，有利于电子器件的大规模制作。因此当纳米线在沟槽的槽底所在的平面内生长时，有利于电子器件在电路板上的大规模集成。
一种电子器件及其制作方法电子设备

[发明专利]硅纳米线阵列膜电极的制备方法-CN200910024187.8有效
发明人：黄睿;朱静 -专利权人：清华大学
申请日： 2009-09-30 - 公布日： 2010-06-02 - 主分类号： H01M4/04 文献下载
摘要：高性能锂离子电池阳极——硅纳米线阵列膜电极的制备方法，用金属催化腐蚀硅晶片，经过两次腐蚀将单晶硅片腐蚀成完全由硅纳米线组成的硅纳米线阵列膜；并采用两种不同的工艺制作成电极：一种是用真空热蒸镀的方法在硅纳米线阵列膜背面镀铝膜，经退火形成Si-Al合金，作为电流收集器；另外一种是在硅纳米线阵列膜表面包裹碳气凝胶，经过真空烧结，碳气凝胶热解成碳，作为电流收集器；本发明制备的硅纳米线阵列膜作为阳极组装的锂离子电池具有大的锂存储容量，高的库伦效率和好的循环稳定性，并且本发明操作简便、重复性好、不需要复杂设备。
纳米阵列电极制备方法

[发明专利]有机薄膜晶体管的制作方法-CN201710245003.5有效
发明人：梁博;王威 -专利权人：武汉华星光电技术有限公司
申请日： 2017-04-14 - 公布日： 2019-05-28 - 主分类号： H01L51/40 文献下载
摘要：本发明公布了一种有机薄膜晶体管的制作方法，包括：在金属基板的表面形成石墨烯层；覆盖有机溶液于所述石墨烯层的表面，并加热所述石墨烯层以在所述石墨烯层表面形成有机半导体纳米线；转移所述有机半导体纳米线至目标基板在金属基板表面大规模形成石墨烯层，以石墨烯层为基底大规模生长有机半导体纳米线(单晶半导体)，有机半导体纳米线转印于目标基板后形成有机薄膜晶体管的有机半导体层，大面积的金属基板表面可以一次性形成大量的有机半导体纳米线，可以快速、高质量的将金属基板的有机半导体纳米线大规模的转移到目标基板，降低制作过程耗时，满足大规模生产需求，显示设备的产能高，降低了生产成本。
有机薄膜晶体管制作方法

[发明专利]一种基于PET薄膜的模拟型纳米线阵列忆阻器及制备方法-CN201610500658.8有效
发明人：刘儒平;王慰 -专利权人：北京印刷学院
申请日： 2016-06-29 - 公布日： 2018-09-21 - 主分类号： H01L45/00 文献下载
摘要：本发明提供了一种基于PET薄膜的模拟型纳米线阵列忆阻器，其特征在于，包括丝印金属上电极层、丝印金属下电极层及位于二者之间的纳米线阵列层；所述纳米线阵列层为金属‑有机络合物纳米线阵列层，该阵列层垂直生长于丝印下电极层表面本发明提供一种能够用于可穿戴设备的柔性纳米线阵列忆阻器，在外加电场作用下，其电阻发生改变。该纳米线阵列忆阻器可以用作一种存储器件，且便于插取，该柔性薄膜忆阻器的制造方法简单，成本低，具有重要的应用价值。
一种基于 pet 薄膜模拟纳米阵列忆阻器制备方法

[发明专利]一种特征尺寸可调控周期性纳米线宽样板及其制备方法-CN201910591943.9有效
发明人：张易军;王琛英;任巍;蒋庄德;刘明;叶作光;毛琦 -专利权人：西安交通大学
申请日： 2019-07-02 - 公布日： 2021-01-19 - 主分类号： C23C16/455 文献下载
摘要：本发明提供的一种特征尺寸可调控周期性纳米线宽样板的制备方法，利用在薄膜厚度控制和三维均匀性方面最好的ALD技术制备具有精确厚度的周期性纳米叠层薄膜，然后通过切割，对粘和研磨抛光等微纳加工技术，将纳米薄膜的厚度转化为纳米线宽样板的特征尺寸，即突破了传统光刻+刻蚀技术无法加工小尺寸纳米线宽样板的技术极限，又可大大提高纳米线宽样板的加工精确度和可重复性，这对制备高精度和高质量纳米线宽样板具有重要意义。该方法制备过程简单易行，与现有产业化半导体制备工艺流程相兼容，可以以廉价的成本和简单的设备制备出高质量周期性纳米线宽样板。
一种特征尺寸调控周期性纳米样板及其制备方法

[发明专利]一种超级电容器用Ni3-CN201911202092.0有效
发明人：李中春;田美姣;王迪;顾爱军;周志豪 -专利权人：江苏理工学院
申请日： 2019-11-29 - 公布日： 2021-11-02 - 主分类号： H01G11/24 文献下载
摘要：本发明公开一种超级电容器用Ni3Se4纳米线的制备方法，属于储能材料制备领域。制备过程为：首先在无模板和表面活性剂的条件下制备氢氧化镍纳米线前驱体；然后以氢氧化镍纳米线为自模板进行硒化反应，即可得到Ni3Se4纳米线。本发明的制备方法简便易行，不需要复杂设备，成本低廉；制备的Ni3Se4纳米线分布均匀。在碱性电解质中，Ni3Se4纳米线具有较大的比容量和良好的倍率性能，是一种有发展前景的超级电容器电极材料。
一种超级电容器用 ni base sub

[发明专利]一种非晶碳修饰SiC纳米线连续三维网络结构吸波泡沫及其制备方法-CN202010028587.2有效
发明人：王红洁;蔡志新;苏磊;牛敏;卢德 -专利权人：西安交通大学
申请日： 2020-01-11 - 公布日： 2021-04-20 - 主分类号： C04B35/80 文献下载
摘要：本发明公开了一种非晶碳修饰SiC纳米线连续三维网络结构吸波泡沫及其制备方法，将碳源溶液分散到SiC纳米线连续三维网络结构中，SiC纳米线表面的非晶碳层作为SiC纳米线之间的粘结剂，形成一个连续的三维多孔网络结构泡沫，泡沫中非晶碳层在SiC纳米线上分布均匀，且与SiC有良好的界面结合。该制备方法简单易行、对设备要求低、可量产；经该方法制得的泡沫质量轻、吸收频带宽，保证了SiC纳米线连续三维结构的稳定性。
一种非晶碳修饰 sic 纳米连续三维网络结构泡沫及其制备方法

[发明专利]一种核壳异质结构磁性纳米线及其制备方法与应用-CN202110796989.1有效
发明人：杨平安;屈正微;李锐;黄宇轩;黄鑫;寿梦杰;吴德成;周志浩 -专利权人：重庆邮电大学
申请日： 2021-07-14 - 公布日： 2022-09-30 - 主分类号： B22F1/054 文献下载
摘要：本发明公开的是一种核壳异质结构磁性纳米线及其制备方法与应用，属于纳米线材料技术领域。核壳异质结构磁性纳米线中以铁纳米线为核、银为壳，采用磁场辅助诱导液相还原法，结合层‑岛生长模式制备，具有优良的导电性、抗氧化性耐腐蚀性和吸波性能。核壳异质结构磁性纳米线中铁磁性纳米线中Fe和Ag的摩尔比为1:0.3‑1.1，最小反射损耗达到‑58.69dB，小于等于‑10dB反射率的有效吸收带宽5.78‑13.10GHz。本发明具有条件温和、设备简单、重复性好、周期短、可规模化生产等优点，在微波吸收、电催化、柔性透明导电薄膜、表面增强拉曼光谱等方面有广泛的应用前景。
一种核壳异质结构磁性纳米及其制备方法应用

[发明专利]一种银金核壳纳米线掺杂的凝胶薄膜及其制备方法和应用-CN202111586084.8有效
发明人：王腾蛟;刘荣珺;冯卓雅;陈润泽;黄维;李鹏 -专利权人：西北工业大学
申请日： 2021-12-21 - 公布日： 2023-07-04 - 主分类号： B22F1/17 文献下载
摘要：本发明提供一种银金核壳纳米线掺杂的凝胶薄膜及其制备和应用。制备方法采用下述步骤：1)制备银纳米线；2)以银纳米线为模板制备银金核壳纳米线；3)在此基础上继续制备Ag@Au‑PEDOT纳米线；4)接着采用丙烯酸二甲氨基乙酯单体以及苯乙烯磺酸盐单体制备聚(苯乙烯磺酸盐‑co‑丙烯酸二甲氨基乙酯)凝胶，与Ag@Au‑PEDOT纳米线掺杂，得到了具备自愈合、高导电、可延展的凝胶薄膜Ag@Au‑PEDOT/p(SS‑co‑DMA)。该凝胶薄膜经过一系列的力学性能、微观形貌、导电性能、自愈合性能的分析测试，确定所制备的凝胶薄膜具备优良的自愈合性能、高导电性能以及可延展性能，可以应用于柔性可穿戴设备集成中。
一种银金核壳纳米掺杂凝胶薄膜及其制备方法应用

[发明专利]一种在有序多孔氧化铝模板中制备银纳米线阵列的方法-CN201110200278.X无效
发明人：杨修春;陆伟;候军伟;韩珊珊 -专利权人：同济大学
申请日： 2011-07-18 - 公布日： 2011-11-23 - 主分类号： C23C18/14 文献下载
摘要：本发明属于纳米材料制备领域，公开了一种在有序多孔氧化铝模板中制备银纳米线阵列的方法，该方法包括以下步骤：(1)将高纯铝片进行退火，超声清洗，去除自然氧化膜，进行电化学抛光，进行二次阳极氧化，去除未氧化的铝基底，通孔，制备出双通的有序多孔氧化铝模板；(2)采用双室化学沉积法，在有序多孔氧化铝模板中填充溴化银纳米线；(3)用紫外灯照射填充溴化银纳米线后的有序多孔氧化铝模板，溴化银发生光解，在有序多孔氧化铝模板中形成银纳米线阵列本发明方法简化了银纳米线阵列的制备过程，对实验设备要求低，操作简单，成本低，有利于银纳米线阵列在有序多孔氧化铝模板中低成本快速填充。
一种有序多孔氧化铝模板制备纳米阵列方法

[实用新型]一种基于碲纳米线垂直结构的热电-压电器件-CN202122950058.0有效
发明人：邰凯平;向征;赵洋;喻海龙;胡振清;徐明;聂鹏程;何娟 -专利权人：中国科学院金属研究所
申请日： 2021-11-29 - 公布日： 2022-07-22 - 主分类号： H01L35/16 文献下载
摘要：本实用新型属于传感器以及材料制备领域，涉及一种基于碲纳米线垂直结构的热电‑压电器件，整体为上下垂直的三明治结构，从下往上为：柔性导电基底、多根碲纳米线、PDMS层以及柔性电极板，多根碲纳米线垂直生长在柔性导电基底上，在柔性导电基底上滴定旋涂形成PDMS层，PDMS层部分包覆固定碲纳米线，多根碲纳米线的顶部连接柔性电极板。该热电‑压电器件同时具有热电与压电双传感效应，相较于传统的压电和热电传感器，双集成器件更适用于智能可穿戴电子设备。且制备的碲纳米线工艺方法简单，成本低廉，不通过复杂的化学反应方法，具有有绿色环保，环境友好型的特点，可实现大规模制备。
一种基于纳米垂直结构热电压电器件

[实用新型]一种干浆工艺的保鲜米线自动化生产线-CN202223441150.5有效
发明人：马航;吴冉;宗世荣;万邦隆;唐春兰;何勇;李超;赵雪龙 -专利权人：云南云天化股份有限公司
申请日： 2022-12-22 - 公布日： 2023-04-07 - 主分类号： A23P30/00 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种干浆工艺的保鲜米线自动化生产线，涉及米线生产设备技术领域。通过依次连接的气流输送机、泡米罐、皮带输送机、大米粉碎机、旋风分离器、和面搅拌机、提升输送机、储料喂料机、双螺旋挤压成型机、第一输送装置、米线切断挂杆机、恒温恒湿老化箱、自动脱杆装置、米线松丝机、水煮翻斗机、第二输送装置、水冷翻斗机、第三输送装置和自动包装、杀菌生产线，采用大米为主要原料，经自然浸泡均匀发酵、磨粉、和面、挤压成型、连续老化、水煮、冷却、浸泡、包装、杀菌等生产工序，生产保鲜米线，产品在质保期内微生物数量远低于地方标准要求，开袋短时间水煮或沸水冲泡即食，质保期大于6个月，食用口感较传统鲜米线更有嚼劲。
一种工艺保鲜米线自动化生产线

[发明专利]烹饪设备及其自动开门控制方法、装置和存储介质-CN202310425435.X在审
发明人：任富佳;马宏宇;吕金航 -专利权人：杭州老板电器股份有限公司
申请日： 2023-04-18 - 公布日： 2023-07-04 - 主分类号： A47J36/32 文献下载
摘要：本发明公开了一种烹饪设备及其自动开门控制方法、装置和存储介质，烹饪设备的自动开门控制方法包括：在烹饪设备处于工作模式时，实时获取烹饪设备内部的食物的成熟度、以及烹饪设备的当前工作进度；根据当前工作进度，判断烹饪设备是否结束工作；若是，则进行烹饪设备内部食物的成熟度提醒，并实时获取开门指令信息；根据开门指令信息，控制烹饪设备的舱门的开关状态。本发明的技术方案实现了烹饪设备的自动开门，从而解决了烹饪设备的舱门不易打开以及手动开门时烫伤用户的问题，提升了用户使用烹饪设备时的体验感。
烹饪设备及其自动开门控制方法装置存储介质

[发明专利]烹饪设备的烹饪量检测方法及烹饪设备-CN202210168759.5在审
发明人：杨云;刘化勇;李翔;梅若愚;吕伟刚;薛钊强;吴良柳 -专利权人：佛山市顺德区美的电热电器制造有限公司
申请日： 2022-02-23 - 公布日： 2023-09-01 - 主分类号： G01K7/22 文献下载
摘要：本申请提供一种烹饪设备的烹饪量检测方法、烹饪设备以及计算机可读存储介质。烹饪设备的烹饪量检测方法包括：在烹饪过程中，获取烹饪设备的烹饪温度随时间变化的升温曲线；在升温曲线中确定平台升温阶段，其中平台升温阶段的斜率分别小于平台升温阶段的前后两侧烹饪阶段的斜率；根据平台升温阶段的持续时间确定烹饪设备的烹饪量本申请所提供的技术方案有利于提高烹饪量判断的精准度。
烹饪设备检测方法