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[发明专利]原子态等离子体的形成及维持方法及半导体材料的等离子体处理方法-CN201910189810.9在审
发明人：刘新宇;尤楠楠;王盛凯;白云 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2019-03-13 - 公布日： 2019-06-21 - 主分类号： H05H1/46 文献下载
摘要：本发明提供了一种原子态等离子体的形成及维持方法及半导体材料的等离子体处理方法。该方法包括以下步骤：S1，通过微波能量耦合待激发气体，以激发产生等离子体火球；S2，对等离子体火球产生气体扰动，使至少部分等离子体维持在原子态，以调控原子态等离子体与分子态等离子体的激发比例。上述方法中通过微波能量耦合待激发气体以激发产生等离子体火球，然后对等离子体火球产生气体扰动，使至少部分等离子体维持在原子态，实现了对原子态等离子体与分子态等离子体激发比例的调控，具有非常广泛的应用前景。
等离子体原子态等离子体火球半导体材料等离子体处理微波能量耦合激发气体气体扰动分子态激发等离子体激发调控应用

[发明专利]原子态等离子体形成装置及其应用-CN201910189788.8在审
发明人：刘新宇;尤楠楠;王盛凯;白云 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2019-03-13 - 公布日： 2019-06-18 - 主分类号： H05H1/46 文献下载
摘要：本发明提供了一种原子态等离子体形成装置及其应用。该装置包括：微波等离子体反应单元，用于通过微波能量耦合待激发气体以激发产生等离子体火球；气压控制单元，与微波等离子体反应单元连通，用于向微波等离子体反应单元中输送待激发气体；原子态控制单元，分别与微波等离子体反应单元以及气压控制单元连通，用于对等离子体火球产生气体扰动以调控原子态等离子体与分子态等离子体的激发比例。该装置借助气体扰动，使等离子体维持在初期的原子态，实现了对原子态等离子体与分子态等离子体激发比例的调控；并且，该装置若不启动气体扰动，在等离子体起辉后，反应腔内将维持分子态等离子的激发，从而实现分子态等离子和原子态等离子的调控激发
原子态等离子体微波等离子体反应单元分子态气体扰动等离子等离子体形成装置等离子体火球气压控制单元激发激发气体连通调控等离子体激发等离子体起辉微波能量耦合反应腔应用

[发明专利]一种钻石培育设备温度控制方法、系统及存储介质-CN202211530279.5在审
发明人：蒋礼;全峰;顾亚骏 -专利权人：深圳优普莱等离子体技术有限公司
申请日： 2022-12-01 - 公布日： 2023-03-07 - 主分类号： C30B25/16 文献下载
摘要：尤其涉及一种钻石培育设备温度控制方法、系统及存储介质，通过气压和微波功率的共同调节，使得钻石培育设备在升温和降温过程中的微波功率和气压始终处于各功率所对应的最大安全气压和最小安全气压围合的区域范围内，从而避免产生等离子体火球熄灭或等离子体火球移位的情况
一种钻石培育设备温度控制方法系统存储介质

[实用新型]一种垃圾处理系统-CN202021996676.8有效
发明人：康保良 -专利权人：康保良
申请日： 2020-09-12 - 公布日： 2021-01-01 - 主分类号： B09B3/00 文献下载
摘要：本申请涉及垃圾处理的技术领域，尤其是涉及一种垃圾处理系统，包括：压缩排气装置，设有压缩挤压件、加热管；水蒸气生成装置，设有装载水的耐高温高压储水容器，内的耐高温高压储水容器外接用于击穿其内水从而生成第一等离子体的第一高频脉冲电压，内的第一等离子体形成水蒸气；气体传送装置，设有出气管；水蒸气电离装置，设有喷枪，内的喷枪外接用于击穿水蒸气从而生成向喷枪外侧喷出的第二等离子体的第二高频脉冲电压，内的第二等离子体形成离子火球，内的喷枪的出气口朝向加热管外侧壁
一种垃圾处理系统

[实用新型]一种圆柱腔MPCVD用样品台-CN202320452192.4有效
发明人：吴志伟;吴明亮;邢亚南;赵志刚 -专利权人：广州星熠新材料科技有限公司
申请日： 2023-03-10 - 公布日： 2023-07-14 - 主分类号： C23C16/458 文献下载
摘要：所述圆弧形反射面与沉积块的顶面之间设置有第三倒角；该样品台主要根据相关的电磁理论，通过第一倒角、第二倒角、第三倒角以及圆弧形反射面等一系列设置来让微波在进入真空反应腔后可以经过反射，从而获得较均匀的电场与呈扁平状等离子体火球，其中扁平状的等离子体火球能够有效的增加生长面积，较均匀的电场能够让金刚石薄膜能够以均匀的速率生长，初步改善金刚石薄膜生长质量。
一种圆柱 mpcvd 样品

[发明专利]等离子体设备和系统-CN200780043771.7有效
发明人：弗拉基米尔·E·贝拉斯琴科;奥列格·P·索洛伦科;安德里·V·斯米尔诺夫 -专利权人：弗拉基米尔·E·贝拉斯琴科;奥列格·P·索洛伦科;安德里·V·斯米尔诺夫
申请日： 2007-11-27 - 公布日： 2009-12-16 - 主分类号： B44C1/22 文献下载
摘要：一种等离子体设备，包括第一阳极等离子体头和第一阴极等离子体头。每个等离子体头包括电极、等离子体流动通道和布置在所述等离子体流动通道的至少一部分之间的主气体入口。第一阳极等离子体头和第一阴极等离子体头布置成相对彼此成一角度。等离子体设备也包括第二阳极等离子体头和第二阴极等离子体头。每个等离子体头包括电极、等离子体流动通道、以及布置在等离子体流动通道和电极的至少一部分之间的主气体入口，第二阳极等离子体头和第二阴极等离子体头布置成相对彼此成一角度。
等离子体设备系统

[发明专利]等离子体处理设备和方法-CN201880084092.2有效
发明人：马绍铭;仲華;杨晓晅;D·V·德塞;瑞安·M·帕库尔斯基 -专利权人：玛特森技术公司;北京屹唐半导体科技股份有限公司
申请日： 2018-12-13 - 公布日： 2023-10-20 - 主分类号： H01J37/32 文献下载
摘要：提供了等离子体处理设备和方法。在一个示例实施方式中，等离子体处理设备包括处理室。等离子体处理设备包括设置于处理室中的基座。基座用于支撑工件。等离子体处理设备包括在竖直方向上设置于处理室上方的等离子体室。等离子体室包括介电侧壁。等离子体处理设备包括将处理室与等离子体室分开的分离格栅。等离子体处理设备包括邻近介电侧壁的第一等离子体源。第一等离子体源用于在分离格栅上方的等离子体室中产生远程等离子体。等离子体处理设备包括第二等离子体源。第二等离子体源用于在分离格栅下方的处理室中产生直接等离子体。
等离子体处理设备方法

[发明专利]等离子体处理系统中的等离子体限制结构-CN200980150203.6有效
发明人：艾利克·哈德森;安德里亚斯·费舍尔 -专利权人：朗姆研究公司
申请日： 2009-12-16 - 公布日： 2011-11-16 - 主分类号： H05H1/24 文献下载
摘要：提供了一种配置为用于在衬底的等离子体处理中限制等离子体处理室中的等离子体的可移动等离子体限制结构。该可移动等离子体限制结构包括配置为环绕该等离子体的可移动面向等离子体结构。该可移动等离子体限制结构还包括可移动导电结构，该可移动导电结构设置于可移动面向等离子体结构的外部且配置与所述可移动面向等离子体结构作为单个装置展开和收缩以促进该衬底的处理。可移动导电结构在等离子体处理中射频(RF)接地。在等离子体处理中可移动面向等离子体结构配置于等离子体和可移动导电结构之间以便在等离子体处理中来自于等离子体的RF流经由面向等离子体结构流向可移动导电结构。
等离子体处理系统中的限制结构

[发明专利]等离子体处理装置和等离子体处理方法-CN201910437815.9有效
发明人：松浦广行 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2019-05-24 - 公布日： 2023-05-26 - 主分类号： H01J37/32 文献下载
摘要：本发明提供等离子体处理装置和等离子体处理方法，能够抑制由于生成等离子体而导致的等离子体生成部的损伤。等离子体处理装置包括具有等离子体电极的等离子体生成部，能够对收纳在处理容器内的基片进行等离子体处理，上述等离子体生成部的至少与所述等离子体电极相对的部分由合成石英形成。
等离子体处理装置方法

[发明专利]等离子体生成装置及方法-CN201080004507.4无效
发明人：钟江正巳;加藤恭一;尾上薰;福冈大辅 -专利权人：里巴贝鲁株式会社
申请日： 2010-01-12 - 公布日： 2011-12-14 - 主分类号： H05H1/24 文献下载
摘要：本发明的课题是提供一个在高洁净、高纯度的状态下，能够产生并维持稳定的高密度等离子体的等离子体装置。解决上述课题的技术方案是：配有第1等离子体生成室10(配有气体供应口12和等离子体出口13)、第1等离子体生成装置11(在不暴露在第1等离子体生成室空间内的情况下配置)、第2等离子体生成室20(配有等离子体供应口22，供应通过等离子体出口在第1等离子体生成室产生的等离子体)和第2等离子体生成装置21(在不暴露在第2等离子体生成室空间内的情况下配置，在第2等离子体生成室内产生比第1等离子体生成室产生的等离子体更高密度的等离子体)的等离子体生成装置。
等离子体生成装置方法

[发明专利]具有直接出口环状等离子体源的等离子体处理系统-CN201580066116.8有效
发明人： D·卢博米尔斯基 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2015-11-18 - 公布日： 2020-07-31 - 主分类号： H01J37/32 文献下载
摘要：等离子体处理系统包括处理腔室及等离子体源，该等离子体源在等离子体腔中产生等离子体。该等离子体腔围绕环轴是实质对称的。该等离子体源在该等离子体腔的第一轴向侧上限定多个出口孔。由该等离子体所产生的等离子体产物在轴向方向上通过该多个出口孔从该等离子体腔朝该处理腔室传递。一种等离子体处理的方法，包括以下步骤：在实质环状的等离子体腔内产生等离子体以形成等离子体产物，该实质环状的等离子体腔限定环轴，及通过多个出口开口向处理腔室将等离子体产物直接分布进处理腔室中，该多个出口开口实质在方位上分布于该等离子体腔的第一轴向侧周围
具有直接出口环状等离子体处理系统

[发明专利]加强等离子体处理系统中的等离子体增强蚀刻-CN201310379780.0在审
发明人：埃里克·赫德森;安德鲁·D·贝利三世;拉金德尔·迪恩赛 -专利权人：朗姆研究公司
申请日： 2013-08-27 - 公布日： 2014-03-12 - 主分类号： H01L21/311 文献下载
摘要：发明涉及加强等离子体处理系统中的等离子体增强蚀刻，具体涉及一种蚀刻等离子体处理室中的衬底的方法，该等离子体处理室至少具有初级等离子体产生区域和通过半阻挡结构与所述初级等离子体产生区域分开的次级等离子体产生区域所述方法包括从初级等离子体产生区域中的初级原料气体产生初级等离子体。该方法还包括从次级离子体产生区域中的次级原料气体产生次级等离子体，以使从次级等离子体中产生的物质中的至少一些能够迁移至初级等离子体产生区域。所述方法另外包括在用来自次级等离子体的迁移物质来加强初级等离子体之后用该初级等离子体蚀刻衬底。
加强等离子体处理系统中的增强蚀刻

[发明专利]加强等离子体处理系统中的等离子体增强蚀刻-CN201710574814.X在审
发明人：埃里克·赫德森;安德鲁·D·贝利三世;拉金德尔·迪恩赛 -专利权人：朗姆研究公司
申请日： 2013-08-27 - 公布日： 2017-12-01 - 主分类号： H01J37/32 文献下载
摘要：本发明涉及加强等离子体处理系统中的等离子体增强蚀刻，具体涉及一种蚀刻等离子体处理室中的衬底的方法，该等离子体处理室至少具有初级等离子体产生区域和通过半阻挡结构与所述初级等离子体产生区域分开的次级等离子体产生区域所述方法包括从初级等离子体产生区域中的初级原料气体产生初级等离子体。该方法还包括从次级离子体产生区域中的次级原料气体产生次级等离子体，以使从次级等离子体中产生的物质中的至少一些能够迁移至初级等离子体产生区域。所述方法另外包括在用来自次级等离子体的迁移物质来加强初级等离子体之后用该初级等离子体蚀刻衬底。
加强等离子体处理系统中的增强蚀刻

[发明专利]用于膨胀热等离子体的电感耦合的系统和方法-CN200480015891.2有效
发明人：马克·谢普肯斯 -专利权人：通用电气公司
申请日： 2004-06-14 - 公布日： 2006-07-12 - 主分类号： H01J37/32 文献下载
摘要：本发明提供了一种等离子体生成系统(300)，其包括用于生成热等离子体的等离子体生成设备(316)；处于所述等离子体生成设备(316)外的等离子体处理室(318)，其用于接收来自等离子体生成设备(316)的热等离子体，并且，在生成等离子体的过程中，保持等离子体处理室(318)内的压力小于等离子体生成设备(316)中的压力，从而引起热等离子体在等离子体处理室(318)内膨胀；以及用于对所述热等离子体进行电感耦合的电感系统
用于膨胀等离子体电感耦合系统方法

[发明专利]一种基于非均匀等离子体的辐射增强方法-CN202211430190.1在审
发明人：聂秋月;陈培奇;钱亮;张仲麟;王敏;华洋阳;孟卓涛;艾昕;魏国强;闫昌时 -专利权人：哈尔滨工业大学
申请日： 2022-11-15 - 公布日： 2023-03-28 - 主分类号： H01Q1/36 文献下载
摘要：本发明的一种基于非均匀等离子体的辐射增强方法，涉及等离子体增强方法。目的是为了克服现有等离子体增强技术物理模型较为简单，缺少利用非均匀等离子体实现最佳增强的一般性讨论，方法基于等离子体增强型电小天线实现，等离子体增强型电小天线包括球壳形的等离子体罩和位于等离子体罩内的电小天线；并且，等离子体罩内的等离子体沿等离子体罩的半径非均匀分布；辐射增强方法如下：调节等离子体密度和等离子体罩的尺寸符合以下条件，从而使非均匀等离子体对电小天线的辐射进行增强。
一种基于均匀等离子体辐射增强方法

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