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[发明专利]半导体栅结构的微波等离子体后处理方法-CN202211029082.3在审
发明人：刘新宇;尤楠楠;王盛凯 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2022-08-25 - 公布日： 2022-11-22 - 主分类号： H01L21/28 文献下载
摘要：本公开提供一种半导体栅结构的微波等离子体后处理方法，包括：将半导体栅结构置于反应腔内，调节反应腔内微波的输入功率和反应气体的压强，利用微波能量耦合反应气体激发产生等离子体；利用等离子体提供气氛原子在半导体栅结构中扩散所需的能量，调节处理时间对半导体栅结构进行退火掺杂。该方法利用等离子体激发提供气氛原子在栅结构中扩散所需的能量，而非利用微波产热进行热能后处理提供了半导体栅结构后处理的新思路，避开了高温对栅结构的损伤，从工艺上提供了新的退火方法，满足工业界“低温”和“高质量”的要求。
半导体结构微波等离子体处理方法

[发明专利]一种半导体材料掺杂后退火的方法-CN202011072990.1在审
发明人：刘新宇;尤楠楠;王盛凯;汤益丹;白云;田晓丽;陆江;陈宏;杨成樾 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2020-10-09 - 公布日： 2022-04-12 - 主分类号： H01L21/324 文献下载
摘要：本发明公开了一种半导体材料掺杂后退火的方法，该方法包括以下步骤：提供半导体材料；在半导体材料上形成覆盖层；对形成有覆盖层的半导体材料进行掺杂；将掺杂后的半导体材料放入反应腔，调节微波输入功率以及气体压强，以激发反应腔中的反应气体产生等离子体，并基于等离子体对掺杂后的半导体材料进行退火处理；在退火处理后，去除覆盖层。上述方法提供了一种完全不同于传统热退火的全新的退火方式，通过激发等离子体来实现退火，从原理及工艺上实现了对现有退火方法的改进。
一种半导体材料掺杂退火方法

[发明专利]原子态等离子体的形成及维持方法及半导体材料的等离子体处理方法-CN201910189810.9在审
发明人：刘新宇;尤楠楠;王盛凯;白云 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2019-03-13 - 公布日： 2019-06-21 - 主分类号： H05H1/46 文献下载
摘要：本发明提供了一种原子态等离子体的形成及维持方法及半导体材料的等离子体处理方法。该方法包括以下步骤：S1，通过微波能量耦合待激发气体，以激发产生等离子体火球；S2，对等离子体火球产生气体扰动，使至少部分等离子体维持在原子态，以调控原子态等离子体与分子态等离子体的激发比例。上述方法中通过微波能量耦合待激发气体以激发产生等离子体火球，然后对等离子体火球产生气体扰动，使至少部分等离子体维持在原子态，实现了对原子态等离子体与分子态等离子体激发比例的调控，具有非常广泛的应用前景。
等离子体原子态等离子体火球半导体材料等离子体处理微波能量耦合激发气体气体扰动分子态激发等离子体激发调控应用

[发明专利]原子态等离子体形成装置及其应用-CN201910189788.8在审
发明人：刘新宇;尤楠楠;王盛凯;白云 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2019-03-13 - 公布日： 2019-06-18 - 主分类号： H05H1/46 文献下载
摘要：本发明提供了一种原子态等离子体形成装置及其应用。该装置包括：微波等离子体反应单元，用于通过微波能量耦合待激发气体以激发产生等离子体火球；气压控制单元，与微波等离子体反应单元连通，用于向微波等离子体反应单元中输送待激发气体；原子态控制单元，分别与微波等离子体反应单元以及气压控制单元连通，用于对等离子体火球产生气体扰动以调控原子态等离子体与分子态等离子体的激发比例。该装置借助气体扰动，使等离子体维持在初期的原子态，实现了对原子态等离子体与分子态等离子体激发比例的调控；并且，该装置若不启动气体扰动，在等离子体起辉后，反应腔内将维持分子态等离子的激发，从而实现分子态等离子和原子态等离子的调控激发。
原子态等离子体微波等离子体反应单元分子态气体扰动等离子等离子体形成装置等离子体火球气压控制单元激发激发气体连通调控等离子体激发等离子体起辉微波能量耦合反应腔应用