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[发明专利]一种金刚石生长过程中的冷却控制方法及相关设备-CN202310948398.0有效
发明人：全峰;蒋礼;顾亚骏 -专利权人：深圳优普莱等离子体技术有限公司
申请日： 2023-07-31 - 公布日： 2023-10-24 - 主分类号： C30B25/16 文献下载
摘要：本发明公开了一种金刚石生长过程中的冷却控制方法及相关设备，所述方法包括：获取冷却调节指令，根据冷却调节指令设置冷却参数，并根据冷却参数对金刚石生长设备进行冷却处理；获取金刚石生长设备的不同部件的温度数据，并根据温度数据调节冷却参数，控制所述不同部件的温度数据始终处于预设温度范围内；实时检测冷却参数，当任一冷却参数出现异常时，控制金刚石生长设备进行停机处理。本发明通过设置冷却参数来对金刚石培育过程中的生长设备进行冷却调节，能够有效的控制生长设备始终保持在适合温度，同时也可以实时检测冷却参数数据，能够及时的发现冷却参数的异常情况，并自动进行停机处理，保证了金刚石的正常生长。
一种金刚石生长过程中的冷却控制方法相关设备

[发明专利]一种金刚石生长过程的物联控制方法及相关设备-CN202310839614.8有效
发明人：蒋礼;全峰;顾亚骏 -专利权人：深圳优普莱等离子体技术有限公司
申请日： 2023-07-10 - 公布日： 2023-09-26 - 主分类号： G05B19/418 文献下载
摘要：本发明公开了一种金刚石生长过程的物联控制方法及相关设备，所述方法包括：云端控制中心与金刚石生产过程中的工艺设备建立通信连接；云端控制中心获取工艺设备的工艺参数，若工艺参数超出预设工艺参数范围，则判定工艺设备发生异常事件；云端控制中心将异常事件进行分类得到分类结果，并根据分类结果控制工艺设备进行告警提示或停机处理。本发明通过将云端控制中心与金刚石生产过程中的工艺设备建立通信连接，能够在云端控制中心实时接收金刚石生产过程中的数据，并进行数据分析以及设备联动，为管理者提供了类可视化的物联智能控制方式，有利于管理者及时发现金刚石生产过程中的异常行为并做出决策，并保证了金刚石的正常生长。
一种金刚石生长过程控制方法相关设备

[发明专利]一种金刚石表面刻蚀坑的合格检测方法及相关设备-CN202310829850.1有效
发明人： 顾亚骏;蒋礼;全峰 -专利权人：深圳优普莱等离子体技术有限公司
申请日： 2023-07-07 - 公布日： 2023-09-19 - 主分类号： G01N21/88 文献下载
摘要：本发明公开了一种金刚石表面刻蚀坑的合格检测方法及相关设备，所述方法包括：获取待检测金刚石的表面图像，并在所述表面图像的预设范围内进行刻蚀坑的识别，得到识别后的刻蚀坑图像；根据所述刻蚀坑图像计算所述待检测金刚石表面的刻蚀坑的密度比以及所述刻蚀坑的色差值；若所述密度比和所述色差值均满足预设要求，则所述待检测金刚石检测合格。本发明通过对待检测金刚石表面的刻蚀坑的密度和深浅进行检测，能够有效判断待检测金刚石生长是否合格，以便于判断待检测金刚石是否适合继续进行下一阶段的生长。
一种金刚石表面刻蚀合格检测方法相关设备

[发明专利]一种金刚石生长设备的气路控制系统及方法-CN202310925857.3在审
发明人： 顾亚骏;全峰;蒋礼 -专利权人：深圳优普莱等离子体技术有限公司
申请日： 2023-07-26 - 公布日： 2023-08-22 - 主分类号： C23C16/27 文献下载
摘要：本发明公开了一种金刚石生长设备的气路控制系统及方法，所述方法包括：工艺进气管道模块、反应腔体模块以及抽气管道模块依次连接；工艺进气管道模块用于输出反应气体和清洗气体对内部管道进行清洗，并将反应气体和清洗气体输出至反应腔体模块；反应腔体模块用于接收反应气体和清洗气体，并将反应腔体模块腔体内的混合气体输出至抽气管道模块；抽气管道模块用于抽出反应腔体模块腔体内的混合气体，并配合工艺进气管道模块输出的反应气体对反应腔体模块进行清洗。本发明通过设置工艺进气管道模块和抽气管道模块对金刚石设备的输气管道和反应腔体进行了清洗，使金刚石培育过程中充入的生长培育气体更加纯净，保证了金刚石高效且稳定的生长。
一种金刚石生长设备控制系统方法

[发明专利]一种MPCVD设备微波源的稳压系统及方法-CN202310791211.0在审
发明人：蒋礼;全峰;顾亚骏 -专利权人：深圳优普莱等离子体技术有限公司
申请日： 2023-06-30 - 公布日： 2023-07-28 - 主分类号： H02J3/12 文献下载
摘要：本发明公开一种MPCVD设备微波源的稳压系统及方法，所述系统分别与供电端和负载端连接，所述系统中整流滤波模块用于对供电端传输并经过滤波后的第一电压进行整流和滤波操作，并将得到的第二电压传输至电压变换模块；电压变换模块用于将第二电压与预设额定电压进行比较，并将生成的充电控制信号和放电控制信号传输至储能模块；储能模块用于根据充电控制信号和放电控制信号对第二电压进行充放电调节并将得到的第三电压传输至逆变模块；逆变模块用于将第三电压转换为第四电压并将第四电压传输至负载端。通过将第二电压与预设额定电压进行比较根据比较结果对第二电压进行充放电调节，稳定电压地输出以保障用电安全。
一种 mpcvd 设备微波稳压系统方法

[发明专利]一种基于MPCVD设备的故障报警处理方法及相关设备-CN202211595935.X在审
发明人：全峰;顾亚骏;蒋礼 -专利权人：深圳优普莱等离子体技术有限公司
申请日： 2022-12-13 - 公布日： 2023-04-18 - 主分类号： C23C16/511 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于MPCVD设备的故障报警处理方法及相关设备，涉及故障报警技术领域，所述方法包括：获取MPCVD设备的当前工作参数的数据，判断所述当前工作参数的数据是否超出预设工作参数的数据范围，所述当前工作参数包括紧急停机类参数和手动调控类参数；若所述紧急停机类参数的数据超出预设工作参数的数据范围，则进行报警和自动紧急停机操作；若所述手动调控类参数的数据超出预设工作参数的数据范围，则进行报警和提示操作人员手动处理。本发明通过实时监控MPCVD设备的工作参数数据来判断MPCVD设备是否出现异常情况，并针对不同工作参数数据对应的告警程度进行相应的处理，保证了操作人员能够及时处理MPCVD设备的异常情况，有利于金刚石的正常生长。
一种基于 mpcvd 设备故障报警处理方法相关

[发明专利]一种MPCVD单晶金刚石的生长方法-CN202211688360.6在审
发明人： 顾亚骏;蒋礼;全峰 -专利权人：深圳优普莱等离子体技术有限公司
申请日： 2022-12-28 - 公布日： 2023-04-14 - 主分类号： C30B25/00 文献下载
摘要：本发明提供一种MPCVD单晶金刚石的生长方法，本发明提供的MPCVD单晶金刚石的生长方法，通过控制单晶金刚石籽晶生长面的粗糙度，保证碳原子快速沉积于单晶金刚石籽晶生长面上，配合循环控制的升温、保温、降温、保温的操作，在提升单晶金刚石生长速度的同时，也充分释放生长中单晶金刚石内部的应力，提升单晶金刚石的质量、降低杂质含量。
一种 mpcvd 金刚石生长方法

[发明专利]一种用于培育金刚石的可调模式转换器及MPCVD设备-CN202211520826.1在审
发明人： 顾亚骏;蒋礼;全峰 -专利权人：深圳优普莱等离子体技术有限公司
申请日： 2022-11-30 - 公布日： 2023-03-17 - 主分类号： H01P1/16 文献下载
摘要：本发明提供了一种用于培育金刚石的可调模式转换器及MPCVD设备，包括矩形波导、模式转换器可调组件、矩形波导法兰、微波天线和上腔体，矩形波导连接模式转换器可调组件，矩形波导法兰连接矩形波导，上腔体固定连接矩形波导法兰，微波天线的一端和模式转换器可调组件连接，另一端穿设于矩形波导法兰和矩形波导。本发明可以通过调节模式转换器可调组件的高度，形成新的边界条件，一方面，衰减过滤掉杂项TE11模，谐振腔内的等离子体只有TM01模激发，避免杂项TE11模导致等离子体不对称、等离子体次生、基片台温度不均匀等问题，实现金刚石的高品质生长；模式转换器可调组件的设置提高了模式转换器对微波模式的转换效率，对微波能量进行有效的利用，避免微波能量的浪费。
一种用于培育金刚石可调模式转换器 mpcvd 设备

[发明专利]一种适用于金刚石激光切割的固定治具-CN202211595289.7在审
发明人：蒋礼;全峰;顾亚骏 -专利权人：深圳优普莱等离子体技术有限公司
申请日： 2022-12-13 - 公布日： 2023-03-14 - 主分类号： B23K26/38 文献下载
摘要：本发明公开了一种适用于金刚石激光切割的固定治具，包括基座及压紧组件，所述压紧组件与所述基座可拆卸式连接，所述压紧组件包括用于压紧金刚石的压紧板，所述压紧板与所述基座顶面相对设置且两者之间具有间隙。在本发明中，当待切割的金刚石放置在所述固定治具上时，通过压紧板与基座顶面的配合将金刚石夹紧固定，因此当金刚石被激光切割至晶体尾端时不会自动断面，从而降低了晶体尾端处粗糙度，保障了切割后金刚石籽晶的品质。
一种适用于金刚石激光切割固定

[发明专利]一种钻石培育设备温度控制方法、系统及存储介质-CN202211530279.5在审
发明人：蒋礼;全峰;顾亚骏 -专利权人：深圳优普莱等离子体技术有限公司
申请日： 2022-12-01 - 公布日： 2023-03-07 - 主分类号： C30B25/16 文献下载
摘要：本发明涉及钻石培育技术领域，尤其涉及一种钻石培育设备温度控制方法、系统及存储介质，通过气压和微波功率的共同调节，使得钻石培育设备在升温和降温过程中的微波功率和气压始终处于各功率所对应的最大安全气压和最小安全气压围合的区域范围内，从而避免产生等离子体火球熄灭或等离子体火球移位的情况，并且在其他条件固定的情况下由于反应腔体内的温度与微波功率成正比，通过气压的调节可以使得微波功率可以以均匀步长变化，从而实现钻石培育设备的温度均匀变化。
一种钻石培育设备温度控制方法系统存储介质

[发明专利]一种化学气相沉积金刚石系统及设备-CN202211376070.8在审
发明人：全峰;顾亚骏;蒋礼 -专利权人：深圳优普莱等离子体技术有限公司
申请日： 2022-11-04 - 公布日： 2023-01-31 - 主分类号： C23C16/27 文献下载
摘要：本发明提供了一种化学气相沉积金刚石系统及设备，包括腔体、腔体盖、沉积台、环形微波馈入窗、波导、同轴波导、倒置型基片台组件密封装置和倒置型基片台组件，腔体、腔体盖、沉积台、环形微波馈入窗、同轴波导、倒置型基片台组件密封装置和倒置型基片台组件围成真空密封环境，倒置型基片台组件可上下移动；微波激发的等离子体位于倒置型基片台组件的正下方。本发明通过环形微波馈入窗设置于腔体盖和沉积台之间，微波馈入窗和等离子体之间有倒置型基片台和沉积台进行了阻隔，距离等离子体较远，金刚石生长过程中伴生碳残余物质不会掉落在微波馈入窗上，同时离子化的反应气体也不会对微波馈入窗进行刻蚀，避免金刚石生长环境中引入硅或其他的杂质。
一种化学沉积金刚石系统设备

[发明专利]一种金刚石籽晶信息测量方法及相关设备-CN202211187019.2有效
发明人： 顾亚骏;蒋礼;全峰 -专利权人：深圳优普莱等离子体技术有限公司
申请日： 2022-09-28 - 公布日： 2022-12-20 - 主分类号： G01J5/48 文献下载
摘要：本发明公开了一种金刚石籽晶信息测量方法及相关设备，获取红外摄像头拍摄金刚石籽晶晶体的红外光图片，确定各个金刚石籽晶的位置，并得到红外摄像头测得目标金刚石籽晶的温度；读取金刚石籽晶生长的相关工艺参数、目标金刚石籽晶的温度以及目标金刚石籽晶对应点的RGB值，根据参数曲线方程计算除开目标金刚石籽晶外每片金刚石籽晶中心区域的金刚石籽晶温度，并与临界值进行对比，当出现金刚石籽晶温度异常时，发送告警提醒给用户终端；将数据保存到数据库，并统计分析数据后生成金刚石籽晶信息统计图。本发明对多个金刚石籽晶进行温度测量，实现了高效率测温，并根据测量的温度及时掌握每个金刚石籽晶的温度情况，有利于高品质金刚石的生长。
一种金刚石籽晶信息测量方法相关设备

[发明专利]一种基片台倒置的化学气相沉积系统及设备-CN202210464232.7在审
发明人： 顾亚骏;全峰;蒋礼 -专利权人：深圳优普莱等离子体技术有限公司
申请日： 2022-04-29 - 公布日： 2022-07-22 - 主分类号： C23C16/27 文献下载
摘要：本发明提供了一种基片台倒置的化学气相沉积系统及设备，包括自上向下依次设置的基片台升降组件、反应腔体、微波馈入玻璃和微波馈入腔体，反应腔体一端由基片台升降组件密封，另一端由微波馈入玻璃和微波馈入腔体密封，反应腔体中设有基片台组件，基片台组件和基片台升降组件密封连接，微波激发的等离子体位于基片台的正下方。本发明通过基片台倒置实现了等离子体形成于基片台正下方，离子化的反应气体因为上升气流的影响可以第一时间到达金刚石生长区域，同时金刚石生长区域附近排除了掺杂大量未离子化的反应气体的可能，可明显提高金刚石的生长效率及提高金刚石生长区域附近离子化气体的均匀性，提升了金刚石的生长质量。
一种基片台倒置化学沉积系统设备

[发明专利]一种用于化学气相沉积金刚石的双腔体系统及设备-CN202111631993.9在审
发明人：蒋礼;全峰;顾亚骏 -专利权人：深圳优普莱等离子体技术有限公司
申请日： 2021-12-28 - 公布日： 2022-04-05 - 主分类号： C23C16/27 文献下载
摘要：本发明涉及了一种用于化学气相沉积金刚石的双腔体系统及设备，包括第一腔体、第二腔体、真空插板阀和物料运输机构，真空插板阀固定连接第二腔体的一端和第一腔体，物料运输机构连接第二腔体的另一端，物料运输机构可以在第一腔体和第二腔体中伸缩移动。本发明的用于化学气相沉积金刚石的双腔体系统可以克服现有技术中多次打开和关闭反应腔舱门进行去除晶格缺陷操作时促使反应腔中引入空气中水汽等杂质气体的技术缺陷，实现高品质金刚石的生长。
一种用于化学沉积金刚石体系设备

[发明专利]一种用于化学气相沉积的二级升降系统及设备-CN202111517191.5在审
发明人：全峰;顾亚骏;蒋礼 -专利权人：深圳优普莱等离子体技术有限公司
申请日： 2021-12-13 - 公布日： 2022-03-25 - 主分类号： C23C16/27 文献下载
摘要：本发明提供了一种用于化学气相沉积的二级升降系统及设备，包括第一升降系统和第二升降系统，第一升降系统采用真空波纹管技术方案，第二升降系统固定设置于第一支架内部，可随第一升降系统上下移动。第二升降系统包括依次设置的第二反应台、传动模块、磁流体密封模块和驱动件，传动模块用于实现将驱动件的转动转化为上下移动，磁流体密封模块实现了在运动中第二升降系统和反应腔的密封环境。本发明通过设置第二升降系统，调整第一升降系统和第二升降系统的高度解决了金刚石生长一段时间后，籽晶表面和多晶沉积层表面会形成明显的高度差，进而引起籽晶生长过程中温度出现波动的技术问题。
一种用于化学沉积二级升降系统设备

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