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[发明专利]水处理装置以及水处理方法-CN201580005431.X有效
发明人：生沼学;滝正和;稻永康隆;高田诚 -专利权人：三菱电机株式会社
申请日： 2015-01-13 - 公布日： 2019-09-03 - 主分类号： C02F1/48 文献下载
摘要：在水处理装置中，相对水平面倾斜地配置倾斜板。被处理水沿着倾斜板的上表面流动。在倾斜板上流动的被处理水所形成的水膜的上方，隔着气体层配置放电形成体。水滴形成装置通过对水膜提供动力，使被处理水的至少一部分成为水滴，朝向上方喷射。
水处理装置以及方法

[发明专利]水处理装置以及水处理方法-CN201580073833.3有效
发明人：生沼学;滝正和;稻永康隆;内藤皓贵 -专利权人：三菱电机株式会社
申请日： 2015-12-18 - 公布日： 2019-01-01 - 主分类号： C02F1/48 文献下载
摘要：在处理槽装配在上下方向上排列配置的多个接地电极(2)，连续的2个接地电极的上表面相对于水平面交替地向反方向倾斜，并且在上侧接地电极的下表面与下侧接地电极的上表面之间形成空隙(5)，将电压施加到装配于空隙的放电电极(18)，从而在放电电极与上侧接地电极的下表面之间的气体中以及放电电极与下侧接地电极的上表面之间的气体中这两处形成放电，使被处理水从最上部的接地电极至最下部的接地电极沿着各自的上表面连续地往下流，从而处理被处理水。
接地电极上表面放电电极被处理水下表面装配水处理装置电压施加排列配置上下方向处理槽反方向水处理放电

[发明专利]水处理装置以及水处理方法-CN201380059194.6有效
发明人：中村保博;稻永康隆;守川彰;山内登起子;钓本崇夫;武藤浩隆;生沼学;滝正和 -专利权人：三菱电机株式会社
申请日： 2013-11-07 - 公布日： 2015-07-22 - 主分类号： C02F1/48 文献下载
摘要：得到通过施加与在大气中相同的程度的电场，能够实现包含大量的微细气泡的被处理水中的大容积放电，并且实现高的处理效率的水处理装置以及水处理方法。一种水处理装置，在处理水槽内的被处理水中发生气泡，通过利用气泡中的气泡放电发生了的自由基，处理被处理水，其中，具备：主电极，在第1主电极与第2主电极之间形成主放电区域；预备电极，在第1预备电极与第2预备电极之间形成预备放电区域；以及气泡发生部，使用从外部供给的气体，在被处理水中发生气泡，在气泡发生部中发生了的气泡通过预备放电区域时，在气泡中形成放电，在成为激励状态的气泡通过主放电区域时，再次在气泡中形成放电而发生自由基。
水处理装置以及方法

[发明专利]微晶半导体薄膜制造方法-CN201180058658.2有效
发明人：津田睦;今村谦;滝正和;池田知弘;藤原伸夫 -专利权人：三菱电机株式会社
申请日： 2011-07-12 - 公布日： 2013-08-14 - 主分类号： H01L21/205 文献下载
摘要：包括微晶半导体薄膜形成工序，在该微晶半导体薄膜形成工序中，对具备等离子体电极和基板的真空容器内一边连续地供给主成分中包含氢的气体，一边断续地供给至少包含硅或者锗的半导体材料气体，并且与供给所述半导体材料气体的期间和不供给所述半导体材料气体的期间同步地对所述等离子体电极供给不同的高频电力，在所述等离子体电极与所述基板之间的等离子体生成空间中生成等离子体，由此形成微晶半导体薄膜，在所述微晶半导体薄膜形成工序中，对所述半导体材料气体的供给进行接通/关断调制而周期性地供给所述半导体材料气体，将接通所述半导体材料气体的供给时的所述高频电力设为比关断所述半导体材料气体的供给时的所述高频电力小，使所述接通/关断调制的调制频率或者所述接通/关断调制的占空比随着时间的推移而变化。
半导体薄膜制造方法

[发明专利]高频电力供给装置、等离子体处理装置以及薄膜制造方法-CN201180044105.1有效
发明人：池田知弘;滝正和;津田睦;藤原伸夫 -专利权人：三菱电机株式会社
申请日： 2011-06-22 - 公布日： 2013-05-08 - 主分类号： H05H1/46 文献下载
摘要：一种对平行平电极供给高频电力的高频电力供给装置，具备：高频电源133a和133b，对电极的相互分离的位置供给高频电力；脉冲发生器，该脉冲发生器以使高频电源133a和133b的供给电力按照包括高电平和低电平的多个电平来进行变化的方式进行脉冲调制，指示电平切换，以使得包括高频电源133a的供给电力为高电平且高频电源133b的供给电力为低电平的(1)的期间、高频电源133b的供给电力为高电平且高频电源133a的供给电力为低电平的(2)的期间、高频电源133a和133b的供给电力都为比低电平高的电平的(3)的期间。
高频电力供给装置等离子体处理以及薄膜制造方法

[发明专利]等离子体CVD装置、等离子体电极以及半导体膜的制造方法-CN201080035372.8有效
发明人： 滝正和;津田睦;新谷贤治;今村谦 -专利权人：三菱电机株式会社
申请日： 2010-04-26 - 公布日： 2012-05-23 - 主分类号： H01L21/205 文献下载
摘要：在构成等离子体CVD装置(40)的等离子体电极(30)时，设置：设置有工艺气体导入孔(第2工艺气体导入孔(21a))的主电极部(21)、和安装于主电极部的端部并在与该主电极部之间形成气体扩散空间(DS)的气体喷板部(23)，在气体喷板部中形成用于吐出工艺气体的多个气体吐出孔(23a)，在气体扩散空间内，配置具有用于工艺气体流通的多个气体流通孔(25a)的气体扩散板(25)、和穿过气体扩散板的气体流通孔并将气体喷板部和主电极部热连接的多个传热柱部(27)，在气体流通孔的内壁与穿过该气体流通孔的传热柱部的周面之间形成空隙。
等离子体 cvd 装置电极以及半导体制造方法

[发明专利]半导体集成电路装置的制造方法-CN200810134716.5有效
发明人：藤井一行;花崎稔;川原田元;滝正和;津田睦 -专利权人：株式会社瑞萨科技
申请日： 2008-07-23 - 公布日： 2009-02-04 - 主分类号： H01L21/00 文献下载
摘要：由于远程等离子体清洁与成膜时不同，並非适合于等离子体激发的条件，因此局部地激发等离子体本身就比较困难，而且，在使用光的方法中，存在着检测窗模糊这一CVD工艺中不可避免的问题，因而并不适合于量产步骤。用来解决这些问题的本案发明的概要是一种反复进行下述步骤的半导体集成电路装置的制造方法，即：在反应室内使用等离子体来激发反应气体以堆积所需的膜的步骤；以及向该反应室内导入在远程等离子体激发室内经过激发的清洁气体而在非等离子体激发环境下对该反应室进行远程等离子体清洁的步骤，其中，通过电容耦合型的等离子体激发系统，于反应室或用来进行反应室的排气的真空系统内生成局部等离子体，并对该等离子体的电气特性进行监控，以此检测出远程等离子体清洁的终点。
半导体集成电路装置制造方法

[发明专利]磁场检测装置及其制造方法-CN200610084417.6有效
发明人：古川泰助;小林浩;长永隆志;黑岩丈晴;拜山沙德克;滝正和 -专利权人：三菱电机株式会社
申请日： 2006-05-18 - 公布日： 2007-04-04 - 主分类号： G01R33/09 文献下载
摘要：提供一种磁场检测装置及其制造方法，该磁场检测装置具有结构简单的、在外部磁场中电阻不变化的参照用磁致电阻元件。该磁场检测装置包括：磁体；具有包含铁磁性层的层结构、且电阻随上述铁磁性层的磁化方向的变化而变化的检测用磁致电阻元件；以及具有与上述检测用磁致电阻元件大致相同的层结构、且在铁磁性层的感测磁的方向上被从上述磁体施加具有大于等于饱和磁场的强度的磁场的参照用磁致电阻元件。
磁场检测装置及其制造方法

[发明专利]磁场检测装置以及对其进行调整的方法-CN200610128852.4有效
发明人：古川泰助;小林浩;长永隆志;黑岩丈晴;拜山沙德克;滝正和 -专利权人：三菱电机株式会社
申请日： 2006-08-31 - 公布日： 2007-03-07 - 主分类号： G01R33/09 文献下载
摘要：本发明提供一种能够依照用途自由地使检测范围及检测灵敏度变化的磁场检测装置。在磁阻效应元件(2)上外加偏置磁场(Hb)及外部磁场(Hex)。由于偏置磁场(Hb)及外部磁场(Hex)在同一直线上产生，所以偏置磁场(Hb)以妨碍被外加给磁阻效应元件(2)的外部磁场(Hex)的方式发挥功能。为此，磁阻效应元件(2)中的自由层的磁化就得以抑制。磁化矢量(42)的旋转角度也减少。从而，磁阻效应元件(2)相对于外部磁场(Hex)的电阻值的特性就按偏置磁场(Hb)来进行偏移。
磁场检测装置以及进行调整方法

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