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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]半导体集成电路装置的制造方法-CN200810134716.5有效
发明人：藤井一行;花崎稔;川原田元;滝正和;津田睦 -专利权人：株式会社瑞萨科技
申请日： 2008-07-23 - 公布日： 2009-02-04 - 主分类号： H01L21/00 文献下载
摘要：由于远程等离子体清洁与成膜时不同，並非适合于等离子体激发的条件，因此局部地激发等离子体本身就比较困难，而且，在使用光的方法中，存在着检测窗模糊这一CVD工艺中不可避免的问题，因而并不适合于量产步骤。用来解决这些问题的本案发明的概要是一种反复进行下述步骤的半导体集成电路装置的制造方法，即：在反应室内使用等离子体来激发反应气体以堆积所需的膜的步骤；以及向该反应室内导入在远程等离子体激发室内经过激发的清洁气体而在非等离子体激发环境下对该反应室进行远程等离子体清洁的步骤，其中，通过电容耦合型的等离子体激发系统，于反应室或用来进行反应室的排气的真空系统内生成局部等离子体，并对该等离子体的电气特性进行监控，以此检测出远程等离子体清洁的终点。
半导体集成电路装置制造方法

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