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[发明专利]新型涡旋磁畴铁基纳米磁热疗介质及其在肿瘤磁热疗中的应用-CN201410074604.0无效
发明人：樊海明;刘晓丽;任兆玉;白晋涛 -专利权人：西北大学
申请日： 2014-03-03 - 公布日： 2014-06-18 - 主分类号： A61K47/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种新型高性能涡旋磁畴铁基纳米磁热疗介质及其在肿瘤磁热疗中的应用。这种独特的涡旋磁畴铁基纳米磁热疗介质包含具有涡旋磁畴铁基纳米颗粒的核，采用具有生物兼容性良好的有机聚合物或无机材料对核进行包覆，形成磁溶胶。本发明提供的涡旋磁畴铁基纳米磁热疗介质具有涡旋磁态，有高的磁饱和强度，分散稳定性好，有高的磁滞热损耗，高的产热效率(比吸收率)，例如涡旋磁畴Fe3O4纳米环的比吸收率为2000-3000瓦特/克Fe，比商业使用的菲立磁的磁产热高一个数量级
新型涡旋磁畴铁基纳米磁热疗介质及其肿瘤中的应用

[发明专利]一种用电流调控反铁磁结构中磁畴翻转的方法-CN202210759424.0在审
发明人：周艳;赵月雷;杨晟;武凯 -专利权人：香港中文大学（深圳）
申请日： 2022-06-29 - 公布日： 2022-10-11 - 主分类号： G11C11/16 文献下载
摘要：本发明涉及一种用电流调控反铁磁结构中磁畴翻转的方法，包括：提供反铁磁薄膜，所述反铁磁薄膜结构包括依次层叠设置的第一磁性层、非磁性金属层和第二磁性层，第一磁性层内的磁矩方向与第二磁性层内磁矩方向反平行；施加磁场和第一方向电流诱导出磁畴壁，磁畴壁处于反铁磁薄膜对角线位置；撤离磁场，施加第二方向电流，磁畴壁垂直于第二方向电流；施加第三方向电流，磁畴壁沿第三方向电流平移，第一磁性层内磁畴和第二磁性层内磁畴完全翻转；其中，第一方向电流与第二方向电流相反本发明在反铁磁结构出现磁畴壁扭曲运动，能够使得器件里的磁矩完全翻转，并使器件能正常工作。
一种用电调控反铁磁结构中磁畴翻转方法

[发明专利]具有包含设计界面的人工反铁磁耦合多层的垂直磁化线的畴壁运动方法-CN201310283722.8有效
发明人： S·S·P·帕金;L·托马斯;S-H·杨 -专利权人：国际商业机器公司
申请日： 2013-07-08 - 公布日： 2014-01-22 - 主分类号： H01L43/12 文献下载
摘要：具有包含设计界面的人工反铁磁耦合多层的垂直磁化线的畴壁运动方法。当用电流脉冲驱动畴壁时，包括两个反铁磁耦合磁性区的磁线显示出改善的畴壁运动特性。磁性区优选包括Co、Ni和Pt并且呈现垂直磁各向异性，由此支持窄畴壁的传播。畴壁运动的方向会受到设置线层的顺序的影响。
具有包含设计界面人工反铁磁耦合多层垂直磁化运动方法

[发明专利]基于磁畴运动阈值磁场的应力评估方法-CN201610861624.1在审
发明人：田贵云;邱发生;任文伟 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2016-09-29 - 公布日： 2017-02-22 - 主分类号： G01N27/85 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于磁畴运动阈值磁场的应力评估方法，对于各个应力参数，获取不同磁场强度下的归一化磁畴量化值：先得到铁磁金属构件在应力参数和磁场强度下的磁畴图像，对磁畴图像进行预处理后再二值化，统计代表180度和‑180度磁畴的像素点数量，计算180度磁畴面积和‑180度磁畴面积，计算得到归一化磁畴量化值；拟合得到归一化磁畴量化值随磁场强度值变化的SNom‑H曲线，得到4个阈值磁场，拟合得到4个阈值磁场关于应力参数的表达式，在对铁磁金属构件进行应力评估时，首先获取SNom‑H曲线，获取4个阈值磁场，计算得到4个应力值，平均后得到最终应力值。本发明通过阈值磁场来实现对铁磁金属构件应力和微小应力变化的高线性度、高灵敏度、高空间分辨率检测。
基于运动阈值磁场应力评估方法

[发明专利]包括不同的铁磁材料层的存储器存储装置、其制造方法及使用方法-CN200780048976.4无效
发明人： H·德利吉安尼;黄强;L·T·罗曼基夫 -专利权人：国际商业机器公司
申请日： 2007-09-25 - 公布日： 2009-11-04 - 主分类号： G11C11/00 文献下载
摘要：提供了一种包含交替的第一和第二铁磁材料层的存储器存储装置。每个第一铁磁材料层具有第一层厚度(L₁)和第一临界电流密度(JC₁)，并且每个第二铁磁材料层具有第二层厚度(L₂)和第二临界电流密度(JC所述装置还包括被畴壁分隔开的交替的方向相反的磁畴。在施加驱动电流时，所述磁畴和畴壁可移动穿过第一和第二铁磁材料层。相应地，数据能可以存储在该存储器存储装置中作为磁畴和畴壁的位置。
包括不同材料存储器存储装置制造方法使用方法

[发明专利]自旋电子器件、电路单元、计算网络、算子以及神经网络-CN202310339778.4在审
发明人：邢国忠;王迪;汤瑞丰;刘明 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2023-03-31 - 公布日： 2023-06-23 - 主分类号： H10N50/20 文献下载
摘要：该随机自旋电子器件包括：加热器，加热器用于写入控制脉冲信号；隔离层，形成于加热器的顶面；反铁磁层，形成于隔离层的顶面；铁磁层，形成于反铁磁层的顶面，其中，反铁磁层用于固定铁磁层的磁矩，以使得铁磁层不产生磁畴壁；RKKY耦合层，形成于铁磁层的顶面；磁隧道结，形成于RKKY耦合层的顶面一侧，其中，在写入脉冲信号输入的情况下，磁隧道结的磁畴壁自由层中的磁畴壁发生运动。
自旋电子器件电路单元计算网络算子以及神经网络

[发明专利]三态自旋电子器件、存储单元、存储阵列及读写电路-CN202110084765.8有效
发明人：林淮;邢国忠;吴祖恒;刘龙;王迪;路程;张培文;谢常青;李泠;刘明 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2021-01-21 - 公布日： 2022-07-29 - 主分类号： G11C11/16 文献下载
摘要：本公开提供了一种三态自旋电子器件、存储单元、阵列及读写电路，其三态自旋电子器件，自下而上包括：底电极、磁隧道结和顶电极；磁隧道结包括：自旋轨道耦合层、铁磁自由层、势垒隧穿层和铁磁参考层、三个局域磁畴壁钉扎中心和磁畴壁成核中心；调制反对称交换作用，磁畴壁钉扎中心嵌设在重金属与铁磁自由层界面；磁畴壁成核中心设置在铁磁自由层的两端；电流脉冲流经自旋轨道耦合层产生自旋流注入铁磁自由层，全电场调控下自旋轨道转矩有效场驱动畴壁移动位移
三态自旋电子器件存储单元阵列读写电路

[发明专利]一种零序互感器磁芯退火晶化工艺-CN201610749772.4在审
发明人：唐书辉 -专利权人：贵州鑫湄纳米科技有限公司
申请日： 2016-08-30 - 公布日： 2016-11-23 - 主分类号： H01F41/02 文献下载
摘要：本发明涉及一种零序互感器磁芯退火晶化工艺，其具体步骤为：采用横磁炉进行退火晶化处理，利用磁场方向改变材料原子结构，从而达到抗直流目的；首先将所需规格的铁基纳米晶磁芯套装于横磁炉内的钢条或者钢管上，沿磁场横向方向放置，晶化过程中，由于横向电流的作用，磁畴沿横向转动运行，经过3～5小时的晶化和加磁处理，铁基纳米晶磁芯内部原子结构发生根本改变，从而达到软磁材料在单位面积的极小损耗特性。本发明采用铁基纳米晶为材料，通过特殊工艺处理，即能实现1个铁基纳米晶磁芯就能替代原1个坡莫合金磁芯和1个锰锌铁氧体磁芯的效果。本发明铁基纳米晶磁芯不仅成本低廉、磁导率非常好,而且产品一致性好。
一种互感器退火化工

[发明专利]一种用边界磁畴保护反铁磁薄膜中磁斯格明子的方法-CN202210758173.4在审
发明人：周艳;赵月雷;杨晟;武凯 -专利权人：香港中文大学（深圳）
申请日： 2022-06-29 - 公布日： 2022-09-09 - 主分类号： G11B5/70 文献下载
摘要：本发明涉及一种用边界磁畴保护反铁磁薄膜中磁斯格明子的方法，包括以下步骤S1、提供反铁磁薄膜；S2、基于方波脉冲电流诱导出边界磁畴和若干个磁斯格明子；S3、基于多个方波脉冲电流，所述若干个磁斯格明子在马格努斯力作用下靠向所述边界磁畴方向运动，所述边界磁畴对所述若干个磁斯格明子产生排斥力；S4、所述马格努斯力与所述排斥力处于平衡状态，所述若干个磁斯格明子沿着电流方向运动。本发明采用边界磁畴来保护磁斯格明子所携带的信息。
一种边界保护反铁磁薄膜中磁斯格明子方法

[发明专利]基于全电场控制磁畴壁运动的可重构PUF器件-CN202111216656.3在审
发明人：邢国忠;林淮;王迪;刘龙;张凯平;王冠亚;王艳;许晓欣;刘明 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2021-10-19 - 公布日： 2023-04-21 - 主分类号： G06F21/73 文献下载
摘要：本发明公开了基于全电场控制磁畴壁运动的可重构PUF器件，包括：压控层、上电极、下电极、反铁磁钉扎层以及磁隧道结MTJ；而MTJ包括：由下至上的铁磁参考层、势垒隧穿层以及铁磁自由层；在该器件中，通过在压控层通入电压控制磁各向异性在器件中部形成势阱，在上电极通入电流驱动磁畴壁生成并将其钉扎于能量势阱；撤掉电压后势阱减小，磁畴壁处于亚稳态，在热扰动及几何各向异性条件下磁畴壁随机偏向器件一端，进而随机得到高阻态或低阻态之一。该器件能够通过电学手段达到磁畴壁生成和随机移动，具有无外磁场和室温条件下高可靠以及可重构的阻态随机切换特性。
基于电场控制磁畴壁运动可重构 puf 器件

[发明专利]多铁性存储介质-CN200910128352.4无效
发明人： F·扎瓦利彻;赵彤;P·G·皮彻;M·A·西格勒 -专利权人：希捷科技有限公司
申请日： 2009-03-30 - 公布日： 2010-08-04 - 主分类号： G11B9/02 文献下载
摘要：一种数据存储介质包括多铁性薄膜和在该多铁性薄膜中形成的铁磁存储畴。多铁性薄膜可由BiFeO3、或任意其它铁电和反铁磁材料中的至少一种构成。铁磁存储畴可通过离子注入工艺在多铁性薄膜中形成。
多铁性存储介质

[发明专利]多铁性材料纳米尺度畴结构的原位集成表征装置-CN201410151249.2有效
发明人：赵坤宇;曾华荣;于会珠;殷庆瑞;李国荣 -专利权人：中国科学院上海硅酸盐研究所
申请日： 2014-04-16 - 公布日： 2018-01-09 - 主分类号： G01Q60/24 文献下载
摘要：本发明的一种多铁性材料纳米尺度畴结构的原位集成表征装置，包括用于对被测多铁性材料进行多铁性畴结构的原位激发以使该被测多铁性材料的激励点产生畴结构成像信号的原子力显微镜原位激励平台；对所述畴结构成像信号进行原位实时检测和数据处理并实时显示所述多铁性畴结构的原位成像表征结果的原位检测平台采用本发明，能够有效进行多铁性材料纳米尺度铁电畴、铁磁畴的原位、无损、实时、动态、集成表征。
多铁性材料纳米尺度结构原位集成表征装置

[发明专利]氧化铪基铁电薄膜和氧化铪基铁电薄膜制备方法-CN202010941513.8有效
发明人：廖敏;戴思维;郇延伟;刘晨;曾斌建;周益春 -专利权人：湘潭大学
申请日： 2020-09-09 - 公布日： 2023-04-07 - 主分类号： H01L29/51 文献下载
摘要：本发明申请公开一种氧化铪基铁电薄膜和氧化铪基铁电薄膜制备方法。氧化铪基铁电薄膜包括多个纳米铁电畴，和包围在每个纳米铁电畴周围的相结构，以使得多个纳米铁电畴之间呈弥散分布，形成多相共存结构；相结构为顺电相、非铁电相和反铁电相。基于本发明实施例，本发明的氧化铪基铁电薄膜为多相共存结构，其呈弥散布置的多个数量的纳米铁电畴有利于降低氧化铪基铁电薄膜的极化翻转势垒，从而减小了其矫顽场电压。另一方面，基于本发明实施例的氧化铪基铁电薄膜，仅需一个稍小的外加驱动电压就能达到相对大的剩余极化值，可以减小器件工作电压，避免氧化铪基铁电薄膜在高循环电场中过早的出现硬击穿现象，有效地提高氧化铪基铁电薄膜的抗疲劳性能
氧化铪基铁电薄膜制备方法

[发明专利]一种自旋波波片-CN201611261974.0有效
发明人：兰金;余伟超;肖江 -专利权人：复旦大学
申请日： 2016-12-31 - 公布日： 2019-05-31 - 主分类号： H01L43/02 文献下载
摘要：该自旋波波片基于具有DMI效应的反铁磁材料（或人工反铁磁结构），其结构为一垂直磁化的反铁磁纳米线，该纳米线中存在两块磁化方向相反的磁畴与一磁畴壁。当体系具有DMI效应时，平行于磁畴壁的线偏模式与垂直于磁畴壁的线偏模式会经历不同的传播过程，从而产生相位差，由此入射的自旋波的偏振状态能够被任意调控。
自旋磁畴壁波片纳米线垂直磁化反铁磁材料反铁磁结构传播过程磁化方向磁性器件电子芯片技术结合逻辑运算偏振特性偏振状态反铁磁相位差操控磁畴功耗可用入射制备平行调控

[发明专利]一种铁基纳米非晶磁芯及其应用-CN201710701620.1有效
发明人：唐书辉 -专利权人：贵州鑫湄纳米科技有限公司
申请日： 2017-08-16 - 公布日： 2020-06-23 - 主分类号： H01F1/153 文献下载
摘要：本方案公开了纳米非晶合金技术领域的一种铁基纳米非晶磁芯，包括的原料及其重量份数为：Fe71~75份、Si9~15份、B12.5~13.5份、Cu0.8~1.2份和促进材料；促进材料为2~4份的Nb或0.5本方案通过对各原料用量进行优化，并利用Fe作为基础原料，通过原子半径小的Si和B，促使形成非晶态合金，再通过Cu、Nb（或Mo）与其他原料之间的相互作用，使得制备的铁基纳米非晶磁芯中的晶粒更加细化，磁畴晶体结构更优化，从而提高了铁基纳米非晶磁芯在伏安特性状态测试下的初始磁导率，并使铁基纳米非晶磁芯的伏安特性输出更加平缓，使铁基纳米非晶磁芯在传感器、电子电感器件或电流互感器中的应用性能更加优化。
一种纳米非晶磁芯及其应用

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