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[发明专利]磁头及磁记录装置-CN202110210749.9有效
发明人： 岩崎仁志;成田直幸;首藤浩文;高岸雅幸;永泽鹤美 -专利权人：株式会社东芝;东芝电子元件及存储装置株式会社
申请日： 2021-02-25 - 公布日： 2023-04-11 - 主分类号： G11B5/187 文献下载
摘要：本公开提供能够实现稳定的动作的磁头及磁记录装置。根据实施方式，磁头包括第1磁极、第2磁极及设置于所述第1磁极与所述第2磁极之间的层叠体。所述层叠体包括第1磁性构件、设置于所述第1磁性构件与所述第2磁极之间的第2磁性构件、设置于所述第1磁性构件与所述第2磁性构件之间且包括Cu的第1层及设置于所述第2磁性构件与所述第2磁极之间且包括Cu的第2层。所述第1磁性构件包括多个第1磁性区域和第1非磁性区域。所述多个第1磁性区域包括作为从由Fe、Co及Ni构成的群选择出的至少1个的第1元素。所述第1非磁性区域包括作为从由Mn、Cr、V、Ti及Sc构成的群选择出的至少1个的第2元素。
磁头记录装置

[发明专利]磁头及磁记录装置-CN202110210042.8有效
发明人：成田直幸;高岸雅幸;岩崎仁志;前田知幸 -专利权人：株式会社东芝;东芝电子元件及存储装置株式会社
申请日： 2021-02-25 - 公布日： 2023-03-24 - 主分类号： G11B5/127 文献下载
摘要：本公开提供能够实现记录密度的提高的磁头及磁记录装置。根据实施方式，磁头包括第1、第2磁极和层叠体。层叠体包括第1～第3磁性层和第1～第4非磁性层。第1磁性层包括Fe、Co及Ni中的至少1个。第2磁性层包括Fe、Co及Ni中的至少1个。第3磁性层包括第1元素和第2元素，第1元素包括Fe、Co及Ni中的至少1个，第2元素包括从由Cr、V、Mn、Ti及Sc构成的群选择出的至少1个。
磁头记录装置

[发明专利]磁头及磁记录装置-CN202010950143.4有效
发明人：首藤浩文;成田直幸;永泽鹤美;高岸雅幸;岩崎仁志 -专利权人：株式会社东芝;东芝电子元件及存储装置株式会社
申请日： 2020-09-10 - 公布日： 2023-01-03 - 主分类号： G11B5/31 文献下载
摘要：提供能够提高记录密度的磁头及磁记录装置。根据实施方式，磁头包括记录部。所述记录部包括磁极、屏蔽件以及设置在所述磁极与所述屏蔽件之间的层叠体。所述层叠体包括：第1磁性层；第1层，其设置在所述第1磁性层与所述磁极之间，与所述磁极相接，包含选自IrMn、PtMn、FeMn、PdMn、NiMn、RhMn、MnCr以及PtCr中的至少一种；以及第1中间层，其设置在所述第1磁性层与所述屏蔽件之间，包含选自由Cu、Ag、Au、Al、Cr以及Ru构成的第1组中的至少一种。
磁头记录装置

[发明专利]磁头-CN202010951377.0有效
发明人：首藤浩文;成田直幸;永泽鹤美;高岸雅幸;岩崎仁志;前田知幸 -专利权人：株式会社东芝;东芝电子元件及存储装置株式会社
申请日： 2020-09-11 - 公布日： 2022-10-25 - 主分类号： G11B5/31 文献下载
摘要：提供能够提高记录密度的磁头。根据实施方式，磁头包括第1屏蔽件、第2屏蔽件、磁极、第1磁性层以及第1非磁性部件。第1屏蔽件包括第1部分区域～第3部分区域。从第2部分区域朝向第3部分区域的方向沿着第1方向。第1部分区域的位置处于第2部分区域与第3部分区域的位置之间。从第1屏蔽件朝向第2屏蔽件的第2方向与第1方向交叉。磁极设置在第1部分区域与第2屏蔽件之间。磁极处于第2部分区域与第3部分区域之间。第1磁性层处于磁极与第2屏蔽件之间。第1非磁性部件包括第1部分、第2部分。第1部分处于磁极与第1磁性层之间。第2部分在第2方向上处于第2部分区域与第2屏蔽件之间。第2部分与第2部分区域电连接。
磁头

[发明专利]磁记录装置-CN202010945118.7有效
发明人：成田直幸;高岸雅幸;首藤浩文;岩崎仁志;永泽鹤美;前田知幸 -专利权人：株式会社东芝;东芝电子元件及存储装置株式会社
申请日： 2020-09-10 - 公布日： 2022-09-13 - 主分类号： G11B5/48 文献下载
摘要：提供能提高记录密度的磁记录装置。根据实施方式，磁记录装置包括磁头、磁记录介质以及电气电路。所述磁头包括磁极、第1屏蔽件以及设置在所述磁极与所述第1屏蔽件之间的层叠体。所述层叠体包括：第1磁性层、设置在所述磁极与所述第1磁性层之间的第2磁性层、设置在所述第2磁性层与所述第1磁性层之间的第1非磁性层、设置在所述第1磁性层与所述第1屏蔽件之间的第2非磁性层以及设置在所述磁极与所述第2磁性层之间的第3非磁性层。
记录装置

[发明专利]磁头和磁记录装置-CN202110858621.3在审
发明人：中川裕治;成田直幸;高岸雅幸;前田知幸;永泽鹤美;岩崎仁志;首藤浩文 -专利权人：株式会社东芝;东芝电子元件及存储装置株式会社
申请日： 2021-07-28 - 公布日： 2022-08-19 - 主分类号： G11B5/187 文献下载
摘要：本发明提供能提高记录密度的磁头和磁记录装置。根据实施方式，磁头包括第1、第2磁极、以及设置于第1、第2磁极之间的层叠体。层叠体包括第1磁性层、设置于第1磁性层与第2磁极之间的第2磁性层、设置于第1磁性层与第2磁性层之间的第1非磁性层、设置于第2磁性层与第2磁极之间的第2非磁性层、以及设置于第1磁极与第1磁性层之间的第3非磁性层。第1磁性层包括第1元素，该第1元素包括Fe、Co和Ni的至少一个。第2磁性层包括第1元素和第2元素，该第2元素包括从由Cr、V、Mn、Ti和Sc构成的群中选择的至少一个。第1磁性层不包括第2元素。第1磁性层的第1厚度为第2磁性层的第2厚度的0.25倍以上且4倍以下。
磁头记录装置

[发明专利]磁传感器以及检查装置-CN202110966326.X在审
发明人： 岩崎仁志;白鸟聪志;喜喜津哲;东祥弘 -专利权人：株式会社东芝
申请日： 2021-08-23 - 公布日： 2022-07-08 - 主分类号： G01R33/09 文献下载
摘要：提供能提高灵敏度的磁传感器以及检查装置。根据实施方式，磁传感器包括第1传感器部。所述第1传感器部包括：第1磁性部件；第1对置磁性部件，从所述第1磁性部件朝向所述第1对置磁性部件的方向沿着第1方向；以及第1磁元件，其包括一个或者多个第1延伸部。所述第1延伸部包括第1磁性层、第1对置磁性层以及第1非磁性层。所述第1磁性层包括第1部分、第1对置部分以及第1中间部分。从所述第1部分朝向所述第1对置部分的方向沿着所述第1方向。所述第1中间部分位于所述第1部分与所述第1对置部分之间。所述第1非磁性层在与所述第1方向交叉的第2方向上位于所述第1中间部分的至少一部分与所述第1对置磁性层之间。
传感器以及检查装置

[发明专利]磁头以及磁记录装置-CN202010952619.8有效
发明人： 岩崎仁志;高岸雅幸;成田直幸;永泽鹤美;首藤浩文 -专利权人：株式会社东芝;东芝电子元件及存储装置株式会社
申请日： 2020-09-11 - 公布日： 2022-06-28 - 主分类号： G11B5/31 文献下载
摘要：提供能够提高记录密度的磁头以及磁记录装置。根据实施方式，磁记录装置包括磁头和电气电路。所述磁头包括第1磁极、第2磁极以及设置在所述第1磁极与所述第2磁极之间的层叠体。所述层叠体包括：第1非磁性层；第1磁性层，其设置在所述第1非磁性层与所述第2磁极之间；第1层，其设置在所述第1磁性层与所述第2磁极之间；第2非磁性层，其设置在所述第1层与所述第2磁极之间；第2磁性层，其设置在所述第2非磁性层与所述第2磁极之间；以及第3非磁性层，其设置在所述第2磁性层与所述第2磁极之间。所述电气电路向所述层叠体供给第1电流，所述第1电流具有从所述第2磁极朝向所述第1磁极的第1方向。
磁头以及记录装置

[发明专利]磁传感器及检查装置-CN202110974059.0在审
发明人：白鸟聪志;岩崎仁志;喜喜津哲;东祥弘;黑崎义成 -专利权人：株式会社东芝
申请日： 2021-08-24 - 公布日： 2022-06-07 - 主分类号： G01R33/09 文献下载
摘要：提供能够实现灵敏度的提高的磁传感器及检查装置。根据实施方式，磁传感器具备第1～第4磁元件、第1～第4导电部件及第1～第5磁性部件。第1磁元件及第1导电部件与第1磁性部件与第3磁性部件之间的区域重叠。所述第2磁元件及第2导电部件与第4磁性部件与第2磁性部件之间的区域重叠。第3磁元件及第3导电部件与第3磁性部件与第5磁性部件之间的区域重叠。第4磁元件及第4导电部件与第5磁性部件与第4磁性部件之间的区域重叠。
传感器检查装置

[发明专利]磁头以及磁记录装置-CN202010933146.7有效
发明人： 岩崎仁志;高岸雅幸;成田直幸;永泽鹤美;首藤浩文 -专利权人：株式会社东芝;东芝电子元件及存储装置株式会社
申请日： 2020-09-08 - 公布日： 2022-06-07 - 主分类号： G11B5/31 文献下载
摘要：提供能够提高记录密度的磁头以及磁记录装置。根据实施方式，磁记录装置包括磁头和电气电路。磁头包括磁极、第1屏蔽件、和设置在磁极与第1屏蔽件之间的层叠体。层叠体包括第1磁性层、第2磁性层、设置在第1磁性层与第2磁性层之间的第1层以及设置在第1磁性层与第1层之间的第1非磁性层，所述第1层包含选自由Ta、Zr、Hf、Mo、W、Tc、Re、Ru、Rh、Os、Ir、Pd、Pt、Mn、Cr、V、Ti、Sc、Y、La、Ce、Pr、Nd、Pm、Sm、Eu、GD、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Yb以及Lu构成的组中的至少一种。电气电路向层叠体供给电流。
磁头以及记录装置

[发明专利]磁头及磁记录装置-CN202110947763.7在审
发明人： 岩崎仁志;成田直幸;首藤浩文;高岸雅幸;永泽鹤美 -专利权人：株式会社东芝;东芝电子元件及存储装置株式会社
申请日： 2021-08-18 - 公布日： 2022-05-27 - 主分类号： G11B5/39 文献下载
摘要：提供能够进行稳定的动作的磁头及磁记录装置。根据实施方式，磁头包括第1磁极、第2磁极、及层叠体。层叠体包括第1磁性部件、设置于第1磁性部件与第2磁极之间的第2磁性部件、及设置于第1磁性部件与第2磁性部件之间且包含选自由Cr、V、Mn、Ti及Sc构成的群的至少1个的第1层。第1磁性部件包括多个第1磁性区域和第1非磁性区域。第1非磁性区域包含选自由Cr、V、Mn、Ti及Sc构成的群的至少1个。多个第1磁性区域包含选自由Fe、Co及Ni构成的群的至少1个。第1层的沿着第1方向的厚度比第1非磁性区域的沿着第1方向的厚度厚。
磁头记录装置

[发明专利]磁记录装置以及磁记录方法-CN202110973274.9在审
发明人：首藤浩文;永泽鹤美;高岸雅幸;成田直幸;前田知幸;岩崎仁志 -专利权人：株式会社东芝;东芝电子元件及存储装置株式会社
申请日： 2021-08-24 - 公布日： 2022-05-17 - 主分类号： G11B5/31 文献下载
摘要：本发明提供能够提高记录能力的磁记录装置以及磁记录方法。根据实施方式，磁记录装置包括磁头、第1电路、第2电路、第3电路以及控制部。所述磁头包括第1磁极、第2磁极、磁元件以及线圈。所述磁元件设置在所述第1磁极与所述第2磁极之间。所述磁元件包括第1磁性层。所述第1电路能够向所述线圈供给线圈电流。所述第2电路能够向所述磁元件供给元件电流。所述第3电路能够检测所述磁元件的电阻。所述控制部能够基于由所述第3电路检测到的所述电阻对所述第2电路进行控制，从而对所述元件电流进行控制。
记录装置以及方法

[发明专利]磁头以及磁记录装置-CN202010170190.7有效
发明人：高岸雅幸;成田直幸;前田知幸;岩崎仁志;首藤浩文;永泽鹤美 -专利权人：株式会社东芝;东芝电子元件及存储装置株式会社
申请日： 2020-03-12 - 公布日： 2022-04-05 - 主分类号： G11B11/105 文献下载
摘要：提供能提高记录密度的磁头及磁记录装置。磁头包括磁极、第1屏蔽件、第1磁性层～第3磁性层及第1中间层～第4中间层。第1磁性层～第3磁性层分别设置在磁极与第1屏蔽件之间、第1磁性层与第1屏蔽件之间、第2磁性层与第1屏蔽件之间。第1中间层设置在磁极与第1磁性层之间，包含选自由Au、Cu、Ag、Al以及Ti构成的第1组的至少一种。第2中间层设置在第1磁性层与第2磁性层之间，包含选自由Ta、Ir、W、Mo、Cr、Tb、Rh以及Pd构成的第2组的至少一种。第3中间层设置在第2磁性层与第3磁性层之间，包含选自第1组的至少一种。第4中间层设置在第3磁性层与第1屏蔽件之间，包含选自第2组的至少一种。
磁头以及记录装置

[发明专利]磁头及磁记录装置-CN202110213952.1在审
发明人： 岩崎仁志;成田直幸;首藤浩文;高岸雅幸;永泽鹤美 -专利权人：株式会社东芝;东芝电子元件及存储装置株式会社
申请日： 2021-02-26 - 公布日： 2022-03-01 - 主分类号： G11B5/187 文献下载
摘要：本公开提供能够实现记录密度的提高的磁头及磁记录装置。根据实施方式，磁头包括第1、第2磁极和设置于第1、第2磁极之间的层叠体。层叠体包括第1～第3磁性层和第1～第3非磁性层。第2磁性层包括第1磁性区域及第2磁性区域。第2磁性区域处于第2非磁性层与第1磁性区域之间。第1磁性区域包括第1元素，第1元素包括Fe、Co及Ni的至少1个。第2磁性区域包括第1元素和第2元素，第2元素包括从由Cr、V、Mn、Ti及Sc构成的群选择出的至少1个。第1磁性区域不包括第2元素，或者，第1磁性区域中的第2元素的浓度比第2磁性区域中的第2元素的浓度低。
磁头记录装置

[发明专利]磁头及磁记录装置-CN202110214042.5在审
发明人：高岸雅幸;成田直幸;前田知幸;永泽鹤美;岩崎仁志;首藤浩文 -专利权人：株式会社东芝;东芝电子元件及存储装置株式会社
申请日： 2021-02-26 - 公布日： 2022-01-04 - 主分类号： G11B5/187 文献下载
摘要：提供能提高记录密度的磁头及磁记录装置。磁头包括第1磁极、第2磁极及设置于第1磁极与第2磁极之间的层叠体。层叠体包括第1磁性层、设置于第1磁性层与第2磁极之间的第2磁性层、设置于第2磁性层与第2磁极之间的第3磁性层、设置于第1磁性层与第2磁性层之间的第1非磁性层、设置于第2磁性层与第3磁性层之间的第2非磁性层及设置于第1磁极与第1磁性层之间的第3非磁性层。沿第2方向的第1磁极的第1磁极长度比沿第2方向的第2磁极的第2磁极长度短，第2方向相对于从第1磁性层向第2磁性层的第1方向垂直且沿第1磁极的介质对置面。沿第3方向的第1磁性层的长度比沿第3方向的第2磁性层的长度长，第3方向相对于第1方向垂直。
磁头记录装置

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