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[发明专利]磁畴壁移动元件、磁记录阵列和半导体装置-CN202080010360.3有效
发明人：山田章悟;柴田龙雄;石谷优刚 -专利权人： TDK株式会社
申请日： 2020-05-15 - 公布日： 2023-08-29 - 主分类号： H10N50/10 文献下载
摘要：本实施方式的磁畴壁移动元件包括：第1铁磁性层；向第2方向延伸、能够进行磁记录的第2铁磁性层；非磁性层；以及具有第1中间层的第1导电部和具有第2中间层的第2导电部，所述第1中间层在第1方向上被与所述第2铁磁性层相接表现第1磁化方向的第1磁化区域和表现与所述第1磁化方向不同的第2磁化方向的第2磁化区域夹持，所述第2中间层在所述第1方向上被与所述第2铁磁性层相接表现所述第2磁化方向的第3磁化区域和表现所述第1磁化方向的第4磁化区域夹持，在沿着所述第1方向和所述第2方向的截断面，所述第1磁化区域的面积比所述第2磁化区域的面积大，所述第3磁化区域的面积比所述第4磁化区域的面积小。
磁畴壁移动元件记录阵列半导体装置

[发明专利]自旋流磁化旋转元件、自旋轨道转矩型磁阻效应元件-CN201810995234.2有效
发明人： 石谷优刚;佐佐木智生 -专利权人： TDK株式会社
申请日： 2018-08-29 - 公布日： 2023-04-18 - 主分类号： H10N50/10 文献下载
摘要：本发明的目的在于，提供一种防止引起集成度的降低且能够容易地实现磁化旋转的自旋流磁化旋转元件。该自旋流磁化旋转元件具备：自旋轨道转矩配线，其沿着第一方向延伸；第一铁磁性层，其沿着与上述自旋轨道转矩配线的上述第一方向交叉的第二方向配置；第一磁场施加层，其沿着上述第一铁磁性层的上述第一方向分开配置，且将辅助上述第一铁磁性层的磁化旋转的辅助磁场施加于上述第一铁磁性层。
自旋磁化旋转元件轨道转矩磁阻效应

[发明专利]磁化旋转元件、磁阻效应元件、磁记录阵列、高频器件及磁化旋转元件的制造方法-CN202080095332.6在审
发明人： 石谷优刚 -专利权人： TDK株式会社
申请日： 2020-03-13 - 公布日： 2022-09-09 - 主分类号： H01L29/82 文献下载
摘要：本实施方式的磁化旋转元件具备：自旋轨道转矩配线(20)；第一铁磁性层(1)，其层叠于上述自旋轨道转矩配线；和低电阻层(30)，其层叠于从上述自旋轨道转矩配线的层叠方向观察与第一铁磁性层不重叠的区域，上述自旋轨道转矩配线具有第一区域(21)、第二区域(22)以及第三区域(23)，从上述层叠方向观察，上述第一区域与上述第一铁磁性层重叠，从上述层叠方向观察，上述第二区域与上述第一铁磁性层及上述低电阻层不重叠，且位于上述第一区域和上述第三区域之间，从上述层叠方向观察，上述第三区域与上述低电阻层重叠，上述低电阻层比上述自旋轨道转矩配线电阻率低，上述低电阻层比上述自旋轨道转矩配线厚度薄。
磁化旋转元件磁阻效应记录阵列高频器件制造方法

[发明专利]磁化旋转元件、磁阻效应元件、磁存储器和自旋轨道转矩配线的制造方法-CN202111499478.X在审
发明人：佐佐木智生;盐川阳平;石谷优刚;滨中幸祐;小村英嗣 -专利权人： TDK株式会社
申请日： 2021-12-09 - 公布日： 2022-06-14 - 主分类号： H01L43/06 文献下载
摘要：本发明提供以较少的电流进行动作的磁化旋转元件、磁阻效应元件、磁存储器和自旋轨道转矩配线的制造方法。该磁化旋转元件包括自旋轨道转矩配线和层叠于所述自旋轨道转矩配线的第1铁磁性层，所述自旋轨道转矩配线包括多个配线层，在与所述自旋轨道转矩配线的长度方向正交的截面中，各个配线层的截面积与电阻率之积，越是接近所述第1铁磁性层的所述配线层越大。
磁化旋转元件磁阻效应磁存储器自旋轨道转矩制造方法

[发明专利]磁化旋转元件、磁阻效应元件、半导体元件、磁记录阵列以及磁阻效应元件的制造方法-CN202011319561.X在审
发明人： 石谷优刚;佐佐木智生;盐川阳平 -专利权人： TDK株式会社
申请日： 2020-11-23 - 公布日： 2021-06-11 - 主分类号： H01L43/08 文献下载
摘要：本发明提供一种磁化旋转元件。该磁化旋转元件具备：自旋轨道转矩配线；以及第一铁磁性层，其相对于所述自旋轨道转矩配线位于第一方向，并且从所述自旋轨道转矩配线被注入自旋，所述自旋轨道转矩配线在所述第一方向具有：多个自旋产生层、和位于所述多个自旋产生层之间的插入层，所述插入层的电阻率比所述自旋产生层低。
磁化旋转元件磁阻效应半导体记录阵列以及制造方法