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[发明专利]一种去除碲镉汞界面层的霍尔样品制备方法-CN201110355312.0有效
发明人：仇光寅;魏彦锋;陈倩男;孙权志;孙瑞赟 -专利权人：中国科学院上海技术物理研究所
申请日： 2011-11-10 - 公布日： 2012-06-20 - 主分类号： G01R31/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种去除碲镉汞界面层的霍尔样品制备方法。其方法是：使用特定腐蚀剂，对碲镉汞外延层下方的碲锌镉衬底进行腐蚀，过程中不损伤碲镉汞外延层材料，然后对去除碲锌镉衬底的碲镉汞材料进行腐蚀，以消除可能的界面层。通过此样品后续的霍尔测试，可以正确标定碲镉汞外延材料的电学性质，排除碲镉汞界面层对碲镉汞外延材料电学性质的影响。本方法操作方便，仪器要求简单，能够有效的去除碲镉汞界面层。解决了长久以来，难以排除界面层对碲镉汞材料影响，正确标定碲镉汞电学参数的问题。这对研究碲镉汞外延材料特性有着重要意义。
一种去除碲镉汞界面霍尔样品制备方法

[发明专利]一种碲镉汞外延材料霍尔测试样品的制备方法-CN202310174151.8在审
发明人：黄晟;黄立;杨朝臣;张冰洁;刘永锋;汪鑫 -专利权人：武汉高芯科技有限公司
申请日： 2023-02-28 - 公布日： 2023-05-26 - 主分类号： C30B23/02 文献下载
摘要：本发明涉及半导体材料加工制备技术领域，具体提供了一种碲镉汞材料霍尔测试样品的制备工艺。本发明的碲镉汞外延材料霍尔测试样品的制备工艺，通过对碲镉汞外延材料正面进行表面处理并沉积介质膜进行保护，同时将碲镉汞外延材料背面的衬底和过渡层材料进行去除，避免了碲镉汞外延材料表面电荷的堆积，以及失配位错缺陷对碲镉汞外延材料霍尔测量的影响，提高了碲镉汞外延材料电学测量的准确度。
一种碲镉汞外延材料霍尔测试样品制备方法

[发明专利]一种金掺杂液相外延碲镉汞材料电学性能稳定性控制方法-CN202011156074.6有效
发明人：孔金丞;宋林伟;吴军;李东升;黄元晋;王文金;王志斌;陈姗;黄蓓;陶丽明;姬荣斌 -专利权人：昆明物理研究所
申请日： 2020-10-26 - 公布日： 2022-06-14 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明提供了一种金掺杂碲镉汞外延材料电学性能稳定性控制方法。本发明针对金掺杂液相外延碲镉汞材料热处理时金掺杂原子向碲锌镉晶体中扩散导致金掺杂碲镉汞外延材料电学参数不受控的问题，其方法包括：在金掺杂碲镉汞材料液相外延生长前，对碲锌镉衬底进行镉饱和退火，消除碲锌镉衬底中的镉空位，控制碲镉汞热处理时金掺杂原子向碲锌镉衬底中的扩散富集。本方法达到了消除碲锌镉晶体中的镉空位的效果，从而控制金掺杂碲镉汞薄膜热处理时金掺杂原子向碲锌镉晶体的扩散，提高了液相外延金掺杂碲镉汞薄膜电学性能稳定性及重复性控制。
一种掺杂外延碲镉汞材料电学性能稳定性控制方法

[发明专利]一种碲镉汞外延材料的P型热处理方法-CN202211512462.2在审
发明人：黄晟;黄立;杨朝臣;张冰洁;刘永锋;周文洪 -专利权人：武汉高芯科技有限公司
申请日： 2022-11-28 - 公布日： 2023-03-14 - 主分类号： C30B33/02 文献下载
摘要：本发明属于一种半导体材料加工制备的技术领域，具体为一种碲镉汞外延材料的P型热处理方法。本发明在碲镉汞外延材料P型热处理的过程中同时提供碲蒸气、镉蒸气和汞蒸气，克服了现有技术碲镉汞外延材料P型热处理过程中不进行镉气氛保护导致的碲镉汞外延材料内外组分不均匀的技术缺陷，解决了传统碲镉汞外延材料热处理方式造成的碲镉汞材料表面原子层组分低的问题，在调整碲镉汞P型材料电学参数的同时，也能对碲镉汞材料表面提供碲蒸气和镉气氛保护。碲镉汞P型材料在液氮温度下的载流子浓度能得到有效地控制，可提高碲镉汞光伏器件的性能和制备良率，有利于降低生产成本，实现工业化批量生产。
一种碲镉汞外延材料热处理方法

[发明专利]一种分子束外延碲镉汞外延表面温度控制方法-CN202211267884.8在审
发明人：高达;王丹;李震;周朋;王丛 -专利权人：中国电子科技集团公司第十一研究所
申请日： 2022-10-17 - 公布日： 2023-02-03 - 主分类号： C30B23/06 文献下载
摘要：本申请公开了一种分子束外延碲镉汞外延表面温度控制方法，包括：固定衬底；利用热偶控制外延表面温度，采用温度补偿生长方式，基于所述衬底生长碲镉汞材料，并进行As掺杂；在生长碲镉汞材料的过程中，确定不同深度As掺杂浓度的变化量；预测在对应深度处碲镉汞外延表面温度偏离碲镉汞生长温度窗口程度；基于所确定的外延表面温度偏离程度，修正所述温度补偿生长方式，并重复基于所述衬底生长碲镉汞材料，直至As浓度不随碲镉汞深度发生变化本申请实施例对温度偏离度的表征方式进行了设计，修正了生长温度降低曲线，解决了碲镉汞外延表面温度无法精确表征而造成碲镉汞材料质量差的问题。
一种分子外延碲镉汞表面温度控制方法

[发明专利]碲镉汞红外焦平面器件及其制备方法-CN201910763541.2有效
发明人：陈慧卿;胡尚正;吴卿;王成刚;孙浩 -专利权人：中国电子科技集团公司第十一研究所
申请日： 2019-08-19 - 公布日： 2021-09-03 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明公开了一种碲镉汞红外焦平面器件及其制备方法，所述方法包括：将砷离子从掺铟碲镉汞外延层的部分待处理表面注入掺铟碲镉汞外延层内；将注有砷离子的掺铟碲镉汞外延层放入充有气态汞的加热管内，并对加热管抽真空、加热；在加热后的掺铟碲镉汞外延层的待处理表面依次镀碲化镉膜和第一硫化锌膜；将镀有碲化镉膜和第一硫化锌膜的掺铟碲镉汞外延层放入充有气态汞的加热管内，并对加热管抽真空、加热；去除第一硫化锌膜，在碲化镉膜远离掺铟碲镉汞外延层的表面镀第二硫化锌膜采用本发明，可以降低碲镉汞红外焦平面器件的暗电流和串联电阻，提高碲镉汞红外焦平面器件的零偏阻抗值，实现碲镉汞红外焦平面器件的低成本、小尺寸、高性能。
碲镉汞红外平面器件及其制备方法

[发明专利]一种高像素红外焦平面探测器及其制备方法-CN201610204043.0有效
发明人：金迎春;黄立;周文洪;刘斌;姚柏文;戴俊碧;骆鲁斌;龚健 -专利权人：武汉高芯科技有限公司
申请日： 2016-04-01 - 公布日： 2018-12-04 - 主分类号： H01L23/498 文献下载
摘要：本发明涉及一种高像素红外焦平面探测器及其制备方法，所述探测器包括相互连接的碲镉汞外延片和读出电路，所述读出电路和碲镉汞外延片表面制备有倒装焊结构，其中，碲镉汞外延片表面还覆盖有一层保护材料，保护材料可以选取填充胶或ZnS等，将碲镉汞外延片覆盖同时有露出了碲镉汞外延片表面上的倒装焊结构，读出电路和碲镉汞外延片通过倒装焊结构连接。通过平坦化解决碲镉汞外延片表面不平整性问题，提高了倒装焊良率，同时避免了倒装焊时不平导致的材料应力。
一种像素红外平面探测器及其制备方法

[发明专利]一种碲镉汞材料的钝化方法-CN201810884274.X在审
发明人：王经纬 -专利权人：中国电子科技集团公司第十一研究所
申请日： 2018-08-06 - 公布日： 2018-12-14 - 主分类号： C30B25/18 文献下载
摘要：本发明提供了一种碲镉汞材料的钝化方法，包括以下步骤：在分子束外延设备中得到碲镉汞材料之后，关闭除汞源以外的碲镉汞材料生长需要的源，升高碲镉汞材料的温度；当碲镉汞材料升高至碲化镉的单晶生长温度之后，打开碲化镉源，关闭汞源，在碲镉汞材料上生长碲化镉钝化膜层。本发明在碲镉汞生长完成后直接在生长碲镉汞的分子束外延设备中进行钝化，避免了由于材料表面沾污引起的表面漏电，进而提升了探测器的性能，同时，本方法获得的碲化镉钝化膜层为质量更好的单晶材料，可以与碲镉汞吸收层形成更好的互扩散层
碲镉汞材料碲化镉碲镉汞钝化分子束外延设备生长漏电钝化膜层升高红外探测器单晶材料单晶生长扩散层吸收层探测器除汞汞源减小沾污

[发明专利]一种碲镉汞液相外延材料生长方法-CN202310847837.9在审
发明人：宋林伟;孔金丞;万志远;方东;王文金;杨岸;毛旭峰;起文斌;李沛;姬荣斌 -专利权人：昆明物理研究所
申请日： 2023-07-11 - 公布日： 2023-10-24 - 主分类号： C30B19/10 文献下载
摘要：本发明公开了一种碲镉汞液相外延材料生长方法，针对碲镉汞和碲锌镉衬底之间不可避免存在的失配应力导致碲镉汞薄膜质量降低的问题，通过调整液相外延过程中的生长速率，在液相外延生长前段适当提高生长速率，使由于碲镉汞和碲锌镉之间晶格失配导致的失配应力随着生长厚度增加而急剧积累，达到临界值后通过晶格滑移的方式将应力释放，达到了失配应力释放的目的，生长出的碲镉汞薄膜表面平整光滑、表面明显有由于晶格失配后晶格滑移导致的crosshatch线，提高了液相外延碲镉汞材料晶体质量。
一种碲镉汞液相外延材料生长方法

[发明专利]一种用于分析碲镉汞界面缺陷形成原因的方法-CN202310301001.9在审
发明人：王旭杰;杜宇;彭成盼;徐健;何鑫;周进;魏召;陈慧 -专利权人：浙江珏芯微电子有限公司
申请日： 2023-03-27 - 公布日： 2023-07-25 - 主分类号： G01N21/95 文献下载
摘要：本发明公开了一种用于分析碲镉汞界面缺陷形成原因的方法，包括如下步骤：步骤1.用AB胶将LPE生长完成后的碲镉汞晶片粘贴在硅片上；步骤2.通过减薄和/或者抛光将碲锌镉衬底减薄，通过显微镜观察得到碲锌镉衬底；步骤3.利用溴甲醇溶液腐蚀碲锌镉衬底将步骤2中产生的加工损伤去除，腐蚀后碲锌镉衬底；步骤4.利用位错腐蚀剂将步骤处理后的碲镉汞晶片腐蚀，得到碲锌镉衬底表面的夹杂物与位错腐蚀坑；步骤5.利用选择性腐蚀剂将碲锌镉衬底全部去除，记录外延界面的腐蚀坑形貌与位置；步骤6.通过比较碲锌镉衬底与碲镉汞外延之间界面附近的碲锌镉衬底与碲镉汞外延的腐蚀坑形貌与位置，分析碲镉汞外延的界面缺陷形成的原因。
一种用于分析碲镉汞界面缺陷形成原因方法

[发明专利]一种弱P型碲镉汞材料的退火方法-CN202210123432.6有效
发明人：魏彦锋;孙权志;李珣;林春;丁瑞军;何力 -专利权人：中国科学院上海技术物理研究所
申请日： 2022-02-10 - 公布日： 2023-09-12 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明公开了一种弱P型碲镉汞外延材料的退火方法。采用双温区退火装置，汞源和碲镉汞材料封装在石英管中，使汞源和碲镉汞样品分别处在双温区退火炉的低温段和高温段，根据所要求的碲镉汞空穴载流子的浓度，分别设置汞源和碲镉汞材料的退火温度，在退火结束后的冷却阶段分别设置汞源和碲镉汞材料的降温速率，使得在整个退火过程中汞蒸气的压力满足碲镉汞材料中汞空位浓度稳定性的要求，从而提高碲镉汞外延材料电学参数的稳定性和退火工艺的重复性。
一种型碲镉汞材料退火方法

[发明专利]一种用于碲镉汞薄膜材料的石墨舟和生长系统-CN202010966462.4有效
发明人：不公告发明人 -专利权人：北京智创芯源科技有限公司
申请日： 2020-09-15 - 公布日： 2021-04-27 - 主分类号： C30B29/48 文献下载
摘要：本发明公开了一种用于碲镉汞薄膜材料的石墨舟，包括具有至少两组水平液相外延组件的生长部件，水平液相外延组件逐层设置，每组水平液相外延组件均能够用于生长至少一片碲镉汞薄膜材料，相邻层间的水平液相外延组件相互连通对于大规模的碲镉汞薄膜材料，只需要在生长部件上增加水平液相外延组件的层数和单个水平液相外延组件能够生长碲镉汞薄膜材料的数量，便能够进一步提高碲镉汞薄膜材料的生长效率。此外，本发明还公开了一种用于碲镉汞薄膜材料的生长系统。
一种用于碲镉汞薄膜材料石墨生长系统

[发明专利]碲镉汞红外探测器芯片及其制备方法-CN202011292895.2在审
发明人：王经纬;刘铭;宁提;谭振;王成刚 -专利权人：中国电子科技集团公司第十一研究所
申请日： 2020-11-18 - 公布日： 2021-03-09 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明公开了一种碲镉汞红外探测器芯片及其制备方法。碲镉汞红外探测器芯片的制备方法，包括：对硅基衬底层依次进行除气处理和束流校正；在束流校正后的硅基衬底层上外延生长碲化镉复合衬底层；在碲化镉复合衬底层上外延生长p型掺杂高电导率碲化镉导电层；在p型掺杂高电导率碲化镉导电层上外延生长碲镉汞吸收层碲镉汞红外探测器芯片，包括：硅基衬底层；碲化镉复合衬底层，层叠设置于硅基衬底层上；p型掺杂高电导率碲化镉导电层，层叠设置于碲化镉复合衬底层上；碲镉汞吸收层，层叠设置于p型掺杂高电导率碲化镉导电层上。
碲镉汞红外探测器芯片及其制备方法

[发明专利]用于对碲镉汞生长溶液进行自动合成冷却的装置及方法-CN201811100080.2有效
发明人：杨海燕;胡尚正;田震;曹鹏飞;王利军 -专利权人：中国电子科技集团公司第十一研究所
申请日： 2018-09-20 - 公布日： 2020-09-01 - 主分类号： C30B19/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种用于对碲镉汞生长溶液进行自动合成冷却的装置及方法,本发明主要用于水平液相外延用碲镉汞生长溶液的合成冷却工艺中，解决该工艺下冷却过程一致性差造成的同一批次及不同批次相同配方的碲镉汞母液均匀性差的问题通过采用本发明的装置对碲镉汞生长溶液进行冷却，可以很好的运用于水平液相外延工艺用碲镉汞生长溶液合成冷却工艺中，改善该工艺的一致性，进而提高同一批次及不同批次相同配方的碲镉汞母液的组分一致性和均匀性，改善碲镉汞薄膜组分及厚度均匀性，提高碲镉汞水平液相外延的工艺稳定性。
用于碲镉汞生长溶液进行自动合成冷却装置方法

[实用新型]一种碲镉汞外延材料热处理用石英夹具-CN201521075087.5有效
发明人：宁提;赵东生 -专利权人：中国电子科技集团公司第十一研究所
申请日： 2015-12-22 - 公布日： 2016-07-06 - 主分类号： C30B33/02 文献下载
摘要：本实用新型提出了一种碲镉汞外延材料热处理用石英夹具，所述石英夹具为等边三棱柱结构且内部中空，所述石英夹具的三侧壁厚度均匀。在热处理过程中，将碲镉汞外延材料片放到石英夹具上，再将所述石英夹具放入石英管中。所述石英夹具的内壁尺寸根据碲镉汞外延材料片的尺寸进行设计；所述石英夹具的外壁尺寸根据石英管的内径尺寸进行设计。所述石英夹具，能够解决碲镉汞外延材料在热处理过程中的弯曲变形问题，能够有效的避免碲镉汞外延材料在热处理过程中与石英管壁间的碰撞，消除镉汞外延材料在热处理过程中产生的裂片。
一种碲镉汞外延材料热处理石英夹具

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