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[实用新型]测试结构-CN201320804312.9有效
发明人：郭君 -专利权人：中芯国际集成电路制造（北京）有限公司
申请日： 2013-12-09 - 公布日： 2014-06-04 - 主分类号： H01L23/544 文献下载
摘要：本实用新型提出了一种测试结构，包括多晶硅，形成于多晶硅表面的多个硅化金属阻挡物以及硅化金属物，其中，所述硅化金属阻挡物之间具有预定间距，所述硅化金属物形成于所述硅化金属阻挡物之间。在多晶硅的表面形成多个硅化金属阻挡物以及硅化金属物，由于所述硅化金属物形成于硅化金属阻挡物之间，即将所述硅化金属阻挡物分开，通过测量所述硅化金属物的电阻值便能够监测到硅化金属阻挡物是否存在微小的偏差，从而提高监测的精确度
测试结构

[发明专利]半导体结构-CN200810137833.7有效
发明人：赵元舜;荆凤德;洪彬舫;颜丰裕;林纲正;黄国泰 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2008-07-08 - 公布日： 2009-01-14 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：一种半导体结构，包括：耐火金属硅化层；富硅耐火金属硅化层，位于该耐火金属硅化物上；以及富金属耐火金属硅化层，位于该富硅耐火金属硅化层上。该耐火金属硅化层、该富硅耐火金属硅化层与富金属耐火金属硅化层包括相同的耐火材料。该半导体结构构成金属氧化物半导体元件的栅极电极的一部分。本发明利用与带缘功函数相关的优势，且同时克服现有技术的不足。
半导体结构

[发明专利]硅通孔金属柱背面凸块制造方法-CN201410459765.1有效
发明人：丁万春 -专利权人：南通富士通微电子股份有限公司
申请日： 2014-09-10 - 公布日： 2015-01-07 - 主分类号： H01L21/60 文献下载
摘要：本发明提供一种硅通孔金属柱背面凸块制造方法，包括：对设置有至少一个硅通孔金属柱的硅基板背面进行薄化处理，以使硅通孔金属柱从硅基板背面露出，并与硅基板背面相距第一预设距离；在露出硅通孔金属柱的硅基板背面形成隔离层，该隔离层的厚度小于第一预设距离；在露出于隔离层表面的硅通孔金属柱上形成金属凸块，该金属凸块环包硅通孔金属柱表面。该方案在硅通孔金属柱本体上，将伸出硅基板背面的部分进行表面处理，形成可焊接用的金属凸块。简化了工艺，降低了生产和工艺风险。
硅通孔金属背面制造方法

[实用新型]硅通孔金属柱背面凸块结构-CN201420518588.5有效
发明人：丁万春 -专利权人：南通富士通微电子股份有限公司
申请日： 2014-09-10 - 公布日： 2015-03-18 - 主分类号： H01L23/488 文献下载
摘要：本实用新型提供一种硅通孔金属柱背面凸块结构，包括：硅基板、至少一个硅通孔金属柱和与所述硅通孔金属柱个数相同的金属凸块；所述硅通孔金属柱设置在所述硅基板中，并延伸出所述硅基板背面与所述硅基板背面相距第一预设距离；每个所述金属凸块对应的环包设置在延伸出所述硅基板背面的各所述硅通孔金属柱表面。该方案在硅通孔金属柱本体上，将伸出硅基板背面的部分外围形成可焊接用的金属凸块，这种结构在外界压力下凸块不易变形，产品性能稳定。
硅通孔金属背面结构

[发明专利]完全金属硅化栅极与无金属硅化电阻与其制备方法-CN200610057498.0无效
发明人：丁煜明;王志豪 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2006-03-17 - 公布日： 2007-12-26 - 主分类号： H01L21/82 文献下载
摘要：本发明提供一种完全金属硅化栅极与无金属硅化电阻与其制备方法。图案化栅极与电阻的半导体材料后，以第一介电层保护多晶硅免于金属硅化，接着进行第一次金属硅化将晶体管的栅极部分金属硅化。厚层栅极则以第二介电层保护电阻免于金属硅化，接着进行第二次金属硅化使栅极完全金属硅化。
完全金属硅栅极电阻与其制备方法

[发明专利]金属栅极的形成方法-CN201210238231.7在审
发明人：洪中山;平延磊 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2012-07-10 - 公布日： 2014-01-29 - 主分类号： H01L21/28 文献下载
摘要：一种金属栅极的形成方法，包括：提供半导体衬底，在所述半导体衬底上形成伪栅；在所述半导体衬底表面形成介质层，介质层的表面与伪栅的表面齐平；去除所述伪栅，形成凹槽，在凹槽的底部和侧壁形成功能层；在凹槽内的功能层表面形成硅材料层，硅材料层的表面与介质层的表面平齐；在所述介质层和硅材料层表面形成铝金属层；在铝金属层表面形成硅捕获金属层；对所述半导体衬底进行退火，铝金属层中的铝与硅材料层中的硅发生交换，形成金属栅极，同时交换的硅与硅捕获金属层中的金属反应形成金属硅化物硅捕获金属层消耗交换出来的硅，提高了铝金属层中的铝与硅材料层中的硅交换的速度和效率。
金属栅极形成方法

[发明专利]一种硅/碱金属制氢材料的制备方法-CN201710017224.7有效
发明人：陈鑫;范美强;申屠宏伟;奚诚巧;邹文珍;尹天楚 -专利权人：中国计量大学
申请日： 2017-01-06 - 公布日： 2019-03-08 - 主分类号： C01B3/06 文献下载
摘要：本发明涉及一种硅/碱金属制氢材料的制备方法，硅制氢材料以硅、碱金属或硅/碱金属合金为前驱体，机械混合金属卤盐、压块、热处理再快速冷却，获得硅/碱金属制氢材料；碱金属为硅质量的0～30wt％，卤盐为硅质量的0.01～20wt％；碱金属为锂、钠、钾的一种或两种；硅/碱金属合金为锂硅合金、钠硅合金和钾硅合金的一种；金属卤盐阴离子为氯、溴和碘盐的一种；金属卤盐阳离子为铝、锌、铋、锡、铜、铅的一种；该制氢材料具有很好的水解性能
一种碱金属材料制备方法

[实用新型]硅通孔金属柱背面互联结构-CN201420519646.6有效
发明人：丁万春 -专利权人：南通富士通微电子股份有限公司
申请日： 2014-09-10 - 公布日： 2015-03-18 - 主分类号： H01L23/482 文献下载
摘要：本实用新型提供一种硅通孔金属柱背面互联结构，包括：硅基板、锡球结构、至少一个硅通孔金属柱和与所述硅通孔金属柱个数相同的凸点下金属层；所述硅通孔金属柱设置在所述硅基板中，并延伸至所述硅基板背面形成凸点；每个所述凸点下金属层分别与一个所述凸点连接，各所述凸点下金属层间隔设置；所述锡球结构环包设置在具有互联关系的至少两个硅通孔金属柱对应的凸点下金属层上。本方案在硅通孔金属柱本体上，将露出硅基板背面的硅通孔金属柱作为凸点，在该凸点表面形成可焊接用的凸点下金属层，这种结构在外界压力下锡球焊点不易变形，产品性能稳定。
硅通孔金属背面联结

[发明专利]金属硅化合物薄膜及其制造方法-CN200980106376.8有效
发明人：金山敏彦;内田纪行 -专利权人：独立行政法人产业技术综合研究所
申请日： 2009-02-25 - 公布日： 2011-01-26 - 主分类号： C01B33/06 文献下载
摘要：本发明的课题在于提供一种金属硅化合物薄膜及其制造方法，所述金属硅化合物薄膜是以最高占据分子轨道(HOMO)与最低非占据分子轨道(LUMO)之间的能隙EHL大的，内包过渡金属的硅团簇作为结构单元的。本发明涉及如下金属硅化合物薄膜及其制造方法，所述金属硅化合物薄膜的特征在于：是以内包过渡金属的硅团簇作为结构单元的，所述硅团簇是过渡金属与硅的化合物，所述硅团簇中7个以上16个以下的硅原子包围在过渡金属原子周围；并且，过渡金属原子的第一及第二近邻原子，被配置为硅。
金属硅化合物薄膜及其制造方法

[发明专利]一种锂离子电池纳米多孔硅负极材料的制备方法-CN201910638199.3有效
发明人：马文会;席风硕;李绍元;张钊;崔洪旗;杨婷婷;魏奎先;陈正杰;谢克强;伍继君;雷云;杨斌;戴永年 -专利权人：昆明理工大学
申请日： 2019-07-16 - 公布日： 2021-08-24 - 主分类号： H01M4/38 文献下载
摘要：本发明涉及一种锂离子电池纳米多孔硅负极材料的制备方法，属于新能源材料和电化学技术领域。本发明在保护气体氛围中，将硅料粉碎细磨至微纳米级硅粉，再进行破碎预处理并洗去硅粉表面的金属纳米颗粒，烘干得到纳米级硅粉；将纳米级硅粉再进行一步法或两步金属纳米颗粒辅助化学刻蚀，固液分离，烘干得到纳米多孔硅/金属复合材料；或者采用洗涤剂去除纳米多孔硅表面的金属纳米粒子，固液分离，烘干得到纳米多孔硅；将纳米多孔硅/金属复合材料或纳米多孔硅进行氧化处理得到氧化纳米多孔硅/金属复合材料或氧化纳米多孔硅，纳米多孔硅/金属复合材料、纳米多孔硅、氧化纳米多孔硅/金属复合材料或氧化纳米多孔硅即为锂离子电池纳米多孔硅负极材料。
一种锂离子电池纳米多孔负极材料制备方法

[发明专利]经蚀刻的硅结构、形成经蚀刻的硅结构的方法及其用途-CN201380015837.7无效
发明人：刘峰名;Y·江;克里斯托夫·迈克尔·弗兰德;乔纳通·斯皮德 -专利权人：奈克松有限公司
申请日： 2013-03-21 - 公布日： 2014-12-10 - 主分类号： C23C18/00 文献下载
摘要：一种蚀刻含硅材料的硅的方法，该方法包括以下步骤：用元素金属部分地覆盖含硅材料的硅表面，然后通过将部分覆盖的硅表面暴露于蚀刻组合物进行硅的金属辅助化学蚀刻，其中，用于金属辅助化学蚀刻的至少一些元素金属由以下之一形成：(a)将硅表面暴露于含金属离子的组合物，其中，通过还原金属离子形成元素金属，并且其中，含金属离子的组合物基本上不含HF，或(b)将元素金属直接沉积在硅表面上。
蚀刻结构形成方法及其用途

[发明专利]一种铝硅中间合金的生产工艺-CN202010485634.6有效
发明人：陈福亮;木群花;尹冰晶;邱鹏瑞;黄卉;何猛 -专利权人：昆明冶金高等专科学校
申请日： 2020-06-01 - 公布日： 2022-06-14 - 主分类号： B22D7/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种铝硅中间合金的生产工艺，包括：液态金属硅准备，将金属硅冶炼完成，并准备释放液态金属硅；按比例称好铝锭，将称好的铝锭放入浇包或者铸模中，用浇包或者铸模准备接纳液态金属硅；打开炉门释放液态金属硅到浇包或者铸模中，直至浇包或者铸模充满；控制浇包或者铸模内的温度，利用人工或者机械搅动液态金属硅，混合均匀已熔化的金属铝，得到铝硅中间合金样品；取样分析铝硅中间合金的化学成分；达到合格标准后，将铝硅中间合金样品凝固冷却，然后脱模破碎装袋得到铝硅中间合金样品成品。本发明利用液态金属硅在凝固时的结晶潜热熔化金属铝，生产出铝合金熔炼时需要的铝硅中间合金，工艺简单，大幅降低生产成本，节能环保。
一种中间合金生产工艺

[实用新型]硅通孔金属柱背面互联结构-CN201420517436.3有效
发明人：丁万春 -专利权人：南通富士通微电子股份有限公司
申请日： 2014-09-10 - 公布日： 2015-03-18 - 主分类号： H01L23/525 文献下载
摘要：本实用新型提供一种硅通孔金属柱背面互联结构，包括：硅基板、锡球结构、多个硅通孔金属柱；所述硅通孔金属柱设置在所述硅基板中，并延伸至所述硅基板背面形成凸点；多个具有电连通关系的所述硅通孔金属柱对应的所述凸点在所述硅基板背面与一凸点下金属层连接；所述锡球结构环包设置在所述凸点下金属层上。本方案在硅通孔金属柱本体上，将露出硅基板背面的硅通孔金属柱作为凸点，在该凸点表面形成可焊接用的凸点下金属层，这种结构在外界压力下锡球焊点不易变形，产品性能稳定。
硅通孔金属背面联结

[发明专利]多晶硅化金属栅极结构及其制造方法-CN200410039968.1有效
发明人：刘汉兴 -专利权人：华邦电子股份有限公司
申请日： 2004-03-15 - 公布日： 2005-09-21 - 主分类号： H01L21/28 文献下载
摘要：本发明是指一种多晶硅化金属栅极结构及其制造方法，该制造方法包括下列步骤：(a)提供一基板；(b)分别形成一多晶硅层及一硅化金属层于该基板上方；(c)去除部分的该硅化金属层，藉以限定一硅化金属结构；(d)形成一保护层于该多晶硅层上，并覆盖住该硅化金属结构；(e)去除该保护层与该多晶硅层及该硅化金属结构接触的水平部分，以形成一保护结构；(f)去除未被该硅化金属结构及该保护结构所覆盖的该多晶硅层，藉以限定一多晶硅结构；以及(g)氧化该多晶硅结构，使该多晶硅结构的侧面形成一绝缘结构。
多晶金属栅极结构及其制造方法

[发明专利]一种高效回收硅渣中硅金属的方法-CN201810539818.9有效
发明人：毕红兴;王世宇;文建华;卢国洪;赵兴凡;任承伟;张忠益;杨贵明;康万福;梅志能;张金清;张藜;徐加雄 -专利权人：云南永昌硅业股份有限公司
申请日： 2018-05-30 - 公布日： 2021-11-16 - 主分类号： C01B33/037 文献下载
摘要：本发明公开了一种高效回收硅渣中硅金属的方法，具体包括：将原料硅渣破碎过筛，然后加入硅渣质量百分比5~10%的摩尔浓度18~20mol/L氢氧化钠溶液，搅拌均匀，于温度30~50℃下静置48~72h得到物料a；物料a中加入物料a质量0.5~1.5倍的造渣剂，搅拌均匀得到物料b；将物料b以15~30℃/min的升温速率均匀升温至1550~1750℃，保温1~2h至硅渣与金属硅完全分离，金属硅因流动性好且比重小而浮于上方，硅和硅渣分离后将硅熔体经浇筑得到纯度为99.2%以上的硅金属。本发明从根本上解决了硅渣回收难题，将硅渣中硅金属回收利用率提高到了85%以上，且回收后的硅金属中硅含量达到了99.2%以上，且硅金属中Fe含量低于0.7%，Al含量低于0.08%，Ca含量低于0.01%为硅渣回收以及硅金属提纯奠定了坚实的基础。
一种高效回收硅渣中硅金属方法

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