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[发明专利]一种VGF法生长正方形锗单晶的方法及使用的下坩埚-CN202211264980.7在审
发明人：陈晨;周春锋;边义午;兰天平;庞炳远;张伟才;王东兴 -专利权人：中国电子科技集团公司第四十六研究所
申请日： 2022-10-17 - 公布日： 2023-07-04 - 主分类号： C30B11/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种VGF法生长正方形锗单晶的方法及使用的下坩埚，将一块原料锗多晶加工成横截面为圆角正方形的长方体；将锗单晶籽晶加工成横截面为圆角正方形的长方体；下坩埚的横截面为圆角正方形，下坩埚下部的籽晶井的横截面为圆角正方形；装炉时，圆角正方形横截面的原料锗多晶放置在圆角正方形横截面的下坩埚内，圆角正方形横截面的锗单晶籽晶放置在圆角正方形横截面的籽晶井内，锗多晶料在下坩埚内通过锗单晶籽晶引晶生长成横截面为圆角正方形的锗单晶块。圆角正方形的锗单晶块加工成为正方形抛光片后，作为衬底用于制作空间太阳电池片，在划片过程中可节约材料，减少裁片去除量，进而降低原材料成本。
一种 vgf 生长正方形锗单晶方法使用坩埚

[实用新型]一种石英管自动熔接装置-CN202022923197.X有效
发明人： 兰天平;周春锋;边义午 -专利权人：中国电子科技集团公司第四十六研究所
申请日： 2020-12-09 - 公布日： 2021-10-01 - 主分类号： C03B23/207 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种石英管自动熔接装置，该装置包括操作台、控制面板、载物台旋转装置、氢氧焊枪移动装置、氢氧焊枪、氢氧焊枪调节装置和氢氧气阀门；将装有多晶料及其它辅料的石英管置于载物台上；将石英帽置于石英管上端口并对齐；调整石英管同心度；根据所要熔接石英管的直径调节氢氧焊枪的位置；点火调节氢氧焊枪火焰大小，对石英管与石英帽接缝进行烧结，完成二者的熔接。本实用新型有以下优势：每个氢氧焊枪火焰独立控制，避免单枪回火造成熔接失败的风险；熔接过程操作简单，效率高，三把焊枪同时烧结，结合旋转使得石英管受热更均匀，熔接质量较人工操作好，消除了人工操作易产生应力裂管问题，而且能够很好地确保操作人员的人身安全。
一种石英管自动熔接装置

[发明专利]一种石英管自动熔接装置及方法-CN202011426083.2在审
发明人： 兰天平;周春锋;边义午 -专利权人：中国电子科技集团公司第四十六研究所
申请日： 2020-12-09 - 公布日： 2021-03-19 - 主分类号： C03B23/207 文献下载
摘要：本发明公开了一种石英管自动熔接装置及方法，该装置包括操作台、控制面板、载物台旋转装置、氢氧焊枪移动装置、氢氧焊枪、氢氧焊枪调节装置和氢氧气阀门；将装有多晶料及其它辅料的石英管置于载物台上；将石英帽置于石英管上端口并对齐；调整石英管同心度；根据所要熔接石英管的直径调节氢氧焊枪的位置；点火调节氢氧焊枪火焰大小，对石英管与石英帽接缝进行烧结，完成二者的熔接。本发明具有以下优势：每个氢氧焊枪火焰独立控制，避免单枪回火造成熔接失败的风险；熔接过程操作简单，效率高，三把焊枪同时烧结，结合旋转使得石英管受热更均匀，熔接质量较人工操作好，消除了人工操作易产生应力裂管问题，而且能够很好地确保操作人员的人身安全。
一种石英管自动熔接装置方法

[发明专利]一种低亮暗点的4和6英寸半绝缘砷化镓抛光片制备方法-CN201911061684.5有效
发明人：周春锋;兰天平;边义午;宋禹;王东兴 -专利权人：中国电子科技集团公司第四十六研究所
申请日： 2019-11-01 - 公布日： 2021-02-23 - 主分类号： C30B33/02 文献下载
摘要：本发明涉及一种低亮暗点的4和6英寸半绝缘砷化镓抛光片制备方法，采用HGF法合成砷化镓多晶，去除尾部杂质富集多晶，剩余多晶王水处理清洗干净，砷化镓籽晶、砷化镓多晶、碳粉、氧化硼和少量黑砷装入PBN坩埚中，再装入石英管内抽真空焊接密封，装入多温区VGF单晶炉中，采用VGF/VB生长半绝缘砷化镓单晶，采用开管惰性气体保护单晶热处理，经头尾片测试证明生长出半绝缘砷化镓单晶性能达标。然后滚圆、多线切割、倒角、粗抛光，在氧气气氛和不饱和砷蒸汽保护条件下，对抛光片热处理，再经精细抛光、清洗、封装。技术效果是开发出砷化镓抛光片制备流程，同时结合新的晶片退火的技术，降低半绝缘砷化镓抛光片表面在强光灯下目检的亮、暗点缺陷。
一种低亮暗点英寸绝缘砷化镓抛光制备方法

[发明专利]一种适用于砷化镓晶片抛光的抛光药液-CN201811517792.4在审
发明人：李穆朗;工东兴;兰天平;边义午;张雁敏;曹志颖 -专利权人：中国电子科技集团公司第四十六研究所
申请日： 2018-12-12 - 公布日： 2019-02-22 - 主分类号： C09G1/18 文献下载
摘要：本发明公开了一种适用于砷化镓晶片抛光的抛光药液。抛光药液是将抛光液溶于去离子水，抛光药液中抛光液含量为5‑40wt%；抛光液按照重量百分比由以下组分组成：氧化剂：1‑25；碳酸氢化物：4‑20；氧化催化剂：4‑20；表面活性剂：1‑15；碱性溶胶：50‑90。在相同条件下，使用氧化催化剂，抛光药液消耗更完全，减少氧化剂的流失，提高抛光药液的使用率；抛光药液腐蚀砷化镓晶片会更加均匀，不会造成抛光效果不一致的问题；使用碳酸氢化物，抛光药液PH值更加稳定，从而使化学反应更加稳定、持久；抛光药液原材料廉价易购得，从而降低了抛光药液的成本，制备方法简便快捷，具有广阔的市场价值。
抛光药液砷化镓晶片抛光液氧化剂碳酸氢化物氧化催化剂抛光表面活性剂重量百分比化学反应碱性溶胶抛光效果去离子水不一致使用率制备腐蚀消耗

[发明专利]一种VB/VGF单晶生长用支撑结构及其加工方法-CN201510055342.8有效
发明人： 兰天平;周春锋 -专利权人：中国电子科技集团公司第四十六研究所
申请日： 2015-02-03 - 公布日： 2017-02-22 - 主分类号： C30B11/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种VB/VGF单晶生长用支撑结构及其加工方法，加工步骤将莫来石外套一端内壁加工出弧度；根据支撑管的内径尺寸卷绕陶瓷纤维纸内芯，然后塞入支撑管内；将支撑管装入烤炉内烘烤；将烘烤后的陶瓷纤维纸内芯从石英支撑管中取出进行加工并装入监控热偶；将陶瓷纤维纸内芯再装入支撑管，然后装入莫来石外套内；用陶瓷纤维纸小块塞入莫来石外套与支撑管之间，形成VB/VGF单晶生长用支撑结构。采用本发明有效地解决了因陶瓷纤维纸外套易碎、开裂等影响晶体生长工艺稳定性问题，本结构的莫来石外套及内芯可以重复使用，保证了晶体生长过程的可重复性，有效地提高了生产效率及晶体成晶率，为规模、批量生产提供了可靠保障。
一种 vb vgf 生长支撑结构及其加工方法