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- [发明专利]半导体测试结构及测试方法-CN201310206572.0有效
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甘正浩;冯军宏
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中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
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2013-05-22
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2017-02-08
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H01L23/544
- 一种半导体测试结构及测试方法，所述半导体测试结构包括第一梳状测试电极和第二梳状测试电极，所述第一梳状测试电极和第二梳状测试电极的梳齿金属线交错相嵌；位于所述第一梳状测试电极和第二梳状测试电极之间的蛇形测试电极，所述蛇形测试电极将第一梳状测试电极和第二梳状测试电极的梳齿金属线相隔离，且所述蛇形测试电极与两侧的第一梳状测试电极、第二梳状测试电极电学隔离；所述蛇形测试电极的两端与第一测试端相连接，所述蛇形测试电极的中间位置与第二测试端相连接，且所述第一测试端和第二测试端相连接。由于所述第一测试端和第二测试端相连接，使得所述蛇形测试电极各个位置的电压相等，可以提高测试结果的精确性。
- 半导体测试结构方法
- [发明专利]测试结构、测试方法以及半导体结构-CN202010472797.0有效
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杨素慧;王志强;韩坤
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长江存储科技有限责任公司
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2020-05-29
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2021-04-09
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H01L21/66
- 本发明公开了一种测试结构、测试方法以及半导体结构，在半导体衬底的切割沟道设置测试结构，所述测试结构包括相对设置的第一电极层和第二电极层以及位于两电极层之间的绝缘层，第一电极层具有第一测试电极和第二测试电极，第二电极层具有第三测试电极和第四测试电极，绝缘层具有和所述第一电极层接触且和所述第二电极层不接触的测试通孔，所述通孔包括与所述第一测试电极接触的第一通孔以及与所述第二测试电极接触的第二通孔，所述第一测试电极与所述第三测试电极为第一测试电极组，用于测试第一电压，所述第二测试电极与所述第四测试电极为第二测试电极组，用于测试第二电压。通过所述第一电压和所述第二电压能够确定所述测试通孔是否偏移。
- 测试结构方法以及半导体
- [实用新型]测试结构-CN202022218828.8有效
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哀立波;杨晓蕾
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浙江驰拓科技有限公司
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2020-09-30
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2021-05-11
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G11C29/02
- 本申请提供了一种测试结构，包括：待测试结构，包括两个MTJ，分别为第一MTJ和第二MTJ；第一测试电极组，至少包括一个第一测试电极，第一测试电极与第一MTJ电连接，第一测试电极组用于给第一MTJ提供电压，使第一MTJ发生翻转；第二测试电极组，至少包括一个第二测试电极，第二测试电极与第二MTJ电连接，第二测试电极组用于给第二MTJ提供电压，使第二MTJ发生翻转，其中，第一测试电极的个数和第二测试电极的个数相同，且第一测试电极和第二测试电极相同。该测试结构避免了因第一测试电极和第二测试电极的差异对MTJ均一性测试结果造成影响，有效地减小了测试过程中其他因素导致的测试误差，保证了测试结果更加准确。
- 测试结构
- [实用新型]一种电化学测试电极-CN202021578096.7有效
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张玉楠;朱金阳;金莹;文磊;王贝;杨阳
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北京科技大学
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2020-08-03
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2021-01-01
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G01N17/02
- 本实用新型公开一种电化学测试电极，涉及测量仪器领域。该电化学测试电极包括：待测试电极、参比电极、辅助电极、外壳和导线；参比电极位于待测试电极和辅助电极之间，且待测试电极、参比电极和辅助电极间隔设置；外壳罩于待测试电极、参比电极和辅助电极外；待测试电极、参比电极和辅助电极分别连接一根导线本实用新型将三电极体系整合到一个电化学探头即电化学测试电极上，增加三电极体系在同一液面介质下接触的可能，使电化学测试电极在只有很少液膜的环境下，也能产生电化学信号；该电化学测试电极可放置于多相流环境下油气管道的顶部
- 一种电化学测试电极
- [实用新型]一种电池测试设备-CN201921803567.7有效
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李建林;许瑞;王军
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东莞汇洋动力科技有限公司
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2019-10-25
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2020-08-11
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G01R31/385
- 本实用新型属于电池技术领域，具体涉及一种电池测试设备，包括设备本体以及设置于所述设备本体的第一测试电极、第二测试电极和第三测试电极，所述第一测试电极、所述第二测试电极、所述第三测试电极依次分布于所述设备本体的同一端面，所述第一测试电极的极性与所述第三测试电极的极性相同，所述第二测试电极的极性与所述第一测试电极的极性、所述第二测试电极的极性均不同。在流水线测试电池时，不需要翻转电池，即可直接将电池的电极引出线与测试设备上的正极、负极对应测试，大大地节省了测试时间，提高了测试效率；同时，避免了因翻转电池而引起电极引出线发生交叉接触发生的短路，提高了电池测试的安全系数
- 一种电池测试设备
- [发明专利]测试结构、测试方法以及半导体结构-CN202010473545.X有效
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杨素慧;王志强;韩坤
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长江存储科技有限责任公司
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2020-05-29
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2021-03-19
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H01L21/66
- 本发明公开了一种测试结构、测试方法以及半导体结构，所述测试结构包括第一测试电极以及第二测试电极，两测试电极之间具有绝缘介质。第一测试电极与第一测试端子电连接，第二测试电极与半导体衬底电连接，复用半导体衬底为第二测试端子，两测试端子用于在所述第一测试电极以及所述第二测试电极之间形成电压差，以检测所述第一测试电极与所述第二测试电极之间的金属间介质漏电流这样，只需要为第一测试电极单独设置一个测试端子，复用半导体衬底作为第二测试电极的第二测试端子，减少了一个测试端子，节约测试端子，缩小了尺寸，减少对切割沟道的占用面积，可以在切割沟道内设置更多的同种测试功能的测试结构和/或不同种测试功能的测试结构。
- 测试结构方法以及半导体
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