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[实用新型]电容器阵列结构-CN201721686245.X有效
发明人：不公告发明人 -专利权人：睿力集成电路有限公司
申请日： 2017-12-07 - 公布日： 2018-06-19 - 主分类号： H01L27/24 文献下载
摘要：本实用新型提供一种电容器阵列结构，包括：若干个呈阵列分布的电容器、横向支撑层及支撑柱；电容器包括下电极层、电容介质层及上电极层；下电极层位于半导体衬底上且位于阵列区域内；电容介质层覆盖于下电极层的内表面及外表面；上电极层覆盖于电容介质层的外表面；横向支撑层位于半导体衬底上并对准阵列区域，并连接各下电极层；横向支撑层包括顶层支撑层、中间支撑层及底层支撑层；支撑柱位于阵列区域的周边，支撑柱至少位于底层支撑层与中间支撑层之间本实用新型通过在电容器的周边增设支撑柱，支撑柱与横向支撑层的其中至少一层相连接，可以为电容器提供横向及纵向支撑，有效降低了电容器的下电极发生坍塌或倾覆的风险。
电容器支撑柱横向支撑下电极层电容介质层阵列区域电容器阵列结构本实用新型中间支撑层底层支撑电极层衬底半导体阵列分布纵向支撑内表面下电极支撑层顶层倾覆覆盖坍塌对准增设

[实用新型]电容器阵列结构-CN201721676396.7有效
发明人：不公告发明人 -专利权人：睿力集成电路有限公司
申请日： 2017-12-06 - 公布日： 2018-06-19 - 主分类号： H01L23/64 文献下载
摘要：本实用新型提供一种电容器阵列结构，电容器阵列结构设置于半导体衬底上，电容器阵列结构包括下电极层、粘附层、电容介质层及上电极，下电极层位于半导体衬底上；粘附层覆盖于下电极层的内表面及外表面，用于提高下电极层与电容介质层之间的粘附力，以防止下电极层与电容介质层相剥离；电容介质层覆盖于粘附层的内表面及外表面；上电极层覆盖于电容介质层的外表面。本实用新型的电容器阵列结构通过在下电极层与电容介质层之间设置粘附层，可以改善电容介质层与下电极层之间的黏着性，从而有效避免电容介质层从下电极层表面剥离，提高电容介质层的可靠性，避免漏电流的异常增加。
电容介质层下电极层电容器阵列结构粘附层本实用新型电极层内表面衬底半导体覆盖剥离漏电流黏着性电极粘附

[实用新型]电容器阵列结构-CN201721178000.6有效
发明人：不公告发明人 -专利权人：睿力集成电路有限公司
申请日： 2017-09-14 - 公布日： 2018-03-30 - 主分类号： H01L23/64 文献下载
摘要：本实用新型提供一种电容器阵列结构，所述半导体衬底上形成有多个在内存数组结构中的焊盘，所述电容器阵列结构包括下电极层，与所述焊盘接触，所述下电极层的截面形状为侧壁呈波浪状或矩形齿状的U型；电容介质层，覆盖于所述下电极层的内表面及外表面；及上电极层，覆盖于所述电容介质层的外表面。本实用新型的下电极板、电容介质层及上电极板表面轮廓呈波纹状或矩形齿状，在不增加电容器高度的情况下，可以显着增加电容。
电容器阵列结构

[实用新型]电容器阵列结构-CN201721469979.2有效
发明人：不公告发明人 -专利权人：睿力集成电路有限公司
申请日： 2017-11-07 - 公布日： 2018-05-22 - 主分类号： H01L23/64 文献下载
摘要：本实用新型提供一种电容器阵列结构，电容器阵列结构设置于半导体衬底上，半导体衬底上形成有多个在内存数组结构中的焊盘，电容器阵列结构包括：下电极层，接合于焊盘上，下电极层的截面形状为U型；电容介质层，覆盖于下电极层的内表面及外表面；上电极层，覆盖于电容介质层的外表面；及，上电极填充层，覆盖上电极层的外表面，并填满上电极层之间的间隙，上电极填充层的材质包含硼掺杂锗硅。本实用新型可以降低形成对的工艺温度，从而降低热预算对电容介质层的影响；同时可以提高载流子移动速率，从而可以降低填充层的电阻值。
电容器阵列结构

[实用新型]电容器阵列结构-CN201820728490.0有效
发明人：不公告发明人 -专利权人：长鑫存储技术有限公司
申请日： 2018-05-16 - 公布日： 2019-05-17 - 主分类号： H01L27/08 文献下载
摘要：本实用新型提供一种电容器阵列结构，包括：半导体衬底；下电极层，形成于所述半导体衬底上，所述下电极层的截面形状包括U型，且所述下电极层的内表面及外表面扩散植入氮离子；电容介质层，覆盖于所述下电极层的内表面及外表面；上电极层，覆盖于所述电容介质层的外表面。通过对下电极层中植入氮离子，氮离子可有效将下电极层中的杂质挤出，从而有效提高了电容器的电连接稳定性及电荷存储能力，同时降低了电容器的漏电率。
下电极层氮离子电容器电容器阵列结构电容介质层内表面衬底植入半导体电荷存储能力电连接稳定性本实用新型截面形状漏电电极层覆盖挤出扩散

[发明专利]半导体结构及半导体结构的制造方法-CN202011223554.X在审
发明人：吴锋;朴相烈 -专利权人：长鑫存储技术有限公司
申请日： 2020-11-05 - 公布日： 2022-05-06 - 主分类号： H01L27/108 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体结构及半导体结构的制造方法，涉及显示技术领域，该半导体结构包括基底，所述基底包括阵列区以及围绕所述阵列区的周边电路区，所述阵列区内设有阵列排布的多个电容器，本发明通过使位于所述阵列区的边缘的数个所述电容器中，任意连续相邻的三个所述电容器的中心连线构成的一个虚拟角大于90°，避免位于阵列区的边缘上的数个电容器中任意相邻的三个电容器的中心连线形成直角，即，避免位于阵列区的边缘上的数个电容器形成矩形图案，这样可以降低位于阵列区的边缘上的数个电容器所受的应力，进而降低了位于阵列区的边缘上的数个电容器的损坏几率，提高了半导体结构的存储性能。
半导体结构制造方法

[发明专利]屏蔽单元电容器阵列-CN201910572835.7在审
发明人：阿龙·J·卡菲;布里安·G·德罗斯特 -专利权人：硅谷实验室公司
申请日： 2019-06-27 - 公布日： 2020-01-03 - 主分类号： H01L27/08 文献下载
摘要：集成电路上的电容器阵列包括多个单元电容器。每个单元电容器包括形成在柱结构中的孤立电容器节点。每个单元电容器还包括与孤立电容器节点相邻的共享电容器。共享电容器节点电联接到阵列中的其他单元电容器的共享电容器节点。每个单元电容器还包括屏蔽节点，其联接到低阻抗节点，并且形成在孤立电容器节点附近，以减少导体与孤立节点和共享节点之间形成电容的机会，从而防止不需要的电荷进入共享节点并减少阵列的线性度。
单元电容器电容器节点共享电容器共享节点孤立低阻抗节点电容器阵列导体孤立节点电荷线性度柱结构电容屏蔽集成电路

[发明专利]在带有多图案化的技术中带有相关误差抑制和改进的系统不匹配的电容器结构-CN202210802071.8在审
发明人：王涛;M·克拉玛特;Y·C·A·付 -专利权人：苹果公司
申请日： 2019-04-30 - 公布日： 2022-09-13 - 主分类号： H01G4/38 文献下载
摘要：本发明题为“在带有多图案化的技术中带有相关误差抑制和改进的系统不匹配的电容器结构”。本发明描述了电容器阵列和操作数模转换器的方法。在实施方案中，电容器阵列包括单位电容器(Cu)结构，该Cu结构通过单位电容值来表征；多个不同的超级单位电容器结构；以及多个不同的子单位电容器结构，每个不同的子单位电容器结构具有由单位电容值的分数定义的不同电容
带有图案技术相关误差抑制改进系统匹配电容器结构

[发明专利]在带有多图案化的技术中带有相关误差抑制和改进的系统不匹配的电容器结构-CN201910360482.4有效
发明人：王涛;M·克拉玛特;Y·C·A·付 -专利权人：苹果公司
申请日： 2019-04-30 - 公布日： 2022-08-05 - 主分类号： H01G4/38 文献下载
摘要：本发明题为“在带有多图案化的技术中带有相关误差抑制和改进的系统不匹配的电容器结构”。本发明描述了电容器阵列和操作数模转换器的方法。在实施方案中，电容器阵列包括单位电容器(Cu)结构，该Cu结构通过单位电容值来表征；多个不同的超级单位电容器结构；以及多个不同的子单位电容器结构，每个不同的子单位电容器结构具有由单位电容值的分数定义的不同电容
带有图案技术相关误差抑制改进系统匹配电容器结构

[发明专利]用于减少来自经电激励或磁激励的电容器的可闻及/或电噪声的方法及系统-CN201380044536.7在审
发明人：史蒂夫·D·斯莱格尔;詹姆斯·D·肖;乔治·C·米姆斯;凯尔·E·埃里克森 -专利权人：艾里逊变速箱公司
申请日： 2013-08-27 - 公布日： 2015-04-29 - 主分类号： H01G2/06 文献下载
摘要：揭示用于减少来自电容器装置的振动及噪声的装置及方法。所述装置包含电路板以及第一电容器结构及第二电容器结构。所述第二电容器结构具有与所述第一实质上相同的性质，且与所述第一电容器结构实质上相对地耦合到支撑结构的相对面。所述第一电容器结构与所述第二电容器结构可接收实质上相同的激励信号、可并联或串联地电连接。所述第一电容器结构与所述第二电容器结构可为离散电容器、电容器层、多个电容器装置的堆叠或阵列，或其它电容器结构。多个电容器装置的堆叠可关于所述支撑结构对称地布置。多个电容器装置的阵列可与补偿电容器彼此实质上相对地布置在所述支撑结构的相对面上。
用于减少自经激励电容器噪声方法系统

[发明专利]半导体存储器件、电力去耦电容器阵列及存储器系统-CN201910269908.5在审
发明人：林周元;李镐哲 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2019-04-03 - 公布日： 2019-12-17 - 主分类号： G11C5/14 文献下载
摘要：公开了一种半导体存储器件、其电力去耦电容器阵列以及包括其的存储器系统。半导体存储器件包括存储器单元阵列、外围电路和多个电力去耦电容器阵列。存储器单元阵列包括多个存储器单元，并且多个存储器单元中的每一个包括单元电容器。多个电力去耦电容器阵列中的每一个包括m×n矩阵形式的m×n个电力去耦电容器子阵列。m×n个电力去耦电容器子阵列中的每一个包括多个电力去耦电容器，并且多个电力去耦电容器中的每一个具有与单元电容器相同的结构，并且多个电力去耦电容器并联连接。彼此不同的第一电压和第二电压被施加到电力去耦电容器子阵列中在第一方向上相邻布置的两个和电力去耦电容器子阵列中在第二方向上相邻布置的两个。
去耦电容器子阵列半导体存储器件存储器单元阵列存储器单元单元电容器相邻布置存储器系统并联连接矩阵形式外围电路施加

[发明专利]用于减少来自经电激励或机械激励的电容器的可闻及/或电噪声的方法及系统-CN201910264427.5在审
发明人：史蒂夫·D·斯莱格尔;詹姆斯·D·肖;乔治·C·米姆斯;凯尔·E·埃里克森 -专利权人：艾里逊变速箱公司
申请日： 2013-08-27 - 公布日： 2019-08-02 - 主分类号： H01G4/30 文献下载
摘要：本发明揭示一种用于减少来自经电激励或机械激励的电容器的可闻及/或电噪声的方法及系统。所述系统包括电子装置，所述电子装置包含电路板以及第一电容器结构及第二电容器结构。所述第二电容器结构具有与所述第一电容器结构实质上相同的性质，且与所述第一电容器结构实质上相对地耦合到支撑结构的相对面。所述第一电容器结构与所述第二电容器结构可接收实质上相同的激励信号、可并联或串联地电连接。所述第一电容器结构与所述第二电容器结构可为离散电容器、电容器层、多个电容器装置的堆叠或阵列，或其它电容器结构。多个电容器装置的堆叠可关于所述支撑结构对称地布置。多个电容器装置的阵列可与补偿电容器彼此实质上相对地布置在所述支撑结构的相对面上。
第一电容器电容器结构电容器装置支撑结构电容器电子装置机械激励结构实质电激励电噪声堆叠电路板补偿电容器离散电容器电容器层激励信号可并联相对面耦合到地电串联对称

[发明专利]具有二进制加权电容器采样阵列和子采样电荷分配阵列的混合模数转换器(ADC)-CN201010150377.7有效
发明人：王一涛;温锦泉;邝国权 -专利权人：香港应用科技研究院有限公司
申请日： 2010-03-10 - 公布日： 2010-08-18 - 主分类号： H03M1/38 文献下载
摘要：混合模数转换器(ADC)有二进制加权电容器阵列和次级电压电容器阵列，它们通过耦合电容器被耦合在一起。次级电压电容器阵列使用一个最小电容器尺寸，其与二进制加权电容器阵列的最小电容器尺寸匹配。耦合电容器的尺寸是最小尺寸的2倍，将对电荷共享导线上的电压效应减半。在次级电压电容器阵列里的第二耦合电容器又各自将电压效应减半，因此次级电压电容器阵列里的第一、第二和第三次级电压电容器产生1/2，1/4和1/8的电压摆幅。只有二进制加权电容器阵列里的MSB电容器采样模拟输入电压。在转换期间，逐次逼近寄存器(SAR)的MSB被用于二进制加权电容器，而LSB被用于次级电压电容器。通过仅仅施加LSB到次级电压电容器阵列，可以降低总电容。
具有二进制加权电容器采样阵列电荷分配混合转换器 adc

[实用新型]电容器-CN200820155120.9有效
发明人：黄威森;钱蔚宏;程仁豪;包自意 -专利权人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
申请日： 2008-11-10 - 公布日： 2009-09-16 - 主分类号： H01L29/92 文献下载
摘要：一种电容器，包括第一电极和第二电极，所述第一电极包括E形结构和连接所述E形结构的中横线的直线结构，所述直线结构与所述E形结构的中横线构成T形；所述第二电极与第一电极的E形结构相互交错，并包围所述第一电极的E形结构。上述电容器可以构成阵列型电容器或堆叠型电容器。应用所述电容器、阵列型电容器或堆叠型电容器可以获得较大的电容量和节省布局面积。
电容器

[发明专利]存储器件及其制造方法-CN202211497500.1在审
发明人：李善行;张日午;洪智琡 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2022-11-24 - 公布日： 2023-05-26 - 主分类号： H10B12/00 文献下载
摘要：在实施例中，一种存储器件包括存储单元阵列、第一虚设电容器、第二虚设电容器和第三虚设电容器。存储单元阵列包括形成在基板上的栅极结构、与栅极结构相邻的第一有源区、设置在栅极结构与第一有源区之间的栅极绝缘层、以及连接到第一有源区的单元电容器。第一虚设电容器和第二虚设电容器沿着第一方向和竖直方向延伸，并且被设置为在第二方向上与存储单元阵列相邻。第三虚设电容器沿着第二方向和竖直方向延伸，并且被设置为在第一方向上与存储单元阵列相邻。存储单元阵列设置在第一虚设电容器与第二虚设电容器之间。
存储器件及其制造方法

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