专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]图像传感器、其制备方法及电子设备-CN202210097559.5有效
  • 李玉科 - 广州粤芯半导体技术有限公司
  • 2022-01-27 - 2022-03-29 - H01L27/146
  • 本发明提供一种图像传感器、其制备方法及电子设备,图像传感器包括:基底,基底中形成有间隔排列的至少两个光电转换元件;,位于基底中相邻的两个光电转换元件之间,具有第一宽度;第一旋涂式介电材料,填充于的底部;单晶硅层,形成于侧壁,使的宽度缩小至第二宽度,第二宽度小于第一宽度;高K介质层,形成于底部和侧壁;第二旋涂式介电材料,填满。本发明大幅度提高了宽比,同时避免了填充时孔洞的产生。
  • 图像传感器制备方法电子设备
  • [实用新型]一种半挂车厢零件加工用工作台-CN202022660806.7有效
  • 周生勋;黄瑞田;黄洪鲁 - 山东旭腾车辆制造有限公司
  • 2020-11-17 - 2021-07-16 - B25H1/08
  • 本实用新型公开了一种半挂车厢零件加工用工作台,包括底座,所述底座上设有一,所述一内对称设有两个移动柱,所述移动柱贯穿于一设置,所述移动柱通过连接装置与一连接,所述连接装置包括在一内对称固定设置的两个固定杆,两个所述固定杆上滑动套设有齿条一,两个所述齿条一远离侧壁的一端与移动柱固定连接,所述侧壁对称固定设有两个二,两个所述二内设有移动板,所述移动板贯穿于二设置,所述二底部固定设有多个弹簧
  • 一种半挂车零件工用工作台
  • [实用新型]一种型砖制作的通-CN202222253310.7有效
  • 顾业明;罗高作;黄新星;顾家洋 - 顾业明
  • 2022-08-26 - 2022-11-22 - E04B2/12
  • 本实用新型公开了一种型砖制作的通墙,通墙包括:顺砖墙和丁砖墙,顺砖墙指120规格的墙,丁砖墙指200、240、300三种规格的墙;通墙包括型砖,所述型砖中部具有凹槽,所述凹槽两侧具有双侧壁,底部具有底壁,所述侧壁方向垂直向上,两侧的侧壁与顶部保持水平;所述型砖同向砌筑形成砖层,所述型砖的凹槽均横向布置,形成贯穿通道;从砖层的一端直通到另一端;上下相邻的型砖相互错开排布形成通
  • 一种深槽型砖制作通槽墙
  • [实用新型]一种基于优化刻技术的器件-CN201922465523.4有效
  • 徐远 - 苏州矽航半导体有限公司
  • 2019-12-31 - 2020-06-23 - H01L21/304
  • 本实用新型公开了一种基于优化刻技术的器件,器件的材料为硅,器件上设有的内腔侧壁已经BOE溶液清洗,槽内沉积二氧化硅;未经BOE溶液清洗的内腔侧壁的粗糙程度大于清洗后的内腔侧壁的粗糙程度,未经BOE溶液清洗的内腔侧壁上生长有氧化层,BOE溶液将氧化层漂去;未生长氧化层的器件已被刻,器件上的经等离子体干法刻蚀而成型,器件在刻蚀前表面还设有硬掩模,在刻蚀的过程中器件与硬掩模均被消耗;在硬掩模被刻蚀前本实用新型所提及的器件的可以将刻蚀引入的漏电控制在较低的水平。
  • 一种基于优化技术器件
  • [发明专利]一种中选择性外延锗方法-CN202110956076.1在审
  • 杨荣 - 杨荣
  • 2021-08-19 - 2021-11-16 - H01L21/762
  • 本发明提供了一种中选择性外延锗方法,包括:步骤1、在硅衬底表面沉积硬掩膜,并制作;步骤2、在侧壁和底部同时选择性外延生长锗;步骤3、高温退火使侧壁锗材料再分布;步骤4、重复步骤2‑3使处外延生长锗表面高于硬掩膜;步骤5、进行化学机械抛光使锗表面与硬掩膜表面齐平;步骤6、去除硬掩膜,完成的选择性外延锗。本发明提出的方案在硅侧壁和底部同时外延锗/锗硅,结合高温锗再分布技术,可以在不影响形貌的情况下,实现中锗/锗硅外延生长;并且无需在硅与锗中间插入氧化硅层,有利于提升硅波导到锗器件的耦合效率。
  • 一种深硅槽中选择性外延方法
  • [发明专利]全硅基微流体器件的腔体的制造方法-CN201110270253.7有效
  • 杨海波;马清杰;吕宇强 - 上海先进半导体制造股份有限公司
  • 2011-09-13 - 2012-01-18 - B81C1/00
  • 本发明提供一种全硅基微流体器件的腔体的制造方法,包括步骤:提供<111>晶向的单晶硅衬底,其上形成有氧化层;将氧化层图形化,露出多个正方形窗口图形;以氧化层为掩模,刻蚀硅衬底,形成上层;在氧化层表面和上层侧壁及底部淀积保护层;将氧化层表面和上层底部的保护层去除;以氧化层和上层侧壁的保护层为掩模,刻蚀硅衬底,形成下层;湿法刻蚀下层,在硅衬底内部形成腔体;将上层的孔洞填满,将腔体封闭;以氧化层为掩模,刻蚀硅衬底本发明形成腔体的过程中基于单片硅衬底本身进行加工,通过先分层形成底部腔体后填充的方式,不涉及硅键合或胶粘合技术即可形成腔体。
  • 全硅基微流体器件制造方法

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