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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

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B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]一种改良相变材料的方法-CN202011601376.X在审
发明人：梅霆;高琨;张文定;田森茂;郭亚轩 -专利权人：西北工业大学
申请日： 2020-12-29 - 公布日： 2021-04-30 - 主分类号： H01L45/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种改良相变材料的方法，包括以下步骤：(1)清洗衬底：准备衬底并依次置于丙酮、乙醇以及超纯水中进行超声清洗，去除杂质；(2)沉积相变材料：准备相变材料，利用沉积法沉积相变材料薄膜在清洗后的衬底上；(3)沉积介质薄膜：在相变材料表面沉积介质薄膜。本发明的方法可以保护相变材料免于外部机械作用；保护相变材料在相变过程避免发生形变，方法简单，成本低廉；可以保护相变材料免于外界空气的影响，防止在长期工作时外界大气与相变材料发生化学反应；保护层可以有效改善晶态化时相变材料的结晶状态，提高相变材料的性能和使用寿命。
一种改良相变材料方法

[发明专利]以单壁碳纳米管为电极的横向相变存储器的制备方法-CN200910045816.5有效
发明人：宋志棠;吕士龙 -专利权人：中国科学院上海微系统与信息技术研究所
申请日： 2009-01-23 - 公布日： 2009-09-02 - 主分类号： H01L21/822 文献下载
摘要：一种以单壁碳纳米管为电极的横向相变存储器的制备方法，其首先清洗半导体衬底以去除其表面的污物，然后采用化学气相沉积法在衬底表面沉积介质层，再采用化学气相沉积法在介质层上制备横向的单壁碳纳米管阵列，接着采用聚焦离子束沉积法沉积用于光刻的多个对准标记及与各碳纳米管相接触的接触电极，接着采用电子束光刻结合反应离子刻蚀法刻蚀碳纳米管以形成电极对阵列，并根据所形成的各对准标记，采用磁控溅射法及电子光刻技术在各电极对之间被刻蚀掉的碳纳米管处沉积相变材料，接着再采用离子束沉积法及电子束光刻法在已沉积相变材料的结构上沉积绝热保护区，以及制备各测试电极，由此形成低功耗的横向相变存储器。
单壁碳纳米电极横向相变存储器制备方法

[发明专利]用于半导体器件制造的相变材料在高纵横比电介质孔中的选择性生长-CN201880070625.1在审
发明人： R·布鲁斯;M·J·布莱特斯基;增田健 -专利权人：国际商业机器公司;株式会社爱发科
申请日： 2018-10-30 - 公布日： 2020-06-12 - 主分类号： H01L45/00 文献下载
摘要：一种衬垫，其保形地沉积到半导体器件的第一电介质材料内的孔。所述孔延伸穿过所述第一电介质材料至第一金属电极的顶表面。蚀刻衬垫，使得金属衬垫基本上仅保留在孔的侧壁上。在第一电介质层的孔内选择性沉积相变材料，以用相变材料基本上填充孔。相变材料的选择性沉积产生以基本上大于相变材料在第一电介质材料的暴露表面上的生长速率的相变材料在衬垫上的生长速率。
用于半导体器件制造相变材料纵横电介质中的选择性生长

[发明专利]一种限制型相变单元及其制备方法-CN202010426144.9有效
发明人：钟旻;陈寿面;李铭 -专利权人：上海集成电路研发中心有限公司;上海集成电路装备材料产业创新中心有限公司
申请日： 2020-05-19 - 公布日： 2022-10-14 - 主分类号： H01L45/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种限制型相变单元，自下而上包括相连的底电极、相变材料层和顶电极，相变材料层为采用侧壁沉积相变材料薄膜的方法而形成的至少一个侧壁结构，可大幅降低底电极和相变材料的接触面积，降低相变单元的功耗，避免刻蚀工艺对相变材料造成的损伤，提高器件的可靠性，并能实现全相变操作，有利于提高相变单元整列的阻值一致性。
一种限制相变单元及其制备方法

[发明专利]相变存储元件-CN201080053113.8有效
发明人： M·J·布赖特维施;C·H·拉姆 -专利权人：国际商业机器公司
申请日： 2010-10-26 - 公布日： 2012-09-12 - 主分类号： G11C13/00 文献下载
摘要：一种制造在半导体结构中的相变存储元件以及具有该元件的半导体结构的方法，该方法包括：在底电极的上表面蚀刻开口，所述开口被形成为具有等于半导体结构中的同一层处的介质层中形成的金属区域的高度，在开口内沉积保形膜并且凹陷所述保形膜以暴露底电极的上表面，在开口中沉积相变材料，凹陷开口中的相变材料，以及在凹陷的相变材料上形成顶电极。
相变存储元件

[发明专利]改进的填充受限单元PCM器件-CN202180069014.7在审
发明人： P·阿杜苏米利;M·J·布赖特斯基;G·M·科恩;R·L·布鲁斯 -专利权人：国际商业机器公司
申请日： 2021-10-25 - 公布日： 2023-06-23 - 主分类号： H01L21/463 文献下载
摘要：一种用于制造相变存储器件的方法，包括：提供包括多个底部电极的衬底；图案化衬底以在衬底中形成从衬底的表面延伸到底部电极的多个孔；在衬底上沉积相变材料；在相变材料中注入Ge、Sb和Te中的一种或多种以使孔内的相变材料的至少一部分非晶化，平坦化该器件以暴露衬底的表面，以及在孔上形成与相变材料接触的多个顶部电极。
改进填充受限单元 pcm 器件

[发明专利]一种半导体器件及其制造方法、电子装置-CN201610357336.2有效
发明人：周耀辉;伏广才 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司
申请日： 2016-05-26 - 公布日： 2021-01-22 - 主分类号： H01L45/00 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体器件及其制造方法、电子装置，所述方法包括：提供半导体衬底，在半导体衬底上形成有层间介质层，在层间介质层中形成有通孔；形成完全填充所述通孔的底部电极材料层；沉积相变材料层，覆盖底部电极材料层，并对相变材料层进行超快速热处理，使相变材料层达到应力稳定状态；在相变材料层上形成硬掩膜叠层结构后，图形化相变材料层。根据本发明，在光刻、蚀刻相变材料层时，不会造成相变材料层与底部电极材料层之间的剥离。
一种半导体器件及其制造方法电子装置

[发明专利]一种具有纳米尺寸的钨塞小电极相变存储器件制备方法-CN202010855149.3有效
发明人：刘成;郑勇辉;成岩;齐瑞娟;黄荣 -专利权人：华东师范大学
申请日： 2020-08-24 - 公布日： 2022-10-25 - 主分类号： H01L45/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种具有纳米尺寸的钨塞小电极相变存储器件制备方法。选用预加工的填充有钨塞的氧化硅衬底，根据氧化硅与钨塞刻蚀的速率差异，采用聚焦离子束刻蚀的方法得到具有更小的纳米尺寸的钨塞小电极钨塞。采用物理气相沉积方法在钨塞上层依次沉积相变材料和电极材料层，利用聚焦离子束系统在W塞正上方沉积更小尺寸钨硬掩膜，采用反应离子刻蚀方法刻蚀硬掩模周围的的相变材料和电极材料层，再沉积介质层包覆整个器件单元，沉积电极材料最终形成极小体积的相变存储器件。本发明在微纳尺度上精细加工出具有纳米量级直径的W电极和相应的极小尺寸的相变存储器件，可用于构建高密度、低功耗新型相变存储器件。
一种具有纳米尺寸钨塞小电极相变存储器件制备方法

[发明专利]半导体器件及其制造方法-CN200810133031.9无效
发明人：李秉镐 -专利权人：东部高科股份有限公司
申请日： 2008-07-04 - 公布日： 2009-01-07 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：一种半导体器件，包括用于防止器件遭受由于过热而引起的故障的相变材料。该半导体器件适用于检测由于发热造成的电流的迅速增长，且同样适用于通过在半导体器件中实际工作的单元的内部或外部沉积相变材料来断开检测到的电流迅速增长的电路。
半导体器件及其制造方法

[发明专利]一种半导体器件及其制造方法、电子装置-CN201610012209.9在审
发明人：李莹 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司
申请日： 2016-01-08 - 公布日： 2017-07-18 - 主分类号： H01L45/00 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体器件及其制造方法、电子装置，所述方法包括提供半导体衬底，在半导体衬底上形成有层间介电层，在层间介电层中形成有通孔；形成完全填充所述通孔的底部电极材料层；沉积相变材料层，覆盖底部电极材料层，相变材料层的材料为掺氮的GeSbTe。根据本发明，在实施后段制造工艺时，构成相变材料层的GeSbTe的组分将保持稳定。
一种半导体器件及其制造方法电子装置

[发明专利]逐步多级相控油气储层三维地质建模方法-CN202110631448.3在审
发明人：陈炳峰;王树立;杜庆龙;肖洪伟;常淑云;袁娜;王磊;付文畅 -专利权人：大庆油田有限责任公司;中国石油天然气股份有限公司
申请日： 2021-06-07 - 公布日： 2022-12-23 - 主分类号： G06T17/05 文献下载
摘要：主要解决常规相控和多级相控沉积相带边界附近储层厚度和属性参数异常问题。其特征在于：采用赋值算法生成背景储层岩性模型；打开过滤器，按照沉积相模型不同类型沉积相储层厚度均值变化规律由薄到厚逐步过滤，采用序贯指示模拟算法逐步更新过滤后保留部分模型，生成M次随机预测储层岩性模型；该方法依据储层沉积相变规律及不同类型沉积相储层厚度均值变化规律，利用过滤器按照不同类型沉积相储层厚度由薄到厚逐步滤除，对过滤后保留部分逐步实施相控建模，实现了沉积相带边界位置储层厚度和储层内部属性参数的合理表征
逐步多级油气三维地质建模方法

[发明专利]相变存储器及其制作方法-CN201210053864.0有效
发明人：刘焕新 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2012-03-02 - 公布日： 2013-09-11 - 主分类号： H01L45/00 文献下载
摘要：一种相变存储器及其制作方法，所述方法包括：提供半导体衬底，其包括第一区域、第二区域；沉积介电层，在半导体衬底第二区域上的介电层内形成下电极；沉积相变材料，对其进行刻蚀，以在介电层上方对应下电极的位置形成图形化相变材料层、对应半导体第一区域的局部位置形成伪相变垫，图形化相变材料层与伪相变垫之间存在间隔，伪相变垫至少包括两个部分，相邻部分之间存在间隔；形成伪相变垫之后，对半导体衬底进行清洗处理。本发明将伪相变垫分割为彼此之间存在间隔的多个部分之后，有效改善了在相变材料刻蚀后的清洗处理过程中伪相变垫易剥落的问题。
相变存储器及其制作方法

[发明专利]半导体芯片中的相变存储器单元及其制造方法-CN201110042409.6无效
发明人：龙翔澜;马修·J·布雷特维希;林仲汉;艾瑞克·安德鲁·约瑟 -专利权人：旺宏电子股份有限公司;国际商用机器公司
申请日： 2011-02-18 - 公布日： 2012-03-14 - 主分类号： H01L45/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种半导体芯片中的相变存储器单元及其制造方法。所述方法包含在绝缘衬底内形成非亚光刻介层孔。所述绝缘衬底嵌入于与半导体芯片的第一金属化层(金属1)相同的层上，且包含底部以及侧壁。穿过所述非亚光刻介层孔的底部形成亚光刻孔且使之延伸至内埋式导电材料。用导电非相变材料填充所述亚光刻孔。此外，在所述非亚光刻介层孔内沉积相变材料。
半导体芯片中的相变存储器单元及其制造方法

[发明专利]单掩模相变存储器工艺集成-CN201180039400.8无效
发明人： M·J·布赖特韦什;C·H·拉姆;H-L·隆;E·A·约瑟夫 -专利权人：国际商业机器公司;旺宏电子股份有限公司
申请日： 2011-07-11 - 公布日： 2013-04-24 - 主分类号： H01L45/00 文献下载
摘要：本发明的一个实例实施例示出了一种制造相变存储器单元的方法。所述方法包括在绝缘衬底内形成非亚光刻过孔。所述绝缘衬底嵌在与半导体晶片的第一金属化层（金属1）相同的层上，并包括底部和侧壁。亚光刻孔穿过所述非亚光刻过孔的所述底部形成并延伸至掩埋导电材料。用导电非相变材料填充所述亚光刻孔。此外，在所述非亚光刻过孔内沉积相变材料。
单掩模相变存储器工艺集成

[发明专利]基板处理装置及方法-CN201280053239.4有效
发明人：朴周焕;柳东浩;赵炳哲 -专利权人：圆益IPS股份有限公司
申请日： 2012-10-30 - 公布日： 2017-02-22 - 主分类号： H01L45/00 文献下载
摘要：本发明涉及沉积相变存储器(PRAM)的相变层的基板处理装置及其处理方法，是制造沉积特性优秀的相变层的基板处理装置及基板处理方法。本发明的实施形态为，根据制造相变存储器的基板处理方法，包括在形成图案的基板形成下部电极的过程；通过所述形成下部电极的过程，清除在基板表面生成或残留的杂质的表面处理过程；与对所述清除杂质的基板表面执行氮化处理的过程；在所述下部电极上按顺序沉积相变层及上部电极的过程。具有为了移送基板的基板移送机器人；氮化处理腔室，结合于所述真空移送腔室的多个面中的一面，将形成下部电极的基板表面进行氮化处理；处理腔室，结合于所述真空移送腔室的多个面中的一面，通过所述氮化处理腔室在氮化处理的基板面沉积相变层
处理装置方法

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