专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]一种丝杠螺母副用可调节固有频率的减振结构-CN202310688236.8在审
  • 金长明;丁涛;郑勇辉 - 合肥安迅精密技术有限公司
  • 2023-06-09 - 2023-10-24 - F16F7/108
  • 本发明公开了一种丝杠螺母副用可调节固有频率的减振结构,丝杠螺母副包括丝杠和螺母,螺母内部设有减振结构,减振结构包括减振组件和质量块,减振组件为金属橡胶组件,质量块可拆卸地置于减振组件的容纳空腔中,螺母沿轴向的一端开有呈环形的安装腔,安装腔将螺母分隔为螺母内圈和螺母外圈,螺母的安装腔中设置有减振组件和调节螺栓,减振组件外侧壁与螺母外圈内侧壁相贴合,减振组件内侧壁与螺母内圈外侧壁之间设有调节套筒,通过调节套筒沿径向挤压减振组件,通过调节螺栓沿轴向挤压减振组件,螺母外圈的延伸段内腔中设置有密封圈,密封圈与螺母可拆卸连接。本发明相比现有技术具有以下优点:能调整固有频率的大小从而扩大了其适用范围。
  • 一种螺母副用可调节固有频率结构
  • [实用新型]底镜相机角度调节装置-CN202320321494.8有效
  • 丁涛;金长明;郑勇辉 - 合肥安迅精密技术有限公司
  • 2023-02-27 - 2023-07-21 - F16M11/04
  • 本实用新型公开了调节装置领域的一种底镜相机角度调节装置,包括位于相机两侧的调节端调整单元和浮动端调整单元,所述调节端调整单元和浮动端调整单元均包括竖向调整块和横向调整块,所述横向调整块沿竖直方向与所述竖向调整块滑动连接;所述调节端调整单元的横向调整块两端滑动连接有调节杆,所述浮动端调整单元的横向调整块两端滑动连接有浮动杆。该方案实现了装调过程中,保证每一次调节都是在之前调节基础上的提升,提高装调效率;同时解决了完成相机角度装调后的相机锁紧阶段中的角度微动问题,装调完成后,通过调节装置实现了能够保持相机角度的固定,最终在螺钉锁紧后,也能达到预期的角度指标。
  • 相机角度调节装置
  • [发明专利]一种具有纳米尺寸的钨塞小电极相变存储器件制备方法-CN202010855149.3有效
  • 刘成;郑勇辉;成岩;齐瑞娟;黄荣 - 华东师范大学
  • 2020-08-24 - 2022-10-25 - H01L45/00
  • 本发明公开了一种具有纳米尺寸的钨塞小电极相变存储器件制备方法。选用预加工的填充有钨塞的氧化硅衬底,根据氧化硅与钨塞刻蚀的速率差异,采用聚焦离子束刻蚀的方法得到具有更小的纳米尺寸的钨塞小电极钨塞。采用物理气相沉积方法在钨塞上层依次沉积相变材料和电极材料层,利用聚焦离子束系统在W塞正上方沉积更小尺寸钨硬掩膜,采用反应离子刻蚀方法刻蚀硬掩模周围的的相变材料和电极材料层,再沉积介质层包覆整个器件单元,沉积电极材料最终形成极小体积的相变存储器件。本发明在微纳尺度上精细加工出具有纳米量级直径的W电极和相应的极小尺寸的相变存储器件,可用于构建高密度、低功耗新型相变存储器件。
  • 一种具有纳米尺寸钨塞小电极相变存储器件制备方法
  • [发明专利]用于透射电镜原位电学测试的限制型存储单元制备方法-CN202010356010.4在审
  • 刘成;成岩;郑勇辉;肖威;齐瑞娟;黄荣 - 华东师范大学
  • 2020-04-29 - 2020-08-14 - G01N1/28
  • 本发明公开了一种用于透射电镜原位电学测试的限制型存储单元制备方法,利用聚焦离子束将透射电镜原位样品杆的探针针尖削平,作为限制型存储单元的底电极,在底电极上沉积介质层,利用聚焦离子束在介质层上打孔,依次沉积存储材料、顶电极,随后利用聚焦离子束减薄形成薄片,再分割成多个独立的电学测试单元,随后将其放入透射电镜中,用探针连接其顶电极,形成电流回路。本发明通过制备限制型存储单元的方法对存储材料加以保护,减少了常规透射电镜制样需要转移样品的步骤,避免了材料在透射电镜原位电学测试过程中挥发的可能性。该存储单元结构简单,制备方便,电极和存储材料之间欧姆接触良好,存储材料的尺寸精确可控。
  • 用于透射原位电学测试限制存储单元制备方法

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