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[发明专利]半导体装置及半导体装置的制造方法-CN201910576377.4在审
发明人：原田健司;曾根田真也 -专利权人：三菱电机株式会社
申请日： 2019-06-28 - 公布日： 2020-01-14 - 主分类号： H01L21/48 文献下载
摘要：半导体装置具备：半导体衬底、半导体衬底之上的电极、电极之上的焊料接合用金属膜、焊料接合用金属膜之上的防氧化用金属膜、以及防氧化用金属膜之上的焊料层。在从防氧化用金属膜侧俯视观察焊料接合用金属膜及防氧化用金属膜时，焊料接合用金属膜具有不与防氧化用金属膜重叠的第1部分。
金属膜防氧化焊料接合半导体装置电极衬底半导体俯视观察焊料层

[实用新型]一种抗氧化PET银膜-CN202123195922.7有效
发明人：邓建东;李庆春;陈明源;薛海星 -专利权人：东莞市光志光电有限公司
申请日： 2021-12-17 - 公布日： 2022-07-15 - 主分类号： G02B1/115 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种抗氧化PET银膜，包括PET基材，PET基材的表面镀有Ag薄膜，Ag薄膜上镀有Sn金属膜层或Zn金属膜层，Sn金属膜层或Zn金属膜层上经涂聚氨酯防水涂料固化形成聚氨酯保护层。本实用新型通过在PET基材的表面镀Ag薄膜来进行光的反射，并在Ag薄膜上镀Sn金属膜层或Zn金属膜层，由于Sn、Zn的氧化性比Ag强，Sn金属膜层、Zn金属膜层会优先氧化，Sn氧化后成为SnO，Zn氧化后成为ZnO，SnO或ZnO可作为抑制Ag薄膜氧化的材料，此外在Sn金属膜层或Zn金属膜层上还设有聚氨酯保护层和聚酯PET膜，有助于减缓Sn金属膜层、Zn金属膜层的氧化速度，并且可避免水气进入。
一种氧化 pet 银膜

[实用新型]一种电子产品视窗镀膜-CN200920204412.1无效
发明人：杨安超 -专利权人：比亚迪股份有限公司
申请日： 2009-08-28 - 公布日： 2010-06-23 - 主分类号： G02B7/00 文献下载
摘要：本实用新型提供了一种电子产品视窗镀膜，包括视窗基板上的膜层，所述膜层由氧化物膜层和金属膜层组成，所述氧化物膜层位于所述视窗基板和金属膜层之间，所述金属膜层包括第一金属膜层和其上的第二金属膜层。根据本实用新型提供的电子产品视窗，膜层简单，只由单层氧化物膜层和双层金属膜层组成，并且可以通过不同氧化物膜层与金属膜层的搭配，是镀膜材料得到多种颜色效果，并且色彩绚丽、金属质感很强。
一种电子产品视窗镀膜

[实用新型]电镀膜电容器-CN202021985559.1有效
发明人：罗启银;罗华强;周秀梅 -专利权人：罗启银
申请日： 2020-09-11 - 公布日： 2021-03-09 - 主分类号： H01G4/33 文献下载
摘要：在绝缘基底上电镀一层金属膜，把金属膜表面大部分氧化，留下小部分不氧化，然后错开一定位置再电镀另一层金属膜，再氧化大部分金属膜表面，留下小部分不氧化，它们氧化的部分在中间重合，没氧化的部分在两边。如此在前一层金属膜的基础上再重复前面的操作，重复多次，一边没氧化的金属膜相互连接形成一个电极，另一边没氧化的金属膜相互连接形成另一个电极，金属膜表面的氧化层构成绝缘介质层，位置在中间并起隔离作用，这样就形成了一个类似平行板电容器的电镀膜电容器
镀膜电容器

[发明专利]在玻璃基材上镀金属膜的方法和复合部件-CN202111310349.1有效
发明人：杨鹏 -专利权人：万津实业（赤壁）有限公司
申请日： 2021-11-04 - 公布日： 2023-03-28 - 主分类号： C03C17/36 文献下载
摘要：本发明涉及一种在玻璃基材上镀金属膜的方法和复合部件。该方法包括：在玻璃基材上沉积包含间隔分布的碳颗粒的碳膜；在碳颗粒之间的间隙中沉积第一金属膜；对碳膜进行氧化，得到碳氧化物气体，并对第一金属膜进行氧化，得到第一金属氧化物；去除碳氧化物气体，制得具有凹凸不平表面的金属氧化物膜层；在具有有凹凸不平表面的金属氧化物膜层上沉积第二金属膜，第二金属膜覆盖在在氧化物膜层的表面上，并填充上述凹凸不平结构，形成镶嵌结构。该方法显著增加了金属膜和玻璃基材的结合力，解决了脱膜问题，同时不影响产品的光泽度，另外，操作简单，适合工业化应用，前景广阔。
玻璃基材镀金方法复合部件

[发明专利]金属膜的加工方法及加工装置-CN201280003850.6无效
发明人：军司勋男;三好秀典;原谦一 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2012-01-17 - 公布日： 2013-07-31 - 主分类号： H01L21/302 文献下载
摘要：本发明提供一种金属膜的加工方法及加工装置。在利用气体团簇束对形成于被处理体（W）的表面的金属膜（72）进行加工的金属膜的加工方法中，通过将氧化金属膜的元素而形成氧化物的氧化气体、与氧化物反应而形成有机金属络合物的络合化气体以及稀有气体的混合气体绝热膨胀来形成气体团簇束，使气体团簇束碰撞于被处理体的金属膜，从而对金属膜进行蚀刻加工。
金属膜加工方法装置

[发明专利]一种通过预制氧化膜延长高温合金服役寿命的方法-CN202210509482.8在审
发明人：董安平;何林;杜大帆;熊良华;孙宝德;李建平;刘朝明;桂大兴 -专利权人：上海交通大学;上海鑫蓝海自动化科技有限公司
申请日： 2022-05-10 - 公布日： 2022-07-08 - 主分类号： C25D11/02 文献下载
摘要：本发明提供一种通过预制氧化膜延长高温合金服役寿命的方法，包括：在高温合金表面制备第一金属膜，对所述第一金属膜进行氧化处理，将所述第一金属膜转化成第一多孔氧化膜；所述高温合金服役后，所述高温合金的表面具有粗大柱状晶的氧化膜；在所述粗大柱状晶的氧化膜的表面制备第二金属膜，对所述第二金属膜进行氧化处理，将所述第二金属膜转化成第二多孔氧化膜。本发明在合金表面以及粗大柱状晶氧化物表面制备保护性、多孔氧化膜，从而实现提高高温合金抗氧化性和阻断粗大柱状晶外延生长的目的，进而能够提高高温合金服役寿命。
一种通过预制氧化延长高温合金服役寿命方法

[发明专利]具有抗氧化金属层的导电基板-CN201110386500.X无效
发明人：王启任;唐世杰 -专利权人：迎辉科技股份有限公司
申请日： 2011-11-29 - 公布日： 2013-06-05 - 主分类号： G06F3/041 文献下载
摘要：一种具有抗氧化金属层的导电基板，包含基材，形成于该基材至少一个表面的透明导电层及形成于该透明导电层表面的金属层，特别的是，该金属层具有自该基材表面依序形成的第一金属膜、第二金属膜及第三金属膜，其中该第一、三金属膜选自含铜合金，该第二金属膜由铜材料构成，利用具有三明治复合结构的金属层，通过该第一金属膜增加该金属层与该透明导电层的密着性，并利用该第三金属膜减少该第二金属膜与空气接触氧化，同时解决铜的氧化问题并提升该金属层与该透明导电层的密着性
具有氧化金属导电

[发明专利]一种抗氧化PET银膜制备方法-CN202111554172.X在审
发明人：邓建东;李庆春;陈明源;薛海星 -专利权人：东莞市光志光电有限公司
申请日： 2021-12-17 - 公布日： 2022-03-22 - 主分类号： C23C14/56 文献下载
摘要：本发明公开了一种抗氧化PET银膜制备方法，包括以下步骤：在PET基材的表面采用卷对卷式溅射镀Ag薄膜；选择Sn或Zn在Ag薄膜上采用卷对卷式溅射镀层，形成Sn金属膜层或Zn金属膜层；在Sn金属膜层或Zn金属膜层上涂聚氨酯防水涂料，与空气中的湿气接触后固化形成聚氨脂保护层；采用微凹贴合连续机，在聚氨脂保护层上贴附聚酯PET白膜或聚酯PET黑膜或聚酯PET镀铝膜。本发明通过在Ag薄膜上镀Sn金属膜层或Zn金属膜层，Sn金属膜层或Zn金属膜层可作为Ag薄膜的抗氧化层，并且可降低高温高湿环境中的影响，金属膜层上还设有聚氨脂保护层和聚酯PET膜，可减缓金属膜层的氧化速度
一种氧化 pet 制备方法

[发明专利]一种监控晶片键合前金属中间层预清洗工艺的方法-CN201410165858.3在审
发明人：金滕滕;丁敬秀;张先明;冯健;游宽结 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2014-04-23 - 公布日： 2015-11-25 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明提供一种监控晶片键合前金属中间层预清洗工艺的方法，提供一晶片，在所述晶片表面生长一层金属膜；测试所述金属膜的第一反射率；使所述金属膜的表面氧化；使用金属氧化物腐蚀溶液清洗烘烤后的所述表面生长有金属膜的晶片；测试所述清洗后的晶片表面金属膜的第二反射率；通过对比金属膜的第一反射率和金属膜的第二反射率，可以轻易的辨别金属膜表面的金属氧化物是否被完全去除。所述方法简单易行，所涉及的工艺和设备比较简单，使得监控的周期大大缩短，具有较好的实时性；同时，由于测试金属膜的反射率的过程中不会对晶片表面所生成的金属膜造成损伤，且测试仪器的精度较高，大大提高了监控的准确性
一种监控晶片键合前金属中间层清洗工艺方法

[发明专利]半导体器件的制造方法以及半导体器件-CN200610073921.6有效
发明人：坂田敦子;和田纯一;尾本诚一;羽多野正亮;山下创一;东和幸;中村直文;山田雅基;木下和哉;坚田富夫;莲沼正彦 -专利权人：株式会社东芝
申请日： 2006-01-23 - 公布日： 2006-10-18 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：提供一种与布线材料的密接性良好且具有高阻挡性的金属膜的半导体器件及其制造方法。通过下述工序形成高密度的金属膜和金属氧化膜，其中包括：在第一基板温度，放出在表面形成有凹部的绝缘膜中和绝缘膜表面的氧化源的工序；在低于第一基板温度的第二基板温度下，在绝缘膜上形成金属膜的工序；在形成金属膜后，利用残留在绝缘膜中的氧化源，使金属膜的至少一部分氧化的工序。
半导体器件制造方法以及

[发明专利]半导体器件的制造方法-CN201110078804.X无效
发明人：利根川丘;森田朋岳;松坂则彦 -专利权人：瑞萨电子株式会社
申请日： 2011-03-28 - 公布日： 2011-10-05 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：该方法包括：在硅区和绝缘膜上方形成金属膜；在含有氧作为主要成分的氧气氛下实施第一热处理，以通过使金属膜与硅区反应而在硅区中形成第一硅化物膜，以及同时通过从金属膜的表面侧对金属膜的整个表面进行氧化来形成金属氧化物；以及使用化学制品来选择性地去除金属氧化物和未反应的金属膜。
半导体器件制造方法

[发明专利]电子装置制造方法-CN01122310.3无效
发明人：周钟霖 -专利权人：环宇真空科技股份有限公司
申请日： 2001-06-25 - 公布日： 2003-01-29 - 主分类号： H01L21/316 文献下载
摘要：本发明涉及一种电子装置制造方法，其步骤包括将一基层上的一金属膜经选择性非多孔阳极氧化，以于金属膜第一外露区形成一密实非多孔氧化层，并将金属膜及密实非多孔氧化层经选择性多孔阳极氧化，以转化该密实非多孔氧化层及该第二外露区的该金属膜成为一多孔氧化层
电子装置制造方法

[发明专利]半导体装置的制造方法以及半导体装置-CN201110021517.5有效
发明人：王文生 -专利权人：富士通半导体股份有限公司
申请日： 2007-06-14 - 公布日： 2011-07-06 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明形成具有取向性良好的铁电膜的铁电电容器。在使规定的结晶面优先取向的第一金属膜上形成非结晶或微结晶的金属氧化膜(步骤S1、S2)，然后，使用MOCVD法形成铁电膜(步骤S3)。在形成该铁电膜时，使第一金属膜上的金属氧化膜还原以作为第二金属膜，在该第二金属膜上形成铁电膜。非结晶或微结晶的金属氧化膜在形成铁电膜时容易被均匀地还原，通过该还原可获得取向性良好的第二金属膜，能够在第二金属膜上形成取向性良好的铁电膜。在形成铁电膜后，在其上形成上部电极(步骤S4)。
半导体装置制造方法以及

[发明专利]半导体装置的制造方法以及半导体装置-CN200780053264.1有效
发明人：王文生 -专利权人：富士通微电子株式会社
申请日： 2007-06-14 - 公布日： 2010-03-24 - 主分类号： H01L21/8246 文献下载
摘要：本发明形成具有取向性良好的铁电膜的铁电电容器。在使规定的结晶面优先取向的第一金属膜上形成非结晶或微结晶的金属氧化膜(步骤S1、S2)，然后，使用MOCVD法形成铁电膜(步骤S3)。在形成该铁电膜时，使第一金属膜上的金属氧化膜还原以作为第二金属膜，在该第二金属膜上形成铁电膜。非结晶或微结晶的金属氧化膜在形成铁电膜时容易被均匀地还原，通过该还原可获得取向性良好的第二金属膜，能够在第二金属膜上形成取向性良好的铁电膜。在形成铁电膜后，在其上形成上部电极(步骤S4)。
半导体装置制造方法以及

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