专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]框架式波形板絮凝器-CN98120099.0在审
  • 陈猷华;郑国平;李学茂 - 浙江京泰水工业设备有限公司
  • 1998-10-12 - 2003-01-29 - C02F1/52
  • 本发明涉及一种水质净化的絮凝装置。由框架和多张波形板组成,波形板相对排列固定在框架中,波形板的两侧与开有纵缝的波形管固接,由圆管、节点三通和接头插接构成管式框架,波形管插在接头的管孔中与管式框架固接,相邻两波形管间有垫片。所有部件均粘接固定。本发明形状准确,刚度大;波形板四边全露,便于冲洗、维修和更换;避免焊接引起的变形和烧焦现象,更有利于保证产品质量和提高生产效率,便于机械化生产。
  • 框架波形絮凝
  • [发明专利]金氧半导体晶体管的制造方法-CN01129650.X有效
  • 赖汉昭;林宏穗;卢道政 - 旺宏电子股份有限公司
  • 2001-06-26 - 2003-01-29 - H01L21/336
  • 一种金氧半导体晶体管的制造方法,首先对已形成栅极及其侧壁的间隙壁的基底进行一源/漏极离子植入,在间隙壁侧边的基底内形成源/漏极区;接着在栅极与源/漏极区表面形成自行对准金属硅化层;随后去除部分间隙壁,以形成剖面大致呈三角形的一锐角间隙壁,再对基底进行倾斜角离子植入,在栅极侧边与锐角间隙壁下的基底内形成源/漏极延伸区,然后进行一热循环处理,以调整源/漏极延伸区的接合深度与掺杂轮廓。
  • 半导体晶体管制造方法
  • [发明专利]一种链条的制造方法-CN01113156.X有效
  • 宣碧华 - 宣碧华
  • 2001-06-29 - 2003-01-29 - B21L15/00
  • 本发明涉及一种链条的制造方法。链条的各部件的表面处理工艺为化学镀镍处理工艺,其步骤为a.工件;b.除锈;c.除油;d.清洗;e.活化;f.清洗;g.预热;h.化学镀镍溶液中浸泡;i.清洗;j.干燥;k.热处理。链条各组成部件具有高硬度、高耐磨性和优良抗蚀性。化学镀镍化学沉积Ni-P合金镀层孔隙少、致密、表面光洁。
  • 一种链条制造方法

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