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[发明专利]一种即时的氧化物氮化物氧化物薄膜的可靠性检测方法-CN201210162915.3在审
发明人：张孟;张凌越;王慧 -专利权人：上海宏力半导体制造有限公司
申请日： 2012-05-24 - 公布日： 2013-12-04 - 主分类号： H01L21/66 文献下载
摘要：本发明公开一种即时的氧化物氮化物氧化物薄膜的可靠性检测方法，在晶圆上完成氧化物氮化物氧化物薄膜的生长工艺后即进行本检测方法；该方法包含：1、从晶圆加工腔中取出分别位于顶部、中部和底部的三片控制晶圆；2、分别对位于顶部、中部和底部的三片控制晶圆上生长的氧化物氮化物氧化物薄膜的薄膜表面粗糙度进行分析；3、通过氧化物氮化物氧化物薄膜的薄膜表面粗糙度的分析结果，判断氧化物氮化物氧化物薄膜的可靠性。本发明在晶圆上生长氧化物氮化物氧化物薄膜后，即时对控制晶圆上氧化物氮化物氧化物薄膜的薄膜表面粗糙度进行分析，即时检测氧化物氮化物氧化物薄膜的可靠性，使氧化物氮化物氧化物薄膜可靠性的检测工艺更快捷和方便。
一种即时氧化物氮化物薄膜可靠性检测方法

[发明专利]金属氧化物薄膜晶体管及其制备方法-CN201410019642.6在审
发明人：徐苗;赵铭杰;罗东向;徐华;邹建华;陶洪;王磊;彭俊彪 -专利权人：广州新视界光电科技有限公司
申请日： 2014-01-16 - 公布日： 2014-04-09 - 主分类号： H01L29/786 文献下载
摘要：一种金属氧化物薄膜晶体管及其制备方法，金属氧化物薄膜晶体管含有由下层金属氧化物薄膜、铜基薄膜和上层金属氧化物薄膜以自下而上叠层构成的复合铜基薄膜，上层金属氧化物薄膜和下层金属氧化物薄膜均为金属氧化物薄膜；其中，下层金属氧化物薄膜作为铜基薄膜的粘附层并作为金属氧化物薄膜晶体管的有源层，铜基薄膜作为金属氧化物薄膜晶体管的源漏电极，上层金属氧化物层为铜基薄膜的保护层。该金属氧化物薄膜晶体管使用一块灰度掩膜版通过一次光刻工艺完成有源层和源漏电极及其电路布线的定义，简化了金属氧化物薄膜晶体管的制备工艺。本发明采用低布线电阻的铜基薄膜作为布线材料，具有制备工艺简单的特点。
金属氧化物薄膜晶体管及其制备方法

[发明专利]薄膜晶体管-CN202080046208.0在审
发明人：李栽玩;金容玹;朴昶均;李东奂 -专利权人：周星工程股份有限公司
申请日： 2020-07-03 - 公布日： 2022-02-01 - 主分类号： H01L29/10 文献下载
摘要：本发明涉及一种薄膜晶体管，尤其涉及使用金属氧化物薄膜作为主动层的薄膜晶体管；薄膜晶体管包含栅极绝缘膜以及形成于源极及漏极电极之间的主动层，其中主动层包含：第一金属氧化物薄膜、第二金属氧化物薄膜及第三金属氧化物薄膜；第二金属氧化物薄膜被提供于第一金属氧化物薄膜与栅极绝缘膜之间，并且相较于第一金属氧化物薄膜具有较低的导电率；第三金属氧化物薄膜被提供于第一金属氧化物薄膜与源极及漏极电极之间，并且相较于第一金属氧化物薄膜具有较低的导电率
薄膜晶体管

[发明专利]一种金属氧化物叠层场效应电极-CN201810695140.3有效
发明人：吕正红;张涛;王登科 -专利权人：云南大学
申请日： 2018-06-29 - 公布日： 2019-09-06 - 主分类号： H01L51/52 文献下载
摘要：本发明公开了一种金属氧化物叠层场效应电极。该金属氧化物叠层场效应电极包括多个金属条和金属氧化物叠层薄膜，金属氧化物叠层薄膜的第一金属氧化物薄膜材料的禁带宽度小于3eV；第二金属氧化物薄膜材料的禁带宽度大于3eV；第三金属氧化物薄膜材料的禁带宽度小于3eV；第二金属氧化物薄膜材料的禁带宽度与第一金属氧化物薄膜材料的禁带宽度的差值大于1eV；第二金属氧化物薄膜材料的禁带宽度与第三金属氧化物薄膜材料的禁带宽度的差值大于1eV；第一金属氧化物薄膜、所述第二金属氧化物薄膜和所述第三金属氧化物薄膜的厚度小于或等于采用本发明的金属氧化物叠层场效应电极，具有光透过率高、场致导电性能好的优点。
金属氧化物薄膜金属氧化物禁带电极场效应叠层叠层薄膜导电性能光透过率金属条场致

[发明专利]一种高温氧化物薄膜热电模块-CN201611153080.X在审
发明人：虞澜;宋世金;邱兴煌;谈文鹏;刘丹丹;刘安安;胡建力 -专利权人：昆明理工大学
申请日： 2016-12-14 - 公布日： 2017-04-26 - 主分类号： H01L35/32 文献下载
摘要：本发明公开了一种高温氧化物薄膜热电模块，属于功能薄膜材料及器件领域。其特征在于，包括至少一组热电对，所述热电对由P型氧化物薄膜和N型氧化物薄膜组成，P型氧化物薄膜和N型氧化物薄膜分别生长于双面抛光单晶基底的上表面和下表面，P型氧化物薄膜和N型氧化物薄膜呈X形交叉分布，P型氧化物薄膜和N型氧化物薄膜由电极依次连接，形成两个串联通路。本发明相比现有π型薄膜热电模块在单位面积上的输出功率密度显著提高，且电极用金量显著减少，成本降低。
一种高温氧化物薄膜热电模块

[实用新型]一种高温氧化物薄膜热电模块-CN201621372523.X有效
发明人：虞澜;宋世金;邱兴煌;谈文鹏;刘丹丹;刘安安;胡建力 -专利权人：昆明理工大学
申请日： 2016-12-14 - 公布日： 2017-07-28 - 主分类号： H01L35/32 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种高温氧化物薄膜热电模块，属于功能薄膜材料及器件领域。其特征在于，包括至少一组热电对，所述热电对由P型氧化物薄膜和N型氧化物薄膜组成，P型氧化物薄膜和N型氧化物薄膜分别生长于双面抛光单晶基底的上表面和下表面，P型氧化物薄膜11和N型氧化物薄膜呈X形交叉分布，P型氧化物薄膜和N型氧化物薄膜由电极依次连接，形成两个串联通路。本实用新型相比现有π型薄膜热电模块在单位面积上的输出功率密度显著提高，且电极用金量显著减少，成本降低。
一种高温氧化物薄膜热电模块

[发明专利]一种使用ALD氧化薄膜作为支撑层转移石墨烯的方法-CN202211662369.X在审
发明人：张汪洋 -专利权人：苏州微光电子融合技术研究院有限公司
申请日： 2022-12-23 - 公布日： 2023-06-23 - 主分类号： C01B32/194 文献下载
摘要：本发明公开了一种使用ALD氧化薄膜作为支撑层转移石墨烯的方法，包括以下步骤：S1：在铜基石墨烯的石墨烯一侧沉积一层氧化物薄膜，获得氧化物薄膜/石墨烯/铜；S2：铜面朝下置于刻蚀剂中，对铜面进行刻蚀，获得氧化物薄膜/石墨烯；S3：用沉积有电极的衬底，将氧化物薄膜/石墨烯捞出，使氧化物薄膜/石墨烯平整的贴合在衬底上，获得氧化物薄膜/石墨烯/衬底；S4：用氧化物去除剂浸泡去除氧化物薄膜，获得石墨烯/衬底；本发明充分利用氧化物薄膜作为石墨烯转移的载体，避免使用聚合物作为石墨烯转移的载体，从而引起聚合物残留。
一种使用 ald 氧化薄膜作为支撑转移石墨方法

[发明专利]一种金属氧化物薄膜及其制备方法、薄膜晶体管-CN202210873040.1有效
发明人：栗旭阳;弥谦;梁海锋;裴旭乐;赵元杰;张维佳 -专利权人：西安工业大学
申请日： 2022-07-21 - 公布日： 2023-04-18 - 主分类号： H01L21/34 文献下载
摘要：本发明关于一种金属氧化物薄膜及其制备方法、薄膜晶体管。其中，金属氧化物薄膜的制备方法包括：在设定相对湿度的制备环境中，使金属氧化物前驱液在基片上形成金属氧化物湿膜，并对金属氧化物湿膜进行预退火处理得到预固化金属氧化物薄膜；对预固化金属氧化物薄膜进行等离子处理得到等离子激活的金属氧化物薄膜；对等离子激活的金属氧化物薄膜进行后退火处理得到金属氧化物薄膜。本发明通过制备环境相对湿度与预退火处理温度的相互配合，实现对预固化金属氧化物薄膜毛细流动性和疏松程度的调控，从而在保证甚至进一步扩大等离子激活工艺可调谐范围以及等离子处理对预固化薄膜低温激活效果的基础上，提高金属氧化物薄膜的抗等离子刻蚀损伤能力。
一种金属氧化物薄膜及其制备方法薄膜晶体管

[发明专利]III族氧化物薄膜制备方法及其外延片-CN202110748306.5在审
发明人：孙海定;方师;汪丹浩;梁方舟 -专利权人：中国科学技术大学
申请日： 2021-06-30 - 公布日： 2021-10-01 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本公开提供一种III族氧化物薄膜制备方法及其外延片，方法包括：制备缓冲层(2)；在缓冲层(2)上外延III族氧化物薄膜(3)；其中，缓冲层(2)和III族氧化物薄膜(3)的晶格失配度小于10％，缓冲层(2)与III族氧化物薄膜(3)异质。通过在晶格互相匹配的缓冲层上外延III族氧化物薄膜，可以大大降低制备出的III族氧化物薄膜中的缺陷，获得质量优异的III族氧化物薄膜及器件。本公开的III族氧化物薄膜制备方法工艺兼容性强，原料成本低，适合对III族氧化物薄膜材料及器件的制备及推广应用。
iii 氧化物薄膜制备方法及其外延

[发明专利]透明传导氧化物薄膜基板、制造方法、有机发光装置和光电池-CN201310322392.9有效
发明人：金序炫;尹根尚;李铉熙;刘泳祚 -专利权人：三星康宁精密素材株式会社
申请日： 2013-07-29 - 公布日： 2014-02-12 - 主分类号： H01L51/52 文献下载
摘要：具有高水平表面平整度的透明传导氧化物薄膜基板、该基板的制造方法、以及具有该基板的OLED和光电池。该透明传导氧化物薄膜基板包含基底基板、在该基底基板上形成的第一透明传导氧化物薄膜、以及在该第一透明传导氧化物薄膜上形成的第二透明传导氧化物薄膜，上述第一透明传导氧化物薄膜用第一掺杂剂处理。上述第二透明传导氧化物薄膜用比上述第一掺杂剂浓度高的第二掺杂剂处理。上述第二透明传导氧化物薄膜的表面比上述第一透明传导氧化物薄膜的表面更平。
透明传导氧化物薄膜制造方法有机发光装置光电池

[发明专利]铟锡氧化物薄膜的回收方法以及基板的回收方法-CN201010513266.8有效
发明人：郑钧文;陈豊涵;赖英杰 -专利权人：友达光电股份有限公司
申请日： 2010-10-12 - 公布日： 2011-04-27 - 主分类号： C22B7/00 文献下载
摘要：一种铟锡氧化物薄膜的回收方法。首先，提供一待回收物，此待回收物具有一铟锡氧化物薄膜，接着，使一碱液与铟锡氧化物薄膜接触，以使铟锡氧化物薄膜自待回收物剥离并混合于碱液中，其中碱液的成分包括氢氧化钾及/或氢氧化钠。之后，收集剥离的铟锡氧化物薄膜与碱液的混合物，并自铟锡氧化物薄膜与碱液的混合物中过滤而取得含铟的粉末。本发明另提供一种基板的回收方法。本发明采用碱液与铟锡氧化物薄膜接触，使铟锡氧化物薄膜自待回收物上剥离而混合于碱液中，以达到铟锡氧化物薄膜或基板回收的目的。
氧化物薄膜回收方法以及

[发明专利]多晶形铟锡氧化物薄膜以及多晶形铟锡氧化物电极的制造方法-CN200410074540.0有效
发明人：舒芳安 -专利权人：元太科技工业股份有限公司
申请日： 2004-09-08 - 公布日： 2006-03-15 - 主分类号： C23C14/08 文献下载
摘要：一种多晶形铟锡氧化物薄膜的制造方法，首先，于基材上形成非晶形铟锡氧化物薄膜，接着进行快速热退火处理，以将非晶铟锡氧化物薄膜转换为多晶形铟锡氧化物薄膜。另外，本发明还提出一种多晶形铟锡氧化物电极的制造方法，首先，于薄膜晶体管阵列基材上形成非晶铟锡氧化物薄膜。接着，在此非晶铟锡氧化物薄膜上制作布线图案，以于基材上形成多个非晶铟锡氧化物电极。之后，进行快速热退火处理，以将多个非晶铟锡氧化物电极转换为多晶形铟锡氧化物电极。上述的制造方法可形成较佳平坦度之多晶形铟锡氧化物薄膜，并可缩短处理时间并提高成品率。
多晶形铟锡氧化物薄膜以及电极制造方法

[发明专利]氧化物薄膜晶体管及其制备方法和反相器及其制备方法-CN201510274195.3有效
发明人：曹鸿涛;王妹;梁凌燕;张胜男;罗浩;李秀霞 -专利权人：中国科学院宁波材料技术与工程研究所
申请日： 2015-05-26 - 公布日： 2018-03-06 - 主分类号： H01L29/786 文献下载
摘要：本发明公开了一种氧化物薄膜晶体管及其制备方法和反相器及其制备方法，其中氧化物薄膜晶体管包括衬底、栅介质层、氧化物沟道层、源电极、漏电极和覆盖层；栅介质层位于衬底的上方；氧化物沟道层位于栅介质层的上方；源电极和所述漏电极均至少部分位于氧化物沟道层的上方；覆盖层位于氧化物沟道层的上方，且位于源电极和漏电极之间；其中，覆盖层为金属氧化物薄膜。其通过在氧化物薄膜晶体管的氧化物沟道层上方增加设置一层金属氧化物薄膜作为覆盖层，实现金属氧化物薄膜对氧化物沟道层表面态的钝化，进而有效改善氧化物薄膜晶体管的性能。
氧化物薄膜晶体管及其制备方法反相器

[发明专利]金属氧化物薄膜基板、其制造方法、光伏电池和OLED-CN201310351331.5有效
发明人：刘泳祚;金序炫;朴峻亨;白逸姬;尹根尚;李贤姬;崔殷豪 -专利权人：三星康宁精密素材株式会社
申请日： 2013-08-13 - 公布日： 2014-02-19 - 主分类号： H01L31/0216 文献下载
摘要：本发明提供了可以提高陷光效率和光提取效率的金属氧化物薄膜基板、制造金属氧化物薄膜基板的方法和光伏电池以及包括光伏电池的有机发光装置（OLED）。金属氧化物薄膜基板包括基体基板和形成在基体基板上的金属氧化物薄膜。金属氧化物薄膜具有形成在金属氧化物薄膜的内部的用于散射光的空隙。
金属氧化物薄膜制造方法电池 oled

[发明专利]复合透明氧化物薄膜及其制造方法-CN201210100234.4无效
发明人：庄尧智 -专利权人：和鑫光电股份有限公司
申请日： 2012-04-06 - 公布日： 2013-10-23 - 主分类号： H01B5/14 文献下载
摘要：本发明公开一种复合透明氧化物薄膜及其制造方法，其设置缺氧氧化物薄膜在透明导电氧化物薄膜的一表面，以提高所述透明导电氧化物薄膜的载流子浓度，从而降低所述透明导电氧化物薄膜中的电阻值。本发明的复合透明氧化物薄膜除了具有高电导率外，更同时具备高透明度的优势。
复合透明氧化物薄膜及其制造方法

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