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[发明专利]无机-有机异质结全固态太阳能电池-CN201210150685.9无效
发明人：马廷丽;郭薇;翁韬 -专利权人：大连理工大学
申请日： 2012-05-15 - 公布日： 2012-09-05 - 主分类号： H01L51/42 文献下载
摘要：一种无机-有机异质结全固态太阳能电池，包括衬底，所述衬底具有透光特性；导电氧化物层，设置在所述衬底上；纳米晶半导体层，设置在所述导电氧化物层上；光敏剂，涂覆在所述纳米晶半导体层上；空穴传输层，浸润在所述纳米晶半导体层内；对电极，设置在所述空穴传输层上；以及封装背板。本发明将所述透明导电氧化物层刻蚀成第一透明导电氧化物层和第二透明导电氧化物层，并将所述对电极与所述第一透明导电氧化物层通过导线电连接，同时采用无机半导体作为光敏剂不仅扩展无机-有机异质结太阳能电池的吸收光谱
无机有机异质结全固态太阳能电池

[发明专利]层叠体及其制造方法-CN201180012439.0无效
发明人：木原直人;中尾卓也;有贺广志;志堂寺荣治 -专利权人：旭硝子株式会社
申请日： 2011-03-02 - 公布日： 2012-11-21 - 主分类号： B32B9/00 文献下载
摘要：本发明提供耐候性、防湿性优异，层间的密合性及其长期稳定性也优异的层叠体及其制造方法。本发明的层叠体的特征是，依次层叠有含有氟树脂的基材板、密合层和以选自无机氧化物、无机氮化物及无机氧氮化物的至少1种无机化合物为主成分的防湿层，上述密合层由选自氧化锆、氧化钽及氧化铪的至少1种金属氧化物构成
层叠及其制造方法

[发明专利]半导体装置及其制造方法-CN201010146957.9有效
发明人：大原宏树;佐佐木俊成 -专利权人：株式会社半导体能源研究所
申请日： 2010-03-12 - 公布日： 2010-11-24 - 主分类号： H01L21/34 文献下载
摘要：若不由无机绝缘膜覆盖氧化物半导体层情况下进行加热处理而使氧化物半导体层晶化，则因晶化而形成表面凹凸，可能会产生电特性的不均匀。通过如下顺序进行工序：在从刚形成氧化物半导体层之后直到与氧化物半导体层上接触地形成包含氧化硅的无机绝缘膜之前的期间一次也不进行加热处理，在接触于衬底上的氧化物半导体层上地形成第二绝缘膜之后进行加热处理。此外，在包含氧化硅的无机绝缘膜中含有的氢密度为5×1020/cm3以上，或其氮密度为1×1019/cm3以上。
半导体装置及其制造方法

[发明专利]半导体装置及其制造方法-CN201410347324.2有效
发明人：大原宏树;佐佐木俊成 -专利权人：株式会社半导体能源研究所
申请日： 2010-03-12 - 公布日： 2017-10-27 - 主分类号： H01L29/786 文献下载
摘要：若不由无机绝缘膜覆盖氧化物半导体层情况下进行加热处理而使氧化物半导体层晶化，则因晶化而形成表面凹凸，可能会产生电特性的不均匀。通过如下顺序进行工序在从刚形成氧化物半导体层之后直到与氧化物半导体层上接触地形成包含氧化硅的无机绝缘膜之前的期间一次也不进行加热处理，在接触于衬底上的氧化物半导体层上地形成第二绝缘膜之后进行加热处理。此外，在包含氧化硅的无机绝缘膜中含有的氢密度为5×1020/cm3以上，或其氮密度为1×1019/cm3以上。
半导体装置及其制造方法

[发明专利]隔板用粉体、隔板用浆料、锂离子电池及其制造方法-CN201780035343.3在审
发明人：森恭一;藤井武;高原洋一 -专利权人：株式会社日立高新技术高精细系统
申请日： 2017-05-30 - 公布日： 2019-02-05 - 主分类号： H01M2/16 文献下载
摘要：使负极用浆料S(Nb)以及隔板用浆料S(SPn)干燥，在金属箔Na上形成负极片NS，该负极片NS具有由负极用浆料S(Nb)形成的负极层Nb、以及在负极层Nb上通过隔板用浆料S(SPn)形成的隔板SPn。上述隔板用浆料S(SPn)具有第一无机氧化物颗粒、形状与第一无机氧化物颗粒不同的第二无机氧化物颗粒、使第一无机氧化物颗粒以及第二无机氧化物颗粒的混合物中的颗粒粘结的粘结剂、以及溶解粘结剂的溶剂。例如，第一无机氧化物颗粒为球状二氧化硅，第二无机氧化物颗粒为不定形二氧化硅。相对于球状二氧化硅和不定形二氧化硅的混合重量，不定形二氧化硅的比例为25重量％以上75重量％以下。
无机氧化物颗粒隔板浆料二氧化硅不定形球状二氧化硅锂离子电池负极负极层负极片粘结剂颗粒粘结混合物金属箔粉体溶剂溶解制造

[发明专利]半导体结构-CN201310087323.4有效
发明人：余宗玮;舒芳安;蔡耀州;林冠峄 -专利权人：元太科技工业股份有限公司
申请日： 2013-03-11 - 公布日： 2014-02-12 - 主分类号： H01L29/786 文献下载
摘要：本发明是有关一种半导体结构，包括一栅极、一氧化物通道层、一栅绝缘层、一源极、一漏极以及一介电堆叠层。栅极配置于一基板上。氧化物通道层与栅极彼此上下堆叠。栅绝缘层配置于栅极与氧化物通道层之间。源极与漏极配置于氧化物通道层的一侧且彼此平行配置。氧化物通道层的一部分暴露于源极与漏极之间。介电堆叠层配置于基板上，且包括多层具有一第一折射率的第一无机介电层以及多层具有一第二折射率的第二无机介电层。第一及第二无机介电层交替堆叠。至少一第一无机介电层直接覆盖源极、漏极与氧化物通道层的部分。第一折射率小于第二折射率。
半导体结构

[发明专利]带有耐污层的光学组件及其制备方法和应用-CN201810128316.7在审
发明人：贺赫;谷鋆鑫 -专利权人：法国圣戈班玻璃厂
申请日： 2018-02-08 - 公布日： 2019-08-16 - 主分类号： G02B1/115 文献下载
摘要：本发明涉及带有耐污层的光学组件及其制备方法和应用。本发明的光学组件包含：基材；在所述基材上方的减反射层；和在所述减反射层上方的耐污层，其中所述耐污层含有无机氧化物颗粒和无机氧化物基质，至少一部分无机氧化物颗粒的至少一部分体积延伸突出于无机氧化物基质表面
耐污光学组件无机氧化物基质无机氧化物颗粒制备方法和应用光伏组件减反射层基材功率输出延伸

[发明专利]装备了电极的透明基材-CN200680034522.7无效
发明人： D·勒贝莱克;B·库恩 -专利权人：法国圣戈班玻璃厂
申请日： 2006-09-19 - 公布日： 2008-09-17 - 主分类号： C03C17/34 文献下载
摘要：本发明涉及一种与电极连接的透明基材，特别地由玻璃制备，其特别适于太阳能电池，其特征在于所述电极包括第一透明导电层，所述第一层被第二透明导电层覆盖，所述第一层由非掺杂无机氧化物制成，所述第二层由与其相同的无机氧化物制成，但所述无机氧化物是掺杂的。
装备电极透明基材

[发明专利]摄像元件、层叠式摄像元件和固态摄像装置以及无机氧化物半导体材料-CN202080030207.7在审
发明人：饭野阳一郎;中野博史;森胁俊贵 -专利权人：索尼集团公司
申请日： 2020-04-29 - 公布日： 2021-11-30 - 主分类号： H01L51/42 文献下载
摘要：摄像元件包括光电转换部，该光电转换部包括层叠的第一电极21、包含有机材料的光电转换层23A和第二电极22；在第一电极21与光电转换层23A之间形成有无机氧化物半导体材料层23B；无机氧化物半导体材料层23B中所包含的无机氧化物半导体材料含有铝(Al)原子、锡(Sn)原子、锌(Zn)原子和氧(O)原子。
摄像元件层叠固态装置以及无机氧化物半导体材料

[发明专利]带防污层的光学薄膜-CN202180049236.2在审
发明人：宫本幸大;梨木智刚;角田丰 -专利权人：日东电工株式会社
申请日： 2021-07-13 - 公布日： 2023-03-21 - 主分类号： B32B7/022 文献下载
摘要：本发明的带防污层的光学薄膜(F)依次具备透明基材(11)、硬涂层(12)、无机氧化物基底层(13)和防污层(14)。防污层(14)是配置在无机氧化物基底层(13)上的干法涂布膜。防污层(14)的与无机氧化物基底层(13)相反一侧的表面(14a)的通过纳米压痕法而测得的25℃下的硬度为1.05GPa以上。
防污光学薄膜

[发明专利]带防污层的光学薄膜-CN202180049370.2在审
发明人：宫本幸大;角田丰 -专利权人：日东电工株式会社
申请日： 2021-07-13 - 公布日： 2023-03-14 - 主分类号： B32B7/022 文献下载
摘要：本发明的带防污层的光学薄膜(F)依次具备透明基材(11)、硬涂层(12)、无机氧化物基底层(13)和防污层(14)。防污层(14)是配置在无机氧化物基底层(13)上的干法涂布膜。防污层(14)的与无机氧化物基底层(13)相反一侧的表面(14a)的通过纳米压痕法而测得的25℃下的硬度(GPa)与弹性恢复率之积为0.8以上。
防污光学薄膜

[发明专利]电润湿疏水性介电层、其制备方法和电润湿器件-CN201610654322.7有效
发明人：李皓;侯嘉欣;丁文文;周国富 -专利权人：华南师范大学;深圳市国华光电科技有限公司;深圳市国华光电研究院
申请日： 2016-08-10 - 公布日： 2019-12-24 - 主分类号： G02B26/00 文献下载
摘要：本发明公开了电润湿疏水性介电层、其制备方法和电润湿器件，电润湿疏水性介电层含有疏水性的含氟高分子材料，含氟聚合物材料中掺杂有表面氟化的无机氧化物颗粒，通过对无机氧化物颗粒进行表面氟化，提高无机氧化物颗粒表面的疏水性、稳定性及与疏水性的含氟聚合物的相容性，使得氟化后的无机氧化物颗粒能够均匀分散在所述含氟高分子材料中，不会发生团聚，将掺杂表面氟化的无机氧化物颗粒的含氟聚合物制备成疏水性介电层，不仅不会影响含氟聚合物的润湿性能，而且可以大大提高疏水性介电层的介电常数，还能显著提升传统电润湿介电层的绝缘性，将所述疏水性介电层用于电润湿显示器，能够有效改善疏水性介电层在反复电场作用下被击穿的问题。
润湿疏水性介电层制备方法器件

[发明专利]偏光薄膜、图像显示装置用保护板、及相位差薄膜-CN201780068209.3在审
发明人：藤野望;梨木智刚;加藤惠 -专利权人：日东电工株式会社
申请日： 2017-11-14 - 公布日： 2019-07-05 - 主分类号： G02B5/30 文献下载
摘要：偏光薄膜在厚度方向一侧依次具备：第1透明树脂薄膜、红外线反射层和偏光件，红外线反射层依次具备：第1无机氧化物层、金属层和第2无机氧化物层。
红外线反射层无机氧化物层偏光薄膜透明树脂薄膜图像显示装置相位差薄膜保护板金属层偏光件

[发明专利]氧化物薄膜的图案化制程-CN201210413839.9有效
发明人：林晋庆;陈俞君;王恩光;江美静;陈怡真 -专利权人：财团法人工业技术研究院
申请日： 2012-10-25 - 公布日： 2014-02-12 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明提供一种氧化物薄膜的图案化制程，包括：将阻挡层组合物覆盖在基材上以形成图案化的阻挡层，其中阻挡层组合物包含无机成分以及有机粘着剂；无机成分与该有机粘着剂的重量比为50-98:2-50；将氧化物薄膜形成于图案化的阻挡层及基材上，其中阻挡层的厚度（D1）与氧化物薄膜的厚度（D2）比（D1/D2）范围介于5～2000；以及，剥除（lifting-off）阻挡层及阻挡层上的氧化物薄膜，留下基材上的氧化物薄膜。
氧化物薄膜图案化制程

[发明专利]一种增透减反射冷裱膜及其制备方法-CN201810400025.9在审
发明人：涂大记;夏厚君;潘华;杨晓明 -专利权人：浙江福莱新材料股份有限公司
申请日： 2018-04-28 - 公布日： 2018-11-02 - 主分类号： C09J7/50 文献下载
摘要：本发明公开了一种增透减反射冷裱膜及其制备方法，自上而下依次包括：增透减反射层、透明PVC膜层、透明胶层和白硅纸层；其中，增透减反射层包括至少一层高密度无机氧化物纳米层和至少一层低密度无机氧化物纳米层，且高密度无机氧化物纳米层的光学厚度为150‑300nm；低密度无机氧化物纳米层的光学厚度为50‑200nm；通过在冷裱膜的透明PVC膜层表面涂覆涂层液制备增透减反射冷裱膜，用来提高图片或照片质量和清晰度，防止因为眩光导致用户体验不佳、宣传效果差等
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