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[发明专利]离子敏感电极、测量单元和制造方法-CN201980010605.X在审
发明人： A·鲁茨;P·埃里斯曼;J·利蒙彼得森 -专利权人：梅特勒-托莱多有限公司
申请日： 2019-01-29 - 公布日： 2020-10-27 - 主分类号： G01N27/333 文献下载
摘要：离子敏感电极(10)，所述离子敏感电极(10)用于测量测量溶液(5)中的离子活度、特别是pH值，离子敏感电极(10)具有分层结构(6)，分层结构(6)包括作为离子敏感玻璃膜(11)的玻璃层和作为第一保持构件的基体(14)，基体(14)直接或经由至少一个中间层(12；13)粘附到离子敏感玻璃膜(11)，其特征在于，离子敏感玻璃膜在离子敏感电极(10)的指定操作温度的整个范围或部分范围上通过第一保持构件被保持在压缩应力下
离子敏感电极测量单元制造方法

[发明专利]用于有机发光二极管器件的防水涂层-CN200880005878.7无效
发明人：莫塞斯·M·大卫;弗雷德·B·麦考密克;马克·A·勒里希 -专利权人： 3M创新有限公司
申请日： 2008-02-07 - 公布日： 2010-01-20 - 主分类号： H01L51/52 文献下载
摘要：本文描述了一种用于制造无定形类金刚石膜层的方法，所述无定形类金刚石膜层用于保护水分或氧气敏感的电子器件。所述方法包括从硅油中形成等离子体，从所述等离子体中沉积无定形类金刚石膜层，并且将所述无定形类金刚石膜层与水分或氧气敏感的电子器件结合以形成受保护的电子器件。本发明还公开了包括在有机电子器件上的无定形类金刚石膜层的制品。
用于有机发光二极管器件防水涂层

[发明专利]用于煤制气环境中的溅射薄膜敏感元件-CN202011237585.0有效
发明人：王冰清;张林;张雯丽;张万亮;周成双 -专利权人：浙江工业大学
申请日： 2020-11-09 - 公布日： 2022-10-04 - 主分类号： C23C14/35 文献下载
摘要：本发明公开了一种用于煤制气环境中的溅射薄膜敏感元件，包括基底、设于基底上表面上的过渡缓冲层、设于过渡缓冲层上表面上的绝缘层、设于绝缘层上表面上的功能层、设于功能层上表面上的防护层；基底采用316L不锈钢材料制成，过渡缓冲层为Ni膜，绝缘层为SiO2膜，功能层为FeNiAl合金膜，防护层为AlOx膜。本发明在煤制气环境中，溅射薄膜敏感元件可以牢固地固定于试样上，相互之间连接呈无机质化，因而消除了零点漂移和蠕变，实现了温度自补偿，从而提高了溅射薄膜敏感元件的灵敏度和测量结果的准确性的特点。
用于煤制气环境中的溅射薄膜敏感元件

[发明专利]铵离子微电极及其制作方法-CN201810401418.1在审
发明人：张海英;刘振 -专利权人：深圳市西尔曼科技有限公司
申请日： 2018-04-28 - 公布日： 2018-11-02 - 主分类号： G01N27/30 文献下载
摘要：所述铵离子微电极包括绝缘基底、叠设于所述绝缘基底一表面的内参比电极和绝缘层、含有电解质的凝胶层、铵离子敏感膜层、抗干扰层；所述绝缘层在所述绝缘基底表面环绕于所述内参比电极，且与所述内参比电极之间具有间隙，所述凝胶层填充于所述绝缘层与所述内参比电极形成的间隙中并且覆盖所述内参比电极；所述铵离子敏感膜层层叠于所述凝胶层表面，所述抗干扰层层叠于所述铵离子敏感膜层表面。
铵离子内参比电极微电极绝缘层凝胶层敏感膜层基底绝缘绝缘基底表面电解质抗干扰层抗干扰灵敏度敏感膜叠设填充环绕响应覆盖制作

[发明专利]环形剪切式挠曲电加速度传感器及层叠结构加速度传感器-CN201811214474.0有效
发明人：胡涛涛;陈建勋;陈丽俊;罗彦斌;王传武 -专利权人：长安大学
申请日： 2018-10-18 - 公布日： 2020-03-31 - 主分类号： G01P15/09 文献下载
摘要：本发明公开了一种环形剪切式挠曲电加速度传感器及层叠结构加速度传感器，包括支撑杆、输出端子、环形质量块和挠曲电介电材料制成的环形敏感块,环形敏感块的内圈和外圈均镀有金属膜层，环形敏感块内圈设置在支撑杆的上端，环形质量块的内圈固定在环形敏感块的外圈；环形敏感块内圈的金属膜层和外圈的金属膜层分别通过引线与两只输出端子连接。
环形剪切挠曲加速度传感器层叠结构

[发明专利]一种复合功能MEMS器件结构及其制造方法-CN202210390856.9在审
发明人：王东平 -专利权人：苏州感芯微系统技术有限公司
申请日： 2022-04-14 - 公布日： 2022-07-08 - 主分类号： B81B7/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种复合功能MEMS器件结构，包括MEMS电容器和MEMS静电语音压力敏感膜器件，两者集成制备在同一个衬底上。包括由下到上依次层叠的衬底、隔离层、下背极、第一间隙层、振膜、第二间隙层、上背极；所述MEMS电容器和MEMS静电语音压力敏感膜器件分列左右两部分；MEMS电容器部分的衬底、隔离层、第一间隙层、第二间隙层、上背极的中部对应设置通孔；下背极、上背极中部设置声孔；MEMS静电语音压力敏感膜器件部分的衬底、隔离层、下背极、第一间隙层、第二间隙层的中部对应设置通孔。本发明利用MEMS微机电加工技术将MEMS电容器和MEMS静电语音压力敏感膜器件集成制备在一个衬底上。节省封装空间，降低采购成本。
一种复合功能 mems 器件结构及其制造方法

[发明专利]一种用于爆炸物检测的自组装单分子层敏感膜及制备方法-CN200610026520.5有效
发明人：李昕欣;左国民;程振兴;王跃林;封松林 -专利权人：中国科学院上海微系统与信息技术研究所
申请日： 2006-05-12 - 公布日： 2006-11-22 - 主分类号： G01N33/22 文献下载
摘要：本发明涉及一种用于爆炸物检测的自组装单分子层敏感膜及制备方法，特征在于所述的敏感膜的组成材料为6－巯基尼古丁酸(6－MNA)。它是以自组装的方法在贵金属基底上形成的单分子层。本发明制备的自组装单分子层能够对二硝基甲苯(DNT)、梯恩梯(TNT)、黑索金(RDX)和太安(PETN)等含硝基(－NO₂)或硝酸酯基(－ONO₂)的爆炸物敏感，可以在各类力和质量敏感元件上进行自组装修饰，形成灵敏检测器件。具有灵敏度高、响应时间快、特异性和重现性好等优点，在敏感性能方面明显优于国外使用的4－巯基苯甲酸(4－MBA)单分子层敏感膜，能够分辨几十ppt量级的TNT蒸气，可用于多种场合的安全检查和反恐的需求。
一种用于爆炸物检测组装单分子层敏感制备方法

[发明专利]MEMS压力传感器及制备方法-CN201910208209.X有效
发明人：王伟忠;杨拥军 -专利权人：中国电子科技集团公司第十三研究所
申请日： 2019-03-19 - 公布日： 2021-12-17 - 主分类号： G01L7/08 文献下载
摘要：本发明提供了一种MEMS压力传感器及制备方法，包括压力传感器敏感膜层、结构支撑层和电路板，压力传感器敏感膜层下表面与结构支撑层上表面键合连接，电路板上表面与结构支撑层下表面焊接相连；压力传感器敏感膜层下表面设有压敏电阻和金属引线，上表面设有波纹结构，压力传感器敏感膜层的厚度为2μm‑100μm；结构支撑层上表面设有硅槽，下表面设有环形隔离槽7和四个Pad点，硅槽内设有阵列分布的硅柱，硅柱的高度低于硅槽的深度，Pad点通过四个通孔实现与结构支撑层上表面的电连接
mems 压力传感器制备方法

[发明专利]一种高灵敏柔性可穿戴应变传感器及其低成本制作方法-CN201610475099.X在审
发明人：张跃;顾有松;陈峰岭;徐玉亮;冯世安 -专利权人：北京科技大学
申请日： 2016-06-24 - 公布日： 2016-11-23 - 主分类号： G01B7/16 文献下载
摘要：所述传感器包括柔性基底、位于柔性基底上的敏感层和位于敏感层两端的电极，敏感层为石墨纳米颗粒膜，敏感层使用热蒸发沉积方式制备。本发明的传感器的敏感层和电极之间为欧姆接触。敏感层是纳米级别的连续石墨颗粒膜，当传感器受到外界的应变的时候，纳米颗粒之间接触发生迅速响应，改变导电路径和接触面积，从而自身电阻发生明显变化，将输入的应变转变为电信号输出，能够实现高灵敏的应变探测，且响应时间短
一种灵敏柔性穿戴应变传感器及其低成本制作方法

[发明专利]形成层间绝缘膜用的射线敏感性树脂组合物和层间绝缘膜-CN200510105516.3无效
发明人：花村政晓 -专利权人： JSR株式会社
申请日： 2005-09-23 - 公布日： 2006-03-29 - 主分类号： G03F7/027 文献下载
摘要：提供一种形成层间绝缘膜用的射线敏感性树脂组合物，其能够形成分辨率高，能够充分厚膜化，且透明性、耐热性、密合性、耐溶剂性等各种物性都优良的层间绝缘膜，并提供由该树脂组合物形成的层间绝缘膜。形成层间绝缘膜用的射线敏感性树脂组合物特征在于包括(A)将(a)10～50重量％含酸性官能团的聚合性不饱和化合物、(b)20～60重量％含脂环状烃基而无酸性官能团的聚合性不饱和化合物以及(c)5～40重量层间绝缘膜由该形成层间绝缘膜用的射线敏感性树脂组合物形成。
形成层绝缘射线敏感性树脂组合

[实用新型]一种耐500V高绝缘强度溅射薄膜敏感元件-CN201621384143.8有效
发明人：戚云娟;戚龙;潘婷;闫军花;鹿文龙 -专利权人：陕西电器研究所
申请日： 2016-12-16 - 公布日： 2017-07-28 - 主分类号： G01L1/22 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种耐500V高绝缘强度溅射薄膜敏感元件，包括弹性体，在弹性体的表面自下而上依次设置有SiO2绝缘过渡膜层，Si3N4绝缘膜层、NiCr应变电阻膜层、Si3N4保护膜层和电极膜层，在应变电阻膜层上复制有惠斯通电桥本实用新型所述薄膜敏感元件作为溅射薄膜传感器的核心器件，可提高薄膜传感器的可靠性及长期稳定性，满足航天、煤炭机械等恶劣环境对薄膜传感器的高可靠性及稳定性使用要求。
一种 500 绝缘强度溅射薄膜敏感元件

[发明专利]具有多阶应力集中区的压力传感器及其制备方法-CN202010645413.0在审
发明人：李维平;兰之康;李晓波 -专利权人：南京高华科技股份有限公司
申请日： 2020-07-07 - 公布日： 2020-10-30 - 主分类号： G01L1/22 文献下载
摘要：压力传感器包括衬底、压力敏感单元、绝缘钝化层以及导线层；衬底沿其厚度方向的第一表面设置有空腔，应力敏感膜设置在第一表面上，多个压敏电阻设置在应力敏感膜背离衬底的一侧，多个压敏电阻平行间隔设置，多个压敏电阻通过所述多根引线电连接形成多平行环形惠斯通电桥；绝缘钝化层设置在压力敏感单元背离衬底的一侧，其设置有贯穿其厚度的金属化过孔，导线层设置在绝缘钝化层背离衬底的一侧，通过金属化过孔与压力敏感单元电连接；绝缘钝化层上还设置有多阶应力集中区，与压力敏感单元相对应，以在压力敏感单元处产生应力集中。
具有应力集中压力传感器及其制备方法

[发明专利]一种压电式微加速度传感器-CN201310582955.8无效
发明人：孙远程;姚明秋;苏伟;唐彬;陶逢刚;曲兵兵 -专利权人：中国工程物理研究院电子工程研究所
申请日： 2013-11-20 - 公布日： 2014-02-26 - 主分类号： G01P15/09 文献下载
摘要：所述的传感器包括敏感芯片和上、下玻璃板；其中，敏感芯片采用结构对称的环状结构，共包含八个上电极、八个下电极、八个压电层、支撑膜、质量块。所述的八个下电极置于支撑膜之上，八个压电层置于下电极之上，八个上电极置于压电层之上。质量块悬置于下电极之下并与支撑膜固定连接，质量块悬置于支撑膜之下，构成敏感芯片的可动部分。电极、压电层分别构成的圆环均与质量块同圆心。所述的敏感芯片与上、下玻璃板分别通过键合连接。本发明的压电式微加速度传感器的固有频率为14.8KHz以上，灵敏度为0.62pC/g。
一种压电式微加速度传感器

[实用新型]一种压电式微加速度传感器-CN201320733480.3有效
发明人：孙远程;姚明秋;苏伟 -专利权人：中国工程物理研究院电子工程研究所
申请日： 2013-11-20 - 公布日： 2014-11-12 - 主分类号： G01P15/09 文献下载
摘要：所述的传感器包括敏感芯片和上、下玻璃板；其中，敏感芯片采用结构对称的环状结构，共包含八个上电极、八个下电极、八个压电层、支撑膜、质量块。所述的八个下电极置于支撑膜之上，八个压电层置于下电极之上，八个上电极置于压电层之上。质量块悬置于下电极之下并与支撑膜固定连接，质量块悬置于支撑膜之下，构成敏感芯片的可动部分。电极、压电层分别构成的圆环均与质量块同圆心。所述的敏感芯片与上、下玻璃板分别通过键合连接。本实用新型的压电式微加速度传感器的固有频率为14.8KHz以上，灵敏度为0.62pC/g。
一种压电式微加速度传感器

[发明专利]MEMS结构及其加工方法、热释电传感器、红外探测器-CN201911077287.7在审
发明人：石少伟;武军伟;梁自克 -专利权人：汝州市裕丰电子有限公司
申请日： 2019-11-06 - 公布日： 2020-02-21 - 主分类号： G01J5/34 文献下载
摘要：该MEMS结构包括设有读出集成电路的基底，以及包括：悬浮在基底一侧的热敏感层，所述的热敏感层为镧钛酸铅铁电薄膜；用于支撑所述热敏感层的支撑结构，所述支撑结构通过若干组锚柱与所述基底相连，所述支撑结构与所述基底之间形成光学谐振腔；所述的支撑结构依次包括第一碳化硅层、电极层以及第二碳化硅层；所述的电极层为钛膜和/氮化钛膜。本发明通过采用镧钛酸铅铁电薄膜作为热敏感层，以及使热敏感层通过支撑结构悬浮在基底一侧，可以提高MEMS结构的光学吸收特性以及降低MEMS结构的噪声等效温差。
mems 结构及其加工方法热释电传感器红外探测器