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[发明专利]一种膜层制备方法-CN201710288875.X在审
发明人：关峰;王大伟 -专利权人：京东方科技集团股份有限公司
申请日： 2017-04-27 - 公布日： 2017-08-25 - 主分类号： H01L51/56 文献下载
摘要：本发明公开一种膜层制备方法，涉及显示技术领域，用于提高膜层的制备效率。所述膜层制备方法包括提供一具有功能膜层去除区域和功能膜层保留区域的基板，在基板的功能膜层去除区域形成敏感材料层；在基板的功能膜层保留区域和敏感材料层沉积功能膜层；提供一敏感材料层的敏化条件，敏感材料层在敏化条件下敏化，使得敏感材料层和功能膜层对应敏感材料层的部分从基板去除，得到图案化的功能膜层。本发明提供的膜层制备方法用于制备图案化的膜层。
一种制备方法

[发明专利]基于标准CMOS工艺的ISFET器件敏感膜制作方法-CN201710981238.0有效
发明人：杨翎;张雪莲;张强;王琛瑜;节俊尧;俞育德 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2017-10-19 - 公布日： 2020-10-23 - 主分类号： G01N27/414 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于标准CMOS工艺的ISFET器件敏感膜制作方法，包括制备敏感膜，其中，所述制备敏感膜包括：准备含有外部钝化层和钝化层下方的TiN层结构的ISFET器件；从ISFET器件外部向下刻蚀部分钝化层、刻蚀全部钝化层、刻蚀至部分TiN层或刻蚀全部TiN层；和/或沉积敏感膜。本发明的方法制成了高质量的敏感膜，同时敏感膜与器件顶层金属距离合适，提升了器件的敏感能力。
基于标准 cmos 工艺 isfet 器件敏感制作方法

[发明专利]一种中子敏感复合膜及其制备方法、中子敏感微通道板-CN202011416105.7在审
发明人：赵卫;孙蒙雅;朱香平;韦永林 -专利权人：松山湖材料实验室
申请日： 2020-12-03 - 公布日： 2022-06-10 - 主分类号： H01J43/24 文献下载
摘要：本申请提供一种中子敏感复合膜及其制备方法、中子敏感微通道板，属于电子器件技术领域。中子敏感复合膜包括交替层叠布置的中子敏感层和金属单质层。中子敏感层的材质包括BN或10BN。交替层叠布置的中子敏感层和金属单质层能够优化中子敏感复合膜的中子探测能力，且金属单质层使中子敏感复合膜具有导电性。利用原子层沉积法在微通道板内壁制备得到表面致密且厚度均匀的中子敏感复合膜，使微通道板获得较好的中子探测能力，提升中子敏感复合膜的中子探测效率。同时，通过调控原子层沉积的重复次数，可以精确控制每一层中子敏感层和金属单质层的厚度，以及精确控制整个中子敏感复合膜的厚度，从而设计得到具有预设电阻的中子敏感复合膜。
一种中子敏感复合及其制备方法通道

[实用新型]一种具有四支撑悬梁四层结构的电阻式气体传感器-CN201520759054.6有效
发明人：许磊 -专利权人：许磊
申请日： 2015-09-28 - 公布日： 2016-08-10 - 主分类号： G01N27/12 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种具有四支撑悬梁四层结构的电阻式气体传感器，其具有四支撑悬梁，其四层结构自下而上依次为：硅衬底框架、加热膜层、加热电极层、敏感膜层，所述敏感膜层包括两层以上敏感膜，各层敏感膜逐层电性连接，且各层敏感膜自下而上，其比表面积逐渐减小、孔隙尺寸逐渐增大。与现有技术相比，其具有四支撑悬梁的结构易于通过调节和控制工作温度来提高传感器的性能；并且其采用两层以上敏感膜作为敏感膜层，可以提高气体传感器的灵敏度和选择性。
一种具有支撑悬梁结构电阻气体传感器

[实用新型]一种具有两支撑悬梁四层结构的电阻式气体传感器-CN201520759055.0有效
发明人：许磊 -专利权人：合肥微纳传感技术有限公司
申请日： 2015-09-28 - 公布日： 2016-08-10 - 主分类号： G01N27/04 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种具有两支撑悬梁四层结构的电阻式气体传感器，其具有两支撑悬梁，其四层结构自下而上依次为：硅衬底框架、加热膜层、加热电极层、敏感膜层，敏感膜层包括两层以上敏感膜，且各层敏感膜自下而上，其比表面积逐渐减小与现有技术相比，其具有两支撑悬梁的结构易于通过调节和控制工作温度来提高传感器的性能；并且其采用两层以上敏感膜作为敏感膜层，可以提高气体传感器的灵敏度和选择性。
一种具有支撑悬梁结构电阻气体传感器

[实用新型]一种具有两支撑悬梁六层结构的电阻式气体传感器-CN201520757454.3有效
发明人：许磊 -专利权人：许磊
申请日： 2015-09-28 - 公布日： 2016-04-06 - 主分类号： G01N27/12 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种具有两支撑悬梁六层结构的电阻式气体传感器，其具有两支撑悬梁，其六层结构自下而上依次为：硅衬底框架、加热膜层、加热层、隔离层、电极层、敏感膜层，该敏感膜层包括两层以上敏感膜，且各层敏感膜自下而上与现有技术相比，其具有两支撑悬梁的结构易于通过调节和控制工作温度来提高传感器的性能；并且其采用两层以上敏感膜作为敏感膜层，可以提高气体传感器的灵敏度和选择性。
一种具有支撑悬梁结构电阻气体传感器

[发明专利]传感器、传感器的制作方法及智能穿戴设备-CN202310438085.0在审
发明人：于文秀;闫文明 -专利权人：潍坊歌尔微电子有限公司
申请日： 2023-04-19 - 公布日： 2023-07-14 - 主分类号： B81B7/00 文献下载
摘要：本发明提供一种传感器、传感器的制作方法及智能穿戴设备，传感器包括基板和罩设于基板的壳体，基板与壳体配合形成有容纳腔，传感器设置有与容纳腔连通的气孔，容纳腔内设置有信号连接的MEMS芯片和IC芯片，MEMS芯片包括敏感膜，容纳腔内还设置有塑封层，塑封层在敏感膜位置上方形成有凹槽以使敏感膜暴露于塑封层，凹槽上设置有防水透气膜。塑封层在MEMS芯片敏感膜位置上方形成有凹槽，使得敏感膜暴露于塑封层，敏感膜可以正常接收外界信号，设置塑封层还为防水透气膜的设置提供支撑。该传感器具有能够防止异物落到MEMS芯片的敏感膜，提升产品性能的优点。
传感器制作方法智能穿戴设备

[发明专利]一种高性能的MEMS压力传感器及其制作方法-CN202111020030.5在审
发明人：不公告发明人 -专利权人：青岛芯笙微纳电子科技有限公司
申请日： 2021-09-01 - 公布日： 2021-11-19 - 主分类号： G01L1/14 文献下载
摘要：本发明公开了一种高性能的MEMS压力传感器及其制作方法，该压力传感器由下到上依次包括衬底、第一牺牲层、下敏感膜层、第二牺牲层和上敏感膜层，衬底中部上表面设置金属电极，位于金属电极上方的下敏感膜层上开设释放孔一和围绕释放孔一外围的一圈通孔一，位于金属电极上方的上敏感膜层上开设释放孔二，位于金属电极上方的第一牺牲层和第二牺牲层通过释放孔一、释放孔二以及通孔一被腐蚀掉以形成空腔，位于金属电极上方的上、下敏感膜层分别被释放为上、下敏感膜片，上敏感膜层和下敏感膜片中心通过中心柱连接，释放孔二内填充有密封塞，下敏感膜片和金属电极形成敏感电容。本发明所公开的压力传感器敏感度高，线性度好，测量结果准确度高。
一种性能 mems 压力传感器及其制作方法

[实用新型]一种SOI压力传感器芯片-CN202223141146.7有效
发明人：黄炜;高国民;田开芳;周岚生;陈林玉;朱宁;牛孟霄 -专利权人：中化天康科技（南京）有限公司;中国化学工程第十四建设有限公司
申请日： 2022-11-25 - 公布日： 2023-10-13 - 主分类号： G01L1/22 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种SOI压力传感器芯片，所述传感器芯片包括芯片本体、固支边、敏感电阻、敏感电阻工艺膜、SOI片氧化层及弹性敏感膜，所述敏感电阻设置在所述SOI片氧化层上方，所述敏感电阻的外侧设置有敏感电阻工艺膜，所述弹性敏感膜的设置在所述SOI片氧化层的下方，所述芯片本体底部设置有腐蚀区域，所述腐蚀区域设置有PECVD应力匹配膜，所述腐蚀区域具有腐蚀斜坡，所述弹性敏感膜上端一侧与所述弹性敏感膜的一端形成敏感膜与固支边交接处，本申请中的敏感芯片正反方向对压力敏感的对称性很好，正面与背面应力相匹配。
一种 soi 压力传感器芯片

[发明专利]一种电阻式压力传感器的制备方法及电阻式压力传感器-CN202310008786.0在审
发明人：崔震林;雷浩;李俊熙;王秋;孙旭辉 -专利权人：湖州慧闻传感科技有限公司
申请日： 2023-01-04 - 公布日： 2023-06-23 - 主分类号： G01L1/22 文献下载
摘要：该电阻式压力传感器的制备方法包括如下步骤：提供第一基底和第二基底；在所述第一基底上形成电极层；在所述第二基底上形成微结构压敏膜组，所述微结构压敏膜组由平面敏感膜层和至少一层图案化敏感膜层组成，所述微结构压敏膜组的最内层为平面敏感膜层，所述微结构压敏膜组的最外层为图案化敏感膜层，最外层的所述图案化敏感膜层与所述电极层之间具有间距，所述图案化敏感膜层是利用丝网印刷方法制备获得的。
一种电阻压力传感器制备方法

[发明专利]一种MEMS压力传感器及其制备方法、电子装置-CN202211722067.7在审
发明人：王俊力 -专利权人：绍兴中芯集成电路制造股份有限公司
申请日： 2022-12-30 - 公布日： 2023-06-09 - 主分类号： G01L7/08 文献下载
摘要：本发明提供一种MEMS压力传感器及其制备方法、电子装置，所述方法包括：提供第一衬底和第二衬底，第一衬底包括第一基底层、第一绝缘层和第一敏感膜层，第一敏感膜层中设置有第一压敏电阻，第二衬底包括第二基底层、第二绝缘层和第二敏感膜层，在第二敏感膜层中形成有空腔；将第二衬底与第一衬底相接合；对第二衬底进行减薄处理；在第二敏感膜层中形成第二压敏电阻；刻蚀第一衬底以形成背腔并露出第一敏感膜层。本发明的方法通过将不同量程的敏感膜层集成到单个芯片上，降低了生产成本，促进了多量程MEMS压力传感器的应用。
一种 mems 压力传感器及其制备方法电子装置

[发明专利]一种基于电磁激励电磁检测的硅微谐振式表压传感器芯片-CN202011140341.0有效
发明人：赵立波;邱煜祥;王李;韩香广;李支康;皇咪咪;杨萍;朱楠;王淞立;赵虎;蒋庄德 -专利权人：西安交通大学
申请日： 2020-10-22 - 公布日： 2021-09-07 - 主分类号： G01L1/10 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于电磁激励电磁检测的硅微谐振式表压传感器芯片，包括谐振器、气压敏感膜和检测压力敏感膜。加载压力时，气压敏感膜和检测压力敏感膜受压产生变形，气压通过气压敏感膜和检测压力敏感膜在谐振器两端产生的拉应力和压应力平衡，使得传感器得以测量到表压。气压敏感膜与多晶硅层上表面通过键合形成整体并为谐振器所在空腔提供了真空环境，提高了传感器的品质因子。激振梁、拾振梁和连接梁上沉积有氧化硅层作为绝缘层，激振梁、拾振梁上的氧化硅层上沉积有多晶硅层作为电信号传导层。
一种基于电磁激励检测谐振式表压传感器芯片

[发明专利]一种MEMS压力传感器及其制造方法-CN201510290371.2有效
发明人：郑国光 -专利权人：歌尔声学股份有限公司
申请日： 2015-05-29 - 公布日： 2015-11-11 - 主分类号： B81B3/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种MEMS压力传感器及其制造方法，在衬底上方设有与衬底形成真空腔的敏感膜层，所述敏感膜层包括位于中部的敏感部，以及位于敏感部边缘、支撑在衬底上的支撑部，其中，敏感部所在的平面低于支撑部，并通过倾斜部与支撑部连接在一起，以使敏感部、倾斜部、支撑部构成阶梯状结构。本发明的MEMS压力传感器，敏感膜层中的敏感部、倾斜部、支撑部具有阶梯状的“下沉”结构，在沉积敏感膜层的过程中，可以使其内应力得到彻底的释放；该敏感膜层的弹性系数较低，可以获得较高的灵敏度；另外，敏感部通过倾斜部与支撑部连接，可以大大降低敏感部对应力变化的敏感性，从而提高了芯片的信噪比，提升了压力传感器的性能。
一种 mems 压力传感器及其制造方法

[实用新型]一种MEMS压力传感器-CN201520364825.1有效
发明人：郑国光 -专利权人：歌尔声学股份有限公司
申请日： 2015-05-29 - 公布日： 2015-12-16 - 主分类号： G01L1/18 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种MEMS压力传感器，在衬底上方设有与衬底形成真空腔的敏感膜层，所述敏感膜层包括位于中部的敏感部，以及位于敏感部边缘、支撑在衬底上的支撑部，其中，敏感部所在的平面低于支撑部，并通过倾斜部与支撑部连接在一起，以使敏感部、倾斜部、支撑部构成阶梯状结构。本实用新型的MEMS压力传感器，敏感膜层中的敏感部、倾斜部、支撑部具有阶梯状的“下沉”结构，在沉积敏感膜层的过程中，可以使其内应力得到彻底的释放；该敏感膜层的弹性系数较低，可以获得较高的灵敏度；另外，敏感部通过倾斜部与支撑部连接，可以大大降低敏感部对应力变化的敏感性，从而提高了芯片的信噪比，提升了压力传感器的性能。
一种 mems 压力传感器

[发明专利]温度传感器、电极与温度敏感膜的连接结构及制备方法-CN201910260361.2在审
发明人：刘景全;尤敏敏 -专利权人：上海交通大学
申请日： 2019-04-02 - 公布日： 2019-08-20 - 主分类号： B81B7/00 文献下载
摘要：本发明涉及温度传感器、电极与温度敏感膜的连接结构及制备方法，所述结构包括绝缘基底、电极及温度敏感膜，所述绝缘基底上设置所述电极，在所述电极上设置所述温度敏感膜；在所述电极与所述温度敏感之间设置电极过渡层，所述电极过渡层为金属薄膜，所述金属薄膜为钼、铬、钛中任意一种。本发明电极测量敏感膜的值更符合敏感膜的性质，能够有效提高敏感膜有效电阻输出，减少测试误差，提高深低温温度传感器测试温度准确性。
电极温度敏感膜敏感膜电极过渡层温度传感器金属薄膜连接结构基底绝缘制备温度传感器测试测试误差电极测量温度敏感有效电阻深低温输出

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